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飞利浦半导体

产品speci fi cation

三象限三端双向可控硅

保证减刑

概述

钝化保证减刑

在一个完整的包三端双向可控硅，塑料封套

用于在电机控制电路中使用

或与其它高电感负载。

这些

器件

平衡

该

需求

of

换相

性能和门的灵敏度。该

"sensitive gate" E系列和"logic level"

D系列旨在与接口

低功耗的驱动程序，包括微

控制器。

BTA212X系列D，E和F

快速参考数据

符号

参数

BTA212X-

BTA212X-

BTA212X-

重复峰值断态

电压

RMS通态电流

非重复性峰值通态

当前

马克斯。

600D

600E

600F

600

12

95

马克斯。

-

800E

800F

800

12

95

单位

V

DRM

I

T（ RMS ）

I

TSM

V

A

A

钉扎 - SOT186A

针

1

2

3

描述

主终端1

引脚配置

例

符号

T2

主终端2

门

1 2 3

T1

孤立的情况下，

G

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。

符号

V

DRM

I

T（ RMS ）

I

TSM

参数

重复峰值断态

电压

RMS通态电流

非重复性峰值

通态电流

全正弦波;

T

hs

≤

56 C

全正弦波;

T

j

前= 25

浪涌

t为20毫秒

T = 16.7毫秒

T = 10毫秒

I

TM

= 20 A;我

G

= 0.2 A;

dI

G

/ DT = 0.2 A / μs的

条件

分钟。

-

-

-600

600

1

12

马克斯。

-800

800

单位

V

A

I

2

t

dI

T

/ DT

I

GM

V

GM

P

GM

P

G（ AV ）

T

英镑

T

j

I

2

吨融合

上升的重复率

通态电流后，

触发

栅极峰值电流

峰值栅极电压

峰值功率门

平均功耗门

储存温度

工作结

温度

-

-

-

95

105

45

100

2

5

5

0.5

150

125

A

A

A

2

s

A / μs的

A

V

W

W

C

C

在任何20毫秒

期

-

-

-

-

-40

-

1

虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅

切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。

2000年2月

1

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

三象限三端双向可控硅

保证减刑

隔离限值&特性

T

hs

= 25 C除非另有说明

符号

V

ISOL

参数

均方根所有隔离电压

三个端子的外部

散热器

条件

BTA212X系列D，E和F

分钟。

-

典型值。

-

马克斯。

2500

单位

V

F = 50-60赫兹;正弦

波形;

相对湿度

≤

65 ％ ;干净无尘

C

ISOL

电容从T2到外部F = 1 MHz的

散热器

-

10

-

pF

热阻

符号

R

日J- HS

R

日J-一

参数

热阻

结到散热器

热阻

结到环境

条件

全额或半周期

与复合散热器

无散热化合物

在自由空气

分钟。

-

-

-

典型值。

-

-

55

马克斯。

4.0

5.5

-

单位

K / W

K / W

K / W

静态特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

I

GT

参数

门极触发电流

2

条件

BTA212X-

V

D

= 12 V ;我

T

= 0.1 A

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

V

D

= 12 V ;我

GT

= 0.1 A

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

V

D

= 12 V ;我

GT

= 0.1 A

I

T

= 17 A

V

D

= 12 V ;我

T

= 0.1 A

V

D

= 400 V ;我

T

= 0.1 A;

T

j

= 125 C

V

D

= V

数字版权管理（最大值）

;

T

j

= 125 C

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.25

-

分钟。

典型值。

...D

1.0

2.2

3.3

6

6

9

3.8

1.3

0.7

0.4

0.1

...D

5

5

5

15

25

25

15

... D， E，F

V

T

V

GT

I

D

通态电压

门极触发电压

断态泄漏电流

1.6

1.5

-

0.5

V

V

V

mA

马克斯。

...E

10

10

10

25

30

30

25

...F

25

25

25

30

40

40

30

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mA

单位

I

L

闭锁电流

I

H

保持电流

2

设备不会在T2- ， G +象限触发。

2000年2月

2

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

三象限三端双向可控硅

保证减刑

动态特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

dV

D

/ DT

参数

的临界上升率

断态电压

变化率的关键

换向电流

变化率的关键

换向电流

条件

BTA212X-

V

DM

= 67% V

数字版权管理（最大值）

;

T

j

= 110℃ ;指数

波形;门敞开着。

电路

V

DM

= 400 V ;牛逼

j

= 110 C;

I

T（ RMS ）

= 12 A;

dV

COM

/ DT = 20V / μs的;门

开路

V

DM

= 400 V ;牛逼

j

= 110 C;

I

T（ RMS ）

= 12 A;

dV

COM

/ DT = 0.1V / μs的;门

开路

...D

20

BTA212X系列D，E和F

分钟。

...E

60

...F

70

典型值。

...D

30

马克斯。

-

单位

V / μs的

dI

COM

/ DT

1.8

3.5

5

3

-

A / MS

dI

COM

/ DT

5

16

19

100

-

A / MS

... D， E，F

t

gt

门控开启

时间

I

TM

= 12 A; V

D

= V

数字版权管理（最大值）

;

I

G

= 0.1 A;的dI

G

/ DT = 5 A / μs的

-

-

-

2

-

s

2000年2月

3

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

三象限三端双向可控硅

保证减刑

BTA212X系列D，E和F

20

P合计/ W

三（最大值） / C

= 180

45

15

IT （ RMS ） / A

BT138X

56 C

65

15

1

120

90

60

10

85

10

30

5

5

105

0

0

5

IT （ RMS ） / A

10

125

15

0

-50

0

50

部份效果/ C

100

150

图1 。最大通态损耗，P

合计

，与有效值

通态电流I

T（ RMS ）

，其中，

α

=导通角。

ITSM / A

图4 。允许的最大均方根电流I

T（ RMS ）

,

与散热器温度T

hs

.

IT （ RMS ） / A

1000

25

20

dI

T

/ dt限制

100

15

10

IT

T

10

10us

我TSM

时间

5

TJ初始= 25℃最高

100us

1ms

T / S

10ms

100ms

0

0.01

0.1

1

浪涌持续时间/秒

10

图2 。允许的最大非重复性峰值

通态电流I

TSM

，与脉冲宽度t

p

为

正弦电流，T

p

≤

20ms.

ITSM / A

IT

80

T

ITSM

时间

图5 。对国家最大允许重复的有效值

电流I

T（ RMS ）

，与持续激增，为正弦

电流， F = 50赫兹;牛逼

hs

≤

56C.

VGT （ TJ ）

VGT （ 25℃ ）

100

1.6

1.4

1.2

1

TJ初始= 25℃最高

60

40

0.8

20

0.6

0.4

-50

0

1

10

100

周期在50Hz数

1000

0

50

TJ / C

100

150

如图3所示。允许的最大非重复性峰值

通态电流I

TSM

，对周期数，对于

正弦电流， F = 50赫兹。

图6 。归一化门极触发电压

V

GT

(T

j

)/ V

GT

（25℃ ），与结温度T

j

.

2000年2月

4

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

三象限三端双向可控硅

保证减刑

BTA212X系列D，E和F

IGT （ TJ ）

IGT(25°C)

3

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

40

IT / A

TJ = 125℃

TJ = 25℃

典型值

最大

2.5

30

VO = 1.175 V

卢比= 0.0316欧姆

2

1.5

20

1

10

0.5

0

-50

0

0

TJ /°C的

50

100

150

0

0.5

1

1.5

VT / V

2

2.5

3

图7 。归一化门极触发电流

I

GT

(T

j

)/ I

GT

（25℃ ），与结温度T

j

.

白细胞介素（ TJ ）

IL （ 25℃ ）

图10 。典型和最大通态特性。

10

第i个J- HS （K / W）

与复合散热器

无散热化合物

3

2.5

2

1.5

1

1

单向

0.1

P

D

tp

双向

0.01

0.5

0

-50

0.001

10us

0.1ms

1ms

10ms

TP /秒

0.1s

1s

t

0

50

TJ / C

100

150

10s

图8 。正常化闭锁电流I

L

(T

j

)/ I

L

(25C),

与结温度T

j

.

IH（ TJ）

IH(25C)

图11 。瞬态热阻抗Z

日J- HS

，与

脉冲宽度t

p

.

DICOM / DT （ A / MS ）

100

F型

E键入

D型

3

2.5

2

10

1.5

1

0.5

0

-50

1

0

50

TJ / C

100

150

20

40

60

80

TJ /°C的

100

120

140

图9 。归一化控股电流I

H

(T

j

)/ I

H

(25C),

与结温度T

j

.

图12 。变化最小典型爆击率

换向电流Di

COM

/ DT与结

温度，DV

COM

/ DT = 20V / μs的。

2000年2月

5

启1.000

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