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SO
D3
23F
BAT46WJ
单个肖特基势垒二极管
第2版 - 2011年11月8日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
单平面肖特基势垒二极管的集成保护环应力保护，
封装在一个非常小的，扁平引线SOD323F （SC- 90），表面贴装
器件（SMD ）塑料封装。
1.2特点和优点
低正向电压
反向电压V
R
100 V
非常小的，扁平的铅SMD塑料
包
低电容
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
高速开关
线路终端
电压钳位
反极性保护
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
R
V
F
I
R
[1]
快速参考数据
参数
反向电压
正向电压
反向电流
I
F
= 250毫安
V
R
= 75 V
[1]
[1]
条件
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
100
850
4
单位
V
mV
A
脉冲测试：吨
p
300
s;
0.02.
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
1
2
图形符号
1
2
sym001
[1]
标记栏显示的阴极。
恩智浦半导体
BAT46WJ
单个肖特基势垒二极管
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BAT46WJ
SC-90
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
VERSION
SOD323F
类型编号
4.标记
表4 。
BAT46WJ
标记代码
标识代码
JK
类型编号
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
参数
反向电压
正向电流
非重复性峰值
正向电流
总功耗
结温
环境温度
储存温度
条件
民
-
-
最大
100
250
2.5
400
715
150
+150
+150
单位
V
mA
A
mW
mW
C
C
C
方波;
t
p
＆ LT ; 10毫秒
T
AMB
25
C
[1]
-
-
-
-
55
65
[2][4]
[3][4]
T
j
= 25
C
前激增。
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
条件
在自由空气
[1][3]
[2][3]
民
-
-
典型值
-
-
最大
310
175
单位
K / W
K / W
BAT46WJ
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产品数据表
第2版 - 2011年11月8日
2 12
恩智浦半导体
BAT46WJ
单个肖特基势垒二极管
热特性
- 续
参数
从热阻
结点到焊点
条件
[4]
表6 。
符号
R
日（J -SP ）
民
-
典型值
-
最大
35
单位
K / W
[1]
[2]
[3]
[4]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
焊接点阴极标签。
10
3
占空比=
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
0.25
0.1
0.05
10
0.02
0.01
1
0.75
0.5
0.33
0.2
006aac385
0
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图1 。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
006aac386
占空比=
1
0.75
0.5
0.33
0.25
0.1
0.2
10
0.02
0
1
10
5
10
4
0.05
0.01
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4印刷电路板，安装板为阴极1厘米
2
图2 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
BAT46WJ
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第2版 - 2011年11月8日
3 12
恩智浦半导体
BAT46WJ
单个肖特基势垒二极管
7.特点
表7中。
特征
T
AMB
= 25
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安;牛逼
j
=
40 C
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安;吨
j
=
40 C
I
F
= 250毫安
I
R
反向电流
V
R
= 1.5 V
V
R
= 1.5 V ;牛逼
j
= 60
C
V
R
= 10 V
V
R
= 10 V ;牛逼
j
= 60
C
V
R
= 50 V
V
R
= 50 V ;牛逼
j
= 60
C
V
R
= 75 V
V
R
= 75 V ;牛逼
j
= 60
C
V
R
= 100 V
V
R
= 100V ;牛逼
j
= 60
C
V
R
= 100V ;牛逼
j
= 85
C
C
d
二极管电容
F = 1 MHz的
V
R
= 0 V
V
R
= 1 V
t
rr
[1]
[2]
[1]
条件
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
[2]
典型值
175
315
-
415
-
710
0.2
-
0.3
-
0.7
-
1
-
2
-
-
-
-
5.9
最大
200
350
470
475
560
850
0.5
12
0.8
20
2
44
4
80
9
120
600
39
21
-
单位
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
pF
pF
ns
反向恢复时间
脉冲测试：吨
p
300
s;
0.02.
-
从我开机时，
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安。
BAT46WJ
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第2版 - 2011年11月8日
4 12
恩智浦半导体
BAT46WJ
单个肖特基势垒二极管
1
I
F
(A)
10
1
(1)
(2)
006aac387
(3)
(5)
(4)
I
R
(A)
10
3
10
4
10
5
10
2
(1)
006aac388
(2)
(3)
10
2
(4)
(3)
(5)
10
6
10
7
10
8
(4)
10
3
(5)
10
4
0.0
10
9
0.4
0.8
V
F
(V)
1.2
0
20
40
60
80
V
R
(V)
100
(1) T
AMB
= 150
C
(2) T
AMB
= 125
C
(3) T
AMB
= 85
C
(4) T
AMB
= 25
C
(5) T
AMB
=
40 C
(1) T
AMB
= 125
C
(2) T
AMB
= 85
C
(3) T
AMB
= 60
C
(4) T
AMB
= 25
C
(5) T
AMB
=
40 C
图3 。
正向电流为正向功能
电压;典型值
35
C
d
（PF ）
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
图4 。
反向电流反向的函数
电压;典型值
006aac389
60
80
V
R
(V)
100
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
C
图5 。
二极管电容的反向电压的函数;典型值
BAT46WJ
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推荐型号
B32561-J6333-K
B32561J6333K
BTB16-700BW3G
B43896A9685M003
BTS560
B4B-EH-A
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BD778
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