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分立半导体
数据表
BLF545
超高频推挽功率MOS
晶体管
产品speci fi cation
1992年10月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频推挽功率MOS晶体管
特点
高功率增益
简单的电源控制
良好的热稳定性
黄金金属确保
卓越的可靠性
专为宽带运营。
描述
硅N沟道增强
模式的垂直D- MOS推挽
晶体管设计
通信发射机
在UHF频率的应用
范围内。
该晶体管被封装在一个
4引脚， SOT268平衡法兰
包络线，用两个陶瓷帽。该
安装法兰提供
为共源极连接
晶体管。
钉扎 - SOT268
针
1
2
3
4
5
描述
排水1
门1
门2
排水2
来源
2
顶视图
3
手册， halfpage
1
BLF545
引脚配置
4
d
g
s
g
5
d
MAM395
Fig.1简化外形和符号。
小心
该器件采用防静电包装中提供。栅源输入必须
运输和装卸过程中加以保护，防止静电。
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全规定
该氧化铍盘不被损坏。所有的人谁处理，使用或处置
本产品应该知道它的性质和所需的安全性的
预防措施。使用后，处理为根据化学品或特殊废物
规定施加于用户的位置。它绝不能丢
用一般的或生活垃圾。
快速参考数据
射频性能在T
h
= 25
°C
在推挽式共源极电路。
操作模式
CW ， B类
f
（兆赫）
500
V
DS
(V)
28
P
L
(W)
40
G
P
（ dB）的
＆ GT ;
11
η
D
(%)
＆ GT ;
50
1992年10月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频推挽功率MOS晶体管
极限值
按照绝对最大系统（IEC 134）。
每个晶体管部分，除非另有规定ED 。
符号
V
DS
±V
GS
I
D
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
总功耗
储存温度
结温
条件
最多至T
mb
= 25
°C;
总的设备;
这两部分同样装
65
分钟。
BLF545
马克斯。
65
20
3.5
92
150
200
单位
V
V
A
W
°C
°C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日MB -H
参数
热阻结到
安装底座
从安装热阻
底座到散热片
条件
总的设备;这两部分同样
装
总的设备;这两部分同样
装
热
阻力
1.9 K / W
0.25 K / W
手册， halfpage
10
2
MRA995
手册， halfpage
120
MBK463
ID
(A)
P合计
(W)
80
(1)
(2)
(1)
10
(2)
40
1
1
10
VDS （ V）
10
2
0
0
40
80
120
日（
°C)
160
（1）当前在此区域可以由R限于
DS （ ON）
.
(2) T
mb
= 25
°C.
总的设备;这两部分同样装载。
（1）不匹配时短时操作。
（ 2 ）连续运行。
总的设备;这两部分同样装载。
图2 DC飙升。
图3电源/温度降额曲线。
1992年10月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频推挽功率MOS晶体管
（每节）特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
g
fs
R
DS （ ON）
I
DSX
C
is
C
os
C
rs
参数
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
门源阈值电压
正向跨导
漏源导通电阻
通态漏电流
输入电容
输出电容
反馈电容
条件
V
GS
= 0; I
D
= 10毫安
V
GS
= 0; V
DS
= 28 V
±V
GS
= 20 V; V
DS
= 0
I
D
= 40毫安; V
DS
= 10 V
I
D
= 1.2 A; V
DS
= 10 V
I
D
= 1.2 A; V
GS
= 10 V
V
GS
= 15 V; V
DS
= 10 V
V
GS
= 0; V
DS
= 28 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
= 28 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
= 28 V ; F = 1 MHz的
分钟。
65
1
600
BLF545
典型值。马克斯。单位
900
0.85
4.8
32
24
6.4
1
1
4
1.25
V
mA
A
V
mS
A
pF
pF
pF
手册， halfpage
4
MDA504
手册， halfpage
6
MDA505
T.C
（毫伏/ K）的
2
ID
(A)
4
0
2
2
4
10
2
10
1
0
1
ID （ A）
10
0
5
10
15
VGS （ V）
20
V
DS
= 10 V.
V
DS
= 10 V ;牛逼
j
= 25
°C.
Fig.4
栅 - 源温度COEF网络cient
电压为漏极电流的函数，
每节的典型值。
Fig.5
漏电流的栅源极间的函数
电压，每节的典型值。
1992年10月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频推挽功率MOS晶体管
BLF545
手册， halfpage
2
MDA506
手册， halfpage
RDSON
()
1.6
100
C
（PF ）
80
MDA507
1.2
60
0.8
40
CIS
COS
0.4
20
0
0
I
D
= 1.2 A; V
GS
= 10 V.
50
100
TJ （ ° C）
150
0
0
V
GS
= 0; F = 1兆赫。
10
20
VDS （ V）
30
Fig.6
漏极 - 源极导通电阻为
结温度的函数，典型
每节值。
Fig.7
输入和输出电容的功能
漏极 - 源极电压，典型值每
部分。
手册， halfpage
40
MDA508
CRS
（PF ）
30
20
10
0
0
10
20
VDS （ V）
30
V
GS
= 0; F = 1兆赫。
Fig.8
反馈电容的一个函数
漏极 - 源极电压，每典型值
部分。
1992年10月
5
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