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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第74页 > BTB16-700BW3G
BTB16-600BW3G,
BTB16-700BW3G,
BTB16-800BW3G
双向可控硅
硅双向晶闸管
专为高性能的全波交流控制应用
其中,高抗干扰,高换向的di / dt是必需的。
特点
http://onsemi.com
阻断电压为800 V
通态电流额定值16 A RMS在80℃
统一的门极触发电流在三个象限
抗干扰能力强的dV / dt
1500 V / ms最小在125°C
最大限度地减少缓冲网络的保护
工业标准TO- 220AB封装
整流高的di / dt
7.5 A / MS最低在125°C
这些无铅器件
双向可控硅
16安培RMS
600 THRU 800伏
MT2
G
4
MT1
记号
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
重复峰值断态电压(注1 )
(T
J
=
40
至125℃ ,正弦波,
50至60赫兹,门打开)
BTB16600BW3G
BTB16700BW3G
BTB16800BW3G
开启状态RMS电流
(完整周期的正弦波, 60赫兹,T
C
= 80°C)
峰值不重复浪涌电流
(一个完整周期的正弦波, 60赫兹,
T
C
= 25°C)
电路熔断思考( T = 8.3毫秒)
不重复浪涌峰值断态
电压(T
J
= 25 ℃, t为8.3毫秒)
栅极峰值电流(T
J
= 125 ° C,T
20
女士)
平均栅极电源(T
J
= 125°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ,
V
RRM
600
700
800
I
T( RMS )
I
TSM
16
170
A
A
价值
单位
V
1
2
3
TO220AB
CASE 221A
方式4
BTB16xBWG
AYWW
x
A
Y
WW
G
= 6, 7或8的
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
引脚分配
I
2
t
V
DSM /
V
RSM
I
GM
P
G( AV )
T
J
T
英镑
120
V
DSM /
V
RSM
+100
4.0
1.0
40
+125
40
+150
A
2
美国证券交易委员会
V
A
W
°C
°C
1
2
3
4
主终端1
主终端2
主终端2
订购信息
设备
BTB16600BW3G
BTB16700BW3G
BTB16800BW3G
TO220AB
(无铅)
TO220AB
(无铅)
TO220AB
(无铅)
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。闭塞
电压不得与恒定电流源,使得测试
该器件的额定电压都超标。
*有关我们的无铅策略和其他信息
焊接细节,请下载ON Semicon-
导体焊接与安装技术参考
手动, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年5月
第2版
1
出版订单号:
BTB16600BW3/D
BTB16-600BW3G , BTB16-700BW3G , BTB16-800BW3G
热特性
特征
热阻,
结至外壳( AC)
结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
价值
1.9
60
260
单位
° C / W
°C
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上)
特征
开关特性
重复峰值阻断电流
(V
D
=额定V
DRM
, V
RRM
;门打开)
基本特征
峰值通态电压(注2 )
(I
TM
=
±
22.5 A峰值)
门极触发电流(连续直流) (V
D
= 12 V ,R
L
= 30
W)
MT2 ( + )中,G (+)
MT2 ( + )中,G ( - )
MT2 ( - )中,G ( - )
保持电流
(V
D
= 12 V ,门打开,启动电流=
±150
毫安)
擎住电流(V
D
= 12 V,I
G
= 50 mA)的
MT2 ( + )中,G (+)
MT2 ( + )中,G ( - )
MT2 ( - )中,G ( - )
门极触发电压(V
D
= 12 V ,R
L
= 30
W)
MT2 ( + )中,G (+)
MT2 ( + )中,G ( - )
MT2 ( - )中,G ( - )
门非触发电压(T
J
= 125°C)
MT2 ( + )中,G (+)
MT2 ( + )中,G ( - )
MT2 ( - )中,G ( - )
动态特性
变化率换向电流的,见图10 。
(门打开,T
J
= 125°C ,无缓冲)
通态电流临界上升率
(T
J
= 125°C , F = 120赫兹,我
G
= 2×我
GT
, TR
为100 ns)
断态电压临界上升率
(V
D
= 0.66 x垂直
DRM
,指数波形,门打开,T
J
= 125°C)
2.指示脉冲测试:脉冲宽度
2.0毫秒,占空比
2%.
( di / dt的)
c
的di / dt
dv / dt的
7.5
1500
50
A / MS
A / MS
V / ms的
V
TM
I
GT
1.55
V
mA
2.5
2.5
2.5
50
50
50
60
mA
mA
0.5
0.5
0.5
0.2
0.2
0.2
70
90
70
V
1.7
1.1
1.1
V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
DRM
/
I
RRM
mA
0.005
2.0
符号
典型值
最大
单位
I
H
I
L
V
GT
V
GD
http://onsemi.com
2
BTB16-600BW3G , BTB16-700BW3G , BTB16-800BW3G
双向晶闸管电压电流特性
(双向设备)
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值正向关闭状态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
象限3
MainTerminal 2
I
H
V
TM
I
RRM
在V
RRM
在国家
I
H
V
TM
关国
+电压
I
DRM
在V
DRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
(正半周)
+
(+), MT2
(+), MT2
第二象限
() I
GT
MT1
REF
(+) I
GT
MT1
REF
我象限
I
GT
( - ) MT2
( - ) MT2
+ I
GT
第三象限
() I
GT
MT1
REF
(+) I
GT
MT1
REF
MT2负
(负半周)
第四象限
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号(使用标准的AC线)象限I和III被使用。
http://onsemi.com
3
BTB16-600BW3G , BTB16-700BW3G , BTB16-800BW3G
125
120
PAV ,平均功率(瓦)
TC ,外壳温度(
°
C)
115
110
105
100
95
90
85
80
75
70
0
2
6
8
10
12
I
T( RMS )
, RMS通态电流( AMP )
4
14
16
120°
180°
DC
30°
60°
90°
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
30°
0
2
4
6
8
10
12
14
I
T( AV )
,平均通态电流( AMP )
16
60°
90°
180°
120°
DC
图1.典型的RMS电流降额
图2.开启状态功耗
R(T ) ,瞬态热阻(标准化)
100
1
典型的
T
J
= 25°C
最大@ T
J
= 125°C
0.1
I T ,瞬时通态电流( AMP )
10
0.01
0.1
1
10
100
吨,时间( ms)的
1000
1 · 10
4
图4.热响应
55
最大@ T
J
= 25°C
I
H
,保持电流(毫安)
1
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
40 25 10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
T
,瞬时导通电压(V )
4
5
20
35 50
65
80
95 110 125
MT2负
MT2正
0.1
T
J
,结温( ° C)
图3.通态特性
图5.典型的保持电流的变化
http://onsemi.com
4
BTB16-600BW3G , BTB16-700BW3G , BTB16-800BW3G
100
I
GT
,门极触发电压(毫安)
V
D
= 12 V
R
L
= 30
W
Q3
1.8
1.6
1.4
1.2
10
Q1
Q2
1
0.8
0.6
1
40 25 10
Q2
Q3
Q1
V
D
= 12 V
R
L
= 30
W
5
20
35 50
65
80
95 110 125
0.4
40 25 10
5
20
35 50
65
80
95 110 125
T
J
,结温( ° C)
T
J
,结温( ° C)
图6.典型栅极触发电流变化
图7.典型门极触发电压变化
L
L
200 V
RMS
调整
I
TM
, 60赫兹V
AC
TRIGGER
收费
控制
触发控制
措施
I
1N4007
-
+
MT2
1N914 51
W
G
MT1
收费
200 V
非极性
C
L
注:组件值进行验证额定( di / dt的)的
c
。参见AN1048获取更多信息。
图8.简化测试电路来测量整流电流上升的临界速率( di / dt的)
c
http://onsemi.com
5
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BTB16-700BW3G
    -
    -
    -
    -
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
BTB16-700BW3G
ON
16
55177
TO-220
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