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飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
概述
双通道,低泄漏,铂屏障,
肖特基整流二极管全包
塑料外壳,具有低
正向电压降,由于没有
存储电荷。并保证
反向浪涌能力。该器件
旨在用于在切换模式下使用
电源和高频
一般电路中低
传导和开关损耗为零
是重要的。
BYV133F系列
快速参考数据
符号
V
RRM
V
F
I
O( AV )
参数
BYV133F-
反向重复峰值
电压
正向电压
平均输出电流
(两个二极管导通)
马克斯。
35
35
0.60
20
马克斯。
40
40
0.60
20
马克斯。
45
45
0.60
20
单位
V
V
A
钉扎 - SOT186
1
2
3
描述
阳极1的(a )
阴极( K)
阳极2的(a )
引脚配置
符号
a1
1
k2
1 2 3
a2
3
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )的限制值。
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O( AV )
I
O( RMS)
I
FRM
I
FSM
参数
条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-35
35
35
35
马克斯。
-40
40
40
40
20
20
20
100
110
-45
45
45
45
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
反向重复峰值电压
峰值反向工作电压
连续反向电压
T
hs
112 C
平均输出电流(均
二极管导通)
RMS输出电流(均
二极管导通)
重复峰值正向电流
每二极管
非重复性峰值正向
目前,每个二极管
方波;
δ
= 0.5;
T
hs
61 C
I
2
t
I
RRM
I
RSM
T
英镑
T
j
t = 25
s; δ
= 0.5;
T
hs
61 C
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
正弦牛逼
j
前= 125℃
暴涨;与重新申请
V
RRM (最大)
2
我吨融合
T = 10毫秒
反向重复峰值电流T
p
= 2
s; δ
= 0.001
每个二极管。
非重复性峰值反向
t
p
= 100
s
目前每二极管。
储存温度
工作结温
-
-
-
-65
-
50
1
1
175
150
A
2
s
A
A
C
C
1996年8月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
所有重复峰值电压
三个端子的外部
散热器
条件
相对湿度
65 % ;干净无尘
分钟。
-
BYV133F系列
典型值。
马克斯。
1500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
12
-
pF
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
热阻结到
散热器
热阻结到
环境
条件
每二极管
两个二极管
(带散热片化合物)
在自由空气中。
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
55
马克斯。
6
5
-
单位
K / W
K / W
K / W
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
V
F
I
R
C
d
参数
正向电压(每二极管)
反向电流(每二极管)
结电容(每
二极管)
条件
I
F
= 7 A;牛逼
j
= 150C
I
F
= 20 A
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
; T
j
= 125 C
F = 1MHz的; V
R
= 5V ;牛逼
j
= 25
125 C
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
0.55
0.88
50
4
300
马克斯。
0.60
0.94
100
15
-
单位
V
V
A
mA
pF
1996年8月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
BYV133F系列
12
10
PF / W
VO = 0.4460 V
卢比= 0.0220欧姆
BYV133
三(最大值) / C
D = 1.0
78
90
100
10
IR / MA
BYV133
0.5
8
0.1
6
4
2
T
t
t
p
T
150 C
125 C
0.2
102
114
126
138
150
15
1
100 C
0.1
0.01
I
t
p
D=
75 C
TJ = 50℃
0
25
VR / V
50
0
0
5
IF ( AV ) / A
10
图1 。最大正向功耗P
F
= F(我
F( AV )
)元
二极管;方电流波形,其中
I
F( AV )
=I
F( RMS )
x
D.
PF / W
VO = 0.446 V
卢比= 0.022欧姆
图4 。每个二极管的典型反向漏电流;
I
R
= F(V
R
) ;参数T
j
9
8
7
BYV133
1.9
2.2
4
2.8
三(最大值) / C
96
102
1000
CD / PF
BYV133
a = 1.57
108
114
120
126
132
138
144
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
IF ( AV ) / A
7
8
9
100
150
10
10
1
10
VR / V
100
图2 。最大正向功耗P
F
= F(我
F( AV )
)元
二极管;正弦电流波形,其中A =形式
系数= I
F( RMS )
/ I
F( AV )
.
IF / A
TJ = 25℃
TJ = 150℃
40
BYV133
图5 。每二极管的典型结电容;
C
d
= F(V
R
) ; F = 1兆赫;牛逼
j
= 25℃至125℃ 。
50
第i个J- HS (K / W)
10
1
30
典型值
20
最大
0.1
10
P
D
t
p
t
0
0
0.2
0.4
0.6
VF / V
0.8
1
1.2
1.4
0.01
10us
1ms
TP (多个)
0.1s
10s
如图3所示。典型和最大正向特性
I
F
= F(V
F
) ;参数T
j
图6 。瞬态热阻抗;每个二极管;
Z
日J- HS
= F (T
p
).
1996年8月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
机械数据
尺寸(mm)
净重: 2克
BYV133F系列
10.2
最大
5.7
最大
3.2
3.0
0.9
0.5
4.4
最大
2.9最大
4.4
4.0
7.9
7.5
17
最大
座位
飞机
3.5最大
不镀锡
4.4
13.5
1
0.4
M
2
3
0.9
0.7
2.54
5.08
顶视图
1.3
0.55最大
图7 。 SOT186 ;飞机座位是所有终端电气隔离。
笔记
1.请参考F-信封包安装说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1996年8月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
产品speci fi cation
极限值
BYV133F系列
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
初步规格此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
限制值以符合绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。应力大于1
以上的限制,可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只和
该器件在这些或高于任何其他条件的特点,部分给定的操作
本规范是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出,它是咨询,并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
飞利浦电子公司1996年N.V。
保留所有权利。严禁复制全部或部分未经事先书面同意
著作权人。
本文档不构成任何报价或合同的一部分中提供的信息,它被认为是
准确和可靠的,没有通知可以被改变。无责任将由出版商对任何被接受
因此它的使用。发布本文件并不表示(或暗示)专利或其他任何许可
工业或知识产权。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统,其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险,并同意完全赔偿飞利浦造成的任何损坏
从这样的不当使用或销售。
1996年8月
5
启1.100
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