BTA2008 D系列和E
0.8三象限三端双向可控硅整流高
版本01 - 2008年1月18日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
钝化,保证减刑,在SOT54塑料包装敏感栅三端双向可控硅
1.2产品特点
I
保证换向性能
在每个门的灵敏度
I
敏感栅
I
轻松连接低功率驱动器
包括微控制器
1.3应用
I
电机控制
I
螺线管驱动器
1.4快速参考数据
I
I
I
I
I
V
DRM
≤
600 V ( BTA2008-600D )
V
DRM
≤
600 V ( BTA2008-600E )
V
DRM
≤
800 V ( BTA2008-800D )
V
DRM
≤
800 V ( BTA2008-800E )
I
TSM
≤
9 A( t为20毫秒)
I
I
I
I
I
I
GT
≤
5毫安( BTA2008-600D )
I
GT
≤
5毫安( BTA2008-800D )
I
GT
≤
10毫安( BTA2008-600E )
I
GT
≤
10毫安( BTA2008-800E )
I
T( RMS )
≤
0.8 A
2.管脚信息
表1中。
针
1
2
3
钉扎
描述
主终端2 (T2)的
栅极(G )
主终端1 (T1)的
T2
sym051
简化的轮廓
图形符号
T1
G
321
SOT54 ( TO-92 )
恩智浦半导体
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3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
BTA2008-600D
BTA2008-600E
BTA2008-800D
BTA2008-800E
TO-92
描述
塑料单端含铅(通孔)包; 3引线
VERSION
SOT54
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
参数
重复峰值断态电压
RMS通态电流
通态电流非重复性峰值
条件
BTA2008-600D ; BTA2008-600E
BTA2008-800D ; BTA2008-800E
全正弦波;牛逼
领导
≤
70
°C;
SEE
图4
和
5
全正弦波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;看
图2
和
3
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
P
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
j
[1]
[1]
民
-
-
-
最大
600
800
0.8
单位
V
V
A
-
-
-
-
-
-
9
9.9
0.41
100
1
5
0.1
+150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
W
W
°C
°C
I
2
吨融合
率通态电流上升
栅极峰值电流
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
t
p
= 10毫秒
I
TM
= 1.5 A;我
G
能力= 20 mA ;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
在任何20毫秒期
-
40
-
尽管不推荐,断开状态电压高达800V,可以在不损坏被应用,但双向可控硅可切换到导通状态。该
电流上升率应不超过6 A / s 。
BTA2008_SER_D_E_1
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1.0
P
合计
(W)
0.8
003aac118
传导
角
(度)
30
60
90
120
180
形式
因素
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
α
= 180°
120°
90°
α
60°
30°
0.6
0.4
0.2
0.0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
I
T( RMS )
(A)
0.9
α
=导通角
图1 。
总功耗为通态电流有效值的功能;最大值
003aac116
12
I
TSM
(A)
8
4
I
T
I
TSM
t
1/f
T
J(下INIT )
= 25
°C
最大
0
1
10
10
2
周期数
10
3
F = 50赫兹
图2 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
BTA2008_SER_D_E_1
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