BLF574
高频/甚高频功率LDMOS晶体管
牧师01 - 2008年12月8日
初步数据表
1.产品廓
1.1概述
对于广播应用和产业一个500瓦到600瓦的功率LDMOS晶体管
应用高频500 MHz的频段。
表1中。
应用信息
f
（兆赫）
CW
225
108
V
DS
(V)
50
50
P
L
(W)
500
600
G
p
（ dB）的
26.5
27.5
η
D
(%)
70
73
操作模式
小心
该器件对静电放电（ ESD ）很敏感。因此应注意
在运输和装卸。
1.2产品特点
I
典型CW性能在225 MHz时， 50 V的电源电压和频率的我
Dq
1000毫安
N
平均输出功率= 500瓦
N
功率增益= 26.5分贝
N
EF网络效率= 70 ％
I
简单的电源控制
I
集成ESD保护
I
出色的耐用性
I
高英法fi效率
I
优良的热稳定性
I
设计用于宽带操作（ 10兆赫至500兆赫）
I
符合2002 /95 / EC ，关于有害物质限制
（符合RoHS ）
1.3应用
I
工业，科学的c和医疗应用
I
广播发射机应用
恩智浦半导体
BLF574
高频/甚高频功率LDMOS晶体管
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
钉扎
描述
drain1
drain2
gate1
gate2
来源
[1]
简化的轮廓
1
2
5
图形符号
1
3
3
4
4
5
2
sym117
[1]
连接到FL法兰。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BLF574
-
描述
FL anged平衡LDMOST陶瓷封装;
2安装孔; 4引线
VERSION
SOT539A
类型编号
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
储存温度
结温
条件
民
-
0.5
-
65
-
最大
110
+11
56
+150
225
单位
V
V
A
°C
°C
5.热特性
表5 。
符号
R
日（J -C ）
[1]
热特性
参数
从热阻
结到外壳
条件
T
例
= 80
°C;
P
L
= 400 W
典型值
0.23
单位
K / W
R
日（J -C ）
射频条件下进行测定。
BLF574_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
初步数据表
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恩智浦半导体
BLF574
高频/甚高频功率LDMOS晶体管
6.特性
表6 。
DC特性
T
j
= 25
°
℃;每节除非另有规定ED 。
符号参数
V
GS （ TH）
V
GSQ
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DS （ ON）
C
rs
C
国际空间站
C
OSS
门源阈值电压
栅源电压静态
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
正向跨导
条件
V
DS
= 10 V ;我
D
= 250毫安
V
DS
= 50 V ;我
D
= 500毫安
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
V
DS
= 10 V
V
GS
= 11 V; V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V ;我
D
= 12.5 A
最小典型最大单位
110 -
1.25 1.7
-
29
-
-
-
-
-
-
-
-
V
2.25 V
2.8
A
A
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压V
GS
= 0 V ;我
D
= 2.5毫安
1.35 1.85 2.35 V
37.5 -
-
17
280 nA的
-
S
pF
pF
pF
漏源导通电阻V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
I
D
= 8.33 A
反馈电容
输入电容
输出电容
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V;
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V;
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V;
F = 1 MHz的
0.14 -
1.5
-
204 -
72
-
表7中。
射频特性
经营方式： CW ; F = 225 MHz的;射频性能在V
DS
= 50 V ;我
Dq
= 1000毫安总装置;
T
例
= 25
°
℃;除非另有规定ED ;在AB类生产测试电路。
符号参数
G
p
RL
in
η
D
功率增益
输入回波损耗
漏EF网络效率
条件
P
L
= 400 W
P
L
= 400 W
P
L
= 400 W
最小典型最大单位
25
13
66
26.5 28
20
70
-
-
dB
dB
%
BLF574_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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恩智浦半导体
BLF574
高频/甚高频功率LDMOS晶体管
500
C
OSS
（PF ）
400
001aaj126
300
200
100
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
(V)
V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫。
图1 。
输出电容为漏极 - 源极电压的函数;每个典型值
部分
6.1耐用的AB类操作
该BLF574能够经受对应于驻波的负载不匹配= 13 ：1的
通过在下列条件下的所有阶段： V
DS
= 50 V ;我
Dq
=千毫安;
P
L
= 400瓦; F = 225兆赫。
BLF574_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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高频/甚高频功率LDMOS晶体管
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产品数据表
1.产品廓
1.1概述
对于广播应用和产业一个500瓦到600瓦的功率LDMOS晶体管
应用高频500 MHz的频段。
表1中。
应用信息
f
（兆赫）
CW
225
108
V
DS
(V)
50
50
P
L
(W)
500
600
G
p
（ dB）的
26.5
27.5
η
D
(%)
70
73
操作模式
小心
该器件对静电放电（ ESD ）很敏感。因此应注意
在运输和装卸。
1.2产品特点
I
典型CW性能在225 MHz时， 50 V的电源电压和频率的我
Dq
1000毫安
N
平均输出功率= 500瓦
N
功率增益= 26.5分贝
N
EF网络效率= 70 ％
I
简单的电源控制
I
集成ESD保护
I
出色的耐用性
I
高英法fi效率
I
优良的热稳定性
I
设计用于宽带操作（ 10兆赫至500兆赫）
I
符合2002 /95 / EC ，关于有害物质限制
（符合RoHS ）
1.3应用
I
工业，科学的c和医疗应用
I
广播发射机应用
恩智浦半导体
BLF574
高频/甚高频功率LDMOS晶体管
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
钉扎
描述
drain1
drain2
gate1
gate2
来源
[1]
简化的轮廓
1
2
5
图形符号
1
3
3
4
4
5
2
sym117
[1]
连接到FL法兰。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BLF574
-
描述
FL anged平衡LDMOST陶瓷封装;
2安装孔; 4引线
VERSION
SOT539A
类型编号
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
储存温度
结温
条件
民
-
0.5
-
65
-
最大
110
+11
56
+150
225
单位
V
V
A
°C
°C
5.热特性
表5 。
符号
R
日（J -C ）
[1]
热特性
参数
从热阻
结到外壳
条件
T
例
= 80
°C;
P
L
= 400 W
典型值
0.23
单位
K / W
R
日（J -C ）
射频条件下进行测定。
BLF574_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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2 18
恩智浦半导体
BLF574
高频/甚高频功率LDMOS晶体管
6.特性
表6 。
DC特性
T
j
= 25
°
℃;每节除非另有规定ED 。
符号参数
V
GS （ TH）
V
GSQ
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DS （ ON）
C
rs
C
国际空间站
C
OSS
门源阈值电压
栅源电压静态
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
正向跨导
条件
V
DS
= 10 V ;我
D
= 250毫安
V
DS
= 50 V ;我
D
= 500毫安
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
V
DS
= 10 V
V
GS
= 11 V; V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V ;我
D
= 12.5 A
最小典型最大单位
110 -
1.25 1.7
-
29
-
-
-
-
-
-
-
-
V
2.25 V
2.8
A
A
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压V
GS
= 0 V ;我
D
= 2.5毫安
1.35 1.85 2.35 V
37.5 -
-
17
280 nA的
-
S
pF
pF
pF
漏源导通电阻V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
I
D
= 8.33 A
反馈电容
输入电容
输出电容
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V;
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V;
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V;
F = 1 MHz的
0.14 -
1.5
-
204 -
72
-
表7中。
射频特性
经营方式： CW ; F = 225 MHz的;射频性能在V
DS
= 50 V ;我
Dq
= 1000毫安总装置;
T
例
= 25
°
℃;除非另有规定ED ;在AB类生产测试电路。
符号参数
G
p
RL
in
η
D
功率增益
输入回波损耗
漏EF网络效率
条件
P
L
= 400 W
P
L
= 400 W
P
L
= 400 W
最小典型最大单位
25
13
66
26.5 28
20
70
-
-
dB
dB
%
BLF574_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2009年2月24日
3 18
恩智浦半导体
BLF574
高频/甚高频功率LDMOS晶体管
500
C
OSS
（PF ）
400
001aaj126
300
200
100
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
(V)
V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫。
图1 。
输出电容为漏极 - 源极电压的函数;每个典型值
部分
6.1耐用的AB类操作
该BLF574能够经受对应于驻波的负载不匹配= 13 ：1的
通过在下列条件下的所有阶段： V
DS
= 50 V ;我
Dq
=千毫安;
P
L
= 400瓦; F = 225兆赫。
BLF574_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2009年2月24日
4 18
QQ：2881677436 复制
