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N沟道功率MOSFET
OptiMOS
BSB012NE2LX
数据表
2.0, 2011-03-18
最终科幻
工业&多元化
的OptiMOS 功率MOSFET
BSB012NE2LX
1
描述
的OptiMOS 25V产品业内领先的功率MOSFET的最大功率
密度和高能效的解决方案。超低栅极电荷输出在一起
用最低的通态电阻小尺寸封装的OptiMOS做出 25V
对于稳压器解决方案的苛刻要求的最佳选择
服务器,数据通信和电信应用。超快速开关控制场效应管
连同低EMI同步的FET提供解决方案,易于设计英寸
的OptiMOS 产品是高性能包处理提供您的
最具挑战性的应用,充分灵活地优化空间效率
和成本。的OptiMOS 产品的设计,以满足和超越的能量
锋利下一代的效率和功率密度的要求
在计算应用中电压调节标准
特点
适合用于高性能降压转换器
100%的雪崩测试
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
优越的耐热性
无铅电镀;符合RoHS标准
根据IEC61249-2-21的无卤素
Double.sided降温
兼容的DirectFET封装MX占位面积和轮廓
2)
100 %通过Rg测试
低寄生电感
薄型( <0.7毫米)
应用
板载电源服务器
同治功率为高性能计算
同步整流
负载转换器的功率密度高点
主要性能参数
价值
25
1.2
170
35
67
单位
V
A
nC
相关链接
IFX的OptiMOS网页
IFX的OptiMOS产品简介
IFX的OptiMOS SPICE模型
IFX设计工具
表1
参数
V
DS
R
DS ( ON) ,最大
I
D
Q
OSS
Q
g
.
典型值
TYPE
BSB012NE2LX
MG-WDSON-2
记号
01E2
1 ) J- STD20和JESD22
2 ) CanPAK采用国际整流器公司授权的DirectFET 技术。的DirectFET 是注册
商标国际整流器公司。
最终数据手册
1
2.0, 2011-03-18
的OptiMOS 功率MOSFET
BSB012NE2LX
2
最大额定值
at
T
j
= 25℃,除非另有规定。
表2
参数
连续漏电流
最大额定值
符号
分钟。
I
D
-
-
-
漏电流脉冲
1)
雪崩电流,单脉冲
2)
雪崩能量,单脉冲
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1 )参见图3详细信息
2 )参见图13更详细的信息
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
170
107
37
400
40
240
20
57
2.8
150
单位
A
注/测试条件
V
GS
=10 V,
T
C
=25 °C
V
GS
=10 V,
T
C
=100 °C
V
GS
=10 V,
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 45 K / W )
T
C
=25 °C
I
D,脉冲
I
AS
E
AS
V
GS
P
合计
T
j
,T
英镑
-
-
-
-20
-
-
-40
mJ
V
W
°C
I
D
= 40 A,R
GS
=25
Ω
T
C
=25 °C
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 45 K / W
55/150/56
3
表3
参数
热特性
热特性
符号
分钟。
-
-
-
典型值。
1.0
-
-
马克斯。
-
2.2
45
°K / W
单位
注意: /
测试条件
底部
顶部
6厘米
2
散热面积
1)
热阻,结 - 案
R
thJC
器件在PCB上
R
thJA
1) 40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6平方厘米(一层, 70μ ,厚)铜区排水连接错误的设备。
PCB是垂直的静止空气中。
最终数据手册
2
2.0, 2011-03-18
的OptiMOS 功率MOSFET
BSB012NE2LX
电气特性
4
电气特性
电气特性,在
T
J = 25 ℃,除非另有规定。
表4
参数
静态特性
符号
分钟。
漏源击穿电压
V
( BR ) DSS
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
25
1
-
-
栅极 - 源极漏电流
-
-
0.1
10
10
1.25
1
0.55
180
典型值。
马克斯。
-
2.2
10
100
100
1.6
1.2
-
-
Ω
S
|V
DS
|>2|I
D
|
RDS(ON) MAX
,
I
D
=30 A
nA
A
V
单位
注/测试条件
V
GS
=0 V,
I
D
= 1.0毫安
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=250 A
V
DS
=25 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=25 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=25A
V
GS
=10 V,
I
D
=30 A
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
-
-
-
-
90
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
栅极电阻
R
G
g
fs
表5
参数
动态特性
符号
分钟。
典型值。
4900
1700
190
5.7
6
34
4.6
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
ns
pF
-
-
-
-
-
-
-
单位
注意: /
测试条件
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
=0 V,
V
DS
=12 V,
f
= 1兆赫
V
DD
=12V,
V
GS
=10 V,
I
D
=30 A,
R
G
= 1.6
Ω
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
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3
2.0, 2011-03-18
的OptiMOS 功率MOSFET
BSB012NE2LX
电气特性
表6
参数
栅极电荷特性
1)
符号
分钟。
典型值。
12
7.9
7.2
11
32
2.4
67
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
V
nC
nC
-
-
-
-
-
-
-
单位
注意: /
测试条件
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
栅极电荷总量
Q
gs
Q
G( TH )
Q
gd
Q
sw
V
DD
=12 V,
I
D
=30 A,
V
GS
= 0 4.5 V
Q
g
V
高原
Q
g
V
DD
=12 V,
I
D
=30 A,
V
GS
= 0至10V
V
DS
=0.1 V,
V
GS
= 0 4.5 V
V
DD
=12 V,
V
GS
=0 V
栅极电荷总量,同步。 FET
输出充电
Q
G(同步)
Q
OSS
-
-
28
35
-
-
1 )参见图16栅极电荷参数定义
表7
参数
反向二极管特性
符号
分钟。
I
s
I
S,脉冲
-
-
-
-
-
-
0.8
20
典型值。
马克斯。
57
228
1
-
V
nC
A
单位
注意: /
测试条件
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复电荷
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=30 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=I
s
,
d
i
F
/d
t
= 400 A / μs的
V
SD
Q
rr
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4
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    BSB012NE2LX
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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2417+
11860
WDSON-2-3
代理Infineon Technologies专营,原装现货优势
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电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
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24+
5000
3-WDSON
原装正品现货
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24+
8000
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100%原装正品,只做原装正品
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Infineon Technologies
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10000
MG-WDSON-2,CanPAK M?
原厂一级代理,原装现货
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23000
QFN
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BSB012NE2LX
INFINEON/英飞凌
24+
12300
MG-WDSON-2
全新原装现货,原厂代理。
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INFINEON/英飞凌
21+22+
27000
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原装正品
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