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飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
敏感栅
概述
玻璃钝化，敏感栅
在一个塑料外壳晶闸管
拟用于一般用途
开关
和
相
控制
应用程序。
BTA151系列
快速参考数据
符号
V
DRM
,
V
RRM
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
BTA151-
重复峰值断态
电压
平均通态电流
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
500R
500
7.5
12
100
650R
650
7.5
12
100
800R
800
7.5
12
100
V
A
A
A
钉扎 - SOT82
针
1
2
3
TAB
描述
阴极
阳极
门
阳极
引脚配置
符号
a
k
1
2
3
g
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
参数
条件
分钟。
-
半正弦波;牛逼
mb
≤
109 C
所有的导通角
半正弦波;牛逼
j
前= 25
浪涌
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 50毫安;
dI
G
/ DT = 50毫安/微秒
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
马克斯。
-500R -650R -800R
500
1
650
1
800
7.5
12
100
110
50
50
2
5
12
5
0.5
150
125
单位
V
A
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
V
W
W
C
C
V
DRM
, V
RRM
重复峰值断态
电压
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
平均通态电流
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
V
RGM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
在任何20毫秒期
储存温度
工作结
温度
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可能晶闸管
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1997年9月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
敏感栅
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
分钟。
-
-
BTA151系列
典型值。
-
60
马克斯。
1.3
-
单位
K / W
K / W
热阻
结到安装基座
热阻
在自由空气
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
I
L
I
H
V
T
V
GT
I
D
, I
R
参数
门极触发电流
闭锁电流
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
条件
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 23 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; I
T
= 0.1 A;牛逼
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; V
R
= V
RRM （最大）
; T
j
= 125 C
分钟。
-
-
-
-
-
0.25
-
典型值。
2
10
7
1.4
0.6
0.4
0.1
马克斯。
4
40
16
1.75
1.5
-
0.5
单位
mA
mA
mA
V
V
V
mA
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
参数
的临界上升率
断态电压
门控开启
时间
换向电路
打开-O FF时间
条件
V
D
= 67% V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 125 C;
指数波形
门开路
R
GK
= 100
I
TM
= 40 A; V
D
= V
DRM
; I
G
= 0.1 A;
dI
G
/ DT = 5 A / μs的
V
D
= 67% V
数字版权管理（最大值）
; I
TM
= 20 A; V
R
= 25 V;
dI
TM
/ DT = 30 A / μs的;的dV
D
/ DT = 50 V / μs的;
R
GK
= 100
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
t
gt
t
q
50
200
-
-
130
1000
2
70
-
-
-
-
V / μs的
V / μs的
s
s
1997年9月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
敏感栅
BTA151系列
15
P合计/ W
传导
角
度
30
60
90
120
180
形式
因素
BT151
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
TMB （最大值） / C
a = 1.57
2.2
1.9
105.5
120
100
ITSM / A
BT151
IT
ITSM
10
2.8
4
112
80
60
时间
T
TJ初始= 25℃最高
5
118.5
40
20
0
0
1
2
3
4
5
IT （ AV ） / A
6
7
125
8
0
1
10
100
半周期在50Hz数
1000
图1 。最大通态损耗，P
合计
，与
平均通态电流I
T（ AV ）
，其中，
A =外形= I
T（ RMS ）
/ I
T（ AV ）
.
BT151
图4 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，对周期数，对于
正弦电流， F = 50赫兹。
1000
ITSM / A
25
IT （ RMS ） / A
BT151
20
dI
T
/ dt限制
100
15
10
IT
T
我TSM
时间
5
TJ初始= 25℃最高
10
10us
100us
T / S
1ms
10ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，与脉冲宽度t
p
为
正弦电流，T
p
≤
10ms.
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T（ RMS ）
，与持续激增，为正弦
电流， F = 50赫兹;牛逼
mb
≤
109C.
VGT （ TJ ）
VGT （ 25℃ ）
15
IT （ RMS ） / A
BT151
1.6
109 C
BT151
1.4
1.2
1
10
5
0.8
0.6
0
-50
0
50
TMB / C
100
150
0.4
-50
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大均方根电流I
T（ RMS ）
,
与安装基座温度T
mb
.
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
1997年9月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
敏感栅
BTA151系列
3
2.5
2
1.5
1
0.5
IGT （ TJ ）
IGT （ 25℃ ）
BT151
30
25
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
VO = 1.06 V
卢比= 0.0304欧姆
BT151
20
15
10
5
0
典型值
最大
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
0
0.5
1
VT / V
1.5
2
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
白细胞介素（ TJ ）
IL （ 25℃ ）
图10 。典型和最大通态特性。
3
2.5
2
1.5
1
BT145
10
第i个J- MB （K / W）
BT151
1
0.1
P
D
tp
0.01
0.5
0
-50
0.001
10us
0.1ms
1ms
10ms
TP /秒
0.1s
1s
t
0
50
TJ / C
100
150
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
.
IH（ TJ）
IH （ 25℃ ）
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- MB
，与
脉冲宽度t
p
.
DVD / DT （V /美国）
3
2.5
BT151
10000
1000
2
RGK = 100欧姆
1.5
1
0.5
0
-50
10
100
门开路
0
50
TJ / C
100
150
0
50
TJ / C
100
150
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
.
图12 。断态电压上升的典型，爆击率，
dV
D
/ DT与结温度T
j
.
1997年9月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
敏感栅
机械数据
尺寸（mm）
净重： 0.8克
BTA151系列
MOUNTING
BASE
2.8
2.3
7.8
最大
3.75
3.1
2.5
11.1
最大
1)
2.54
最大
1.2
15.3
民
1
4.58
0.5
2
3
2.29
1 ）在该引脚尺寸
区不受控制。
0.88
最大
图13 。 SOT82 ; 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装的SOT82信封的说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1997年9月
5
启1.200
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