的OptiMOS 功率MOSFET
BSB012NE2LX
1
描述
的OptiMOS 25V产品业内领先的功率MOSFET的最大功率
密度和高能效的解决方案。超低栅极电荷输出在一起
用最低的通态电阻小尺寸封装的OptiMOS做出 25V
对于稳压器解决方案的苛刻要求的最佳选择
服务器,数据通信和电信应用。超快速开关控制场效应管
连同低EMI同步的FET提供解决方案,易于设计英寸
的OptiMOS 产品是高性能包处理提供您的
最具挑战性的应用,充分灵活地优化空间效率
和成本。的OptiMOS 产品的设计,以满足和超越的能量
锋利下一代的效率和功率密度的要求
在计算应用中电压调节标准
特点
适合用于高性能降压转换器
100%的雪崩测试
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
优越的耐热性
无铅电镀;符合RoHS标准
根据IEC61249-2-21的无卤素
Double.sided降温
兼容的DirectFET封装MX占位面积和轮廓
2)
100 %通过Rg测试
低寄生电感
薄型( <0.7毫米)
应用
板载电源服务器
同治功率为高性能计算
同步整流
负载转换器的功率密度高点
主要性能参数
价值
25
1.2
170
35
67
单位
V
mΩ
A
nC
相关链接
IFX的OptiMOS网页
IFX的OptiMOS产品简介
IFX的OptiMOS SPICE模型
IFX设计工具
表1
参数
V
DS
R
DS ( ON) ,最大
I
D
Q
OSS
Q
g
.
典型值
TYPE
BSB012NE2LX
包
MG-WDSON-2
记号
01E2
1 ) J- STD20和JESD22
2 ) CanPAK采用国际整流器公司授权的DirectFET 技术。的DirectFET 是注册
商标国际整流器公司。
最终数据手册
1
2.0, 2011-03-18
的OptiMOS 功率MOSFET
BSB012NE2LX
2
最大额定值
at
T
j
= 25℃,除非另有规定。
表2
参数
连续漏电流
最大额定值
符号
分钟。
I
D
-
-
-
漏电流脉冲
1)
雪崩电流,单脉冲
2)
雪崩能量,单脉冲
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1 )参见图3详细信息
2 )参见图13更详细的信息
值
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
170
107
37
400
40
240
20
57
2.8
150
单位
A
注/测试条件
V
GS
=10 V,
T
C
=25 °C
V
GS
=10 V,
T
C
=100 °C
V
GS
=10 V,
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 45 K / W )
T
C
=25 °C
I
D,脉冲
I
AS
E
AS
V
GS
P
合计
T
j
,T
英镑
-
-
-
-20
-
-
-40
mJ
V
W
°C
I
D
= 40 A,R
GS
=25
Ω
T
C
=25 °C
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 45 K / W
55/150/56
3
表3
参数
热特性
热特性
符号
分钟。
-
-
-
值
典型值。
1.0
-
-
马克斯。
-
2.2
45
°K / W
单位
注意: /
测试条件
底部
顶部
6厘米
2
散热面积
1)
热阻,结 - 案
R
thJC
器件在PCB上
R
thJA
1) 40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6平方厘米(一层, 70μ ,厚)铜区排水连接错误的设备。
PCB是垂直的静止空气中。
最终数据手册
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2.0, 2011-03-18