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飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
逻辑电平
概述
玻璃钝化,敏感栅
在一个塑料外壳晶闸管
拟用于一般用途
开关
控制
应用程序。这些设备是
打算直接与
微控制器,逻辑综合
电路及低功率门
触发电路。
BT150系列
快速参考数据
符号
V
DRM
,
V
RRM
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
TSM
参数
BT150-
重复峰值断态
电压
平均通态电流
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
500R
500
2.5
4
35
600R
600
2.5
4
35
800R
800
2.5
4
35
V
A
A
A
钉扎 - TO220AB
1
2
3
TAB
描述
阴极
阳极
阳极
引脚配置
TAB
符号
a
k
1 23
g
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )的限制值。
符号
参数
条件
分钟。
-
半正弦波;牛逼
mb
113 C
所有的导通角
半正弦波;牛逼
j
前= 25
浪涌
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 10 A;我
G
= 50毫安;
dI
G
/ DT = 50毫安/微秒
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
马克斯。
-500R -600R -800R
500
1
600
1
800
2.5
4
35
38
6.1
50
2
5
5
5
0.5
150
125
2
单位
V
A
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
V
W
W
C
C
V
DRM
, V
RRM
重复峰值断态
电压
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
TSM
平均通态电流
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
V
RGM
P
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后,
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
在任何20毫秒期
储存温度
工作结
温度
1
虽然不建议,断态电压高达800V可在不损伤被应用,但可能晶闸管
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
2
注:操作上述110C可能需要使用一个门来为1kΩ或更小的阴极电阻。
1997年10月
1
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
逻辑电平
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
分钟。
-
-
BT150系列
典型值。
-
60
马克斯。
2.5
-
单位
K / W
K / W
热阻
结到安装基座
热阻
在自由空气
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
I
L
I
H
V
T
V
GT
I
D
, I
R
参数
门极触发电流
闭锁电流
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
条件
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 5 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= V
数字版权管理(最大值)
; I
T
= 0.1 A;牛逼
j
= 110 C
V
D
= V
数字版权管理(最大值)
; V
R
= V
RRM (最大)
; T
j
= 125 C
分钟。
-
-
-
-
-
0.1
-
典型值。
15
0.17
0.10
1.23
0.4
0.2
0.1
马克斯。
200
10
6
1.8
1.5
-
0.5
单位
A
mA
mA
V
V
V
mA
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
t
gt
t
q
参数
的临界上升率
断态电压
门控开启
时间
换向电路
打开-O FF时间
条件
V
DM
= 67% V
数字版权管理(最大值)
; T
j
= 125 C;
指数波形;
GK
= 100
I
TM
= 10 A; V
D
= V
数字版权管理(最大值)
; I
G
= 5毫安;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
V
D
= 67% V
数字版权管理(最大值)
; T
j
= 125 ℃;我
TM
= 8 A;
V
R
= 10 V ;的dI
TM
/ DT = 10 A / μs的;
dV
D
/ DT = 2 V / μs的;
GK
= 1 k
分钟。
-
-
-
典型值。
50
2
100
马克斯。
-
-
-
单位
V / μs的
s
s
1997年10月
2
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
逻辑电平
BT150系列
6
5
4
3
2
1
0
P合计/ W
传导
30
60
90
120
180
形式
因素
BT148
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
TMB (最大值) / C
ITSM / A
110
112.5
40
IT
我TSM
T
时间
1.9
2.2
2.8
4
a = 1.57
115
117.5
120
30
TJ初始= 25℃最高
20
10
122.5
125
3
0
0.5
1
1.5
IF ( AV ) / A
2
2.5
0
1
10
100
半周期在50Hz数
1000
图1 。最大通态损耗,P
合计
,与
平均通态电流I
T( AV )
,其中,
A =外形= I
T( RMS )
/ I
T( AV )
.
BT148
图4 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
,对周期数,对于
正弦电流, F = 50赫兹。
1000 ITSM / A
12
10
8
IT ( RMS ) / A
BT150
dI
T
/ dt限制
100
ITSM
6
4
2
0
0.01
IT
时间
T
TJ初始= 25℃最高
10
10us
100us
T / S
1ms
10ms
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
,与脉冲宽度t
p
正弦电流,T
p
10ms.
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T( RMS )
,与持续激增,为正弦
电流, F = 50赫兹;牛逼
mb
113C.
VGT ( TJ )
VGT ( 25℃ )
5
IT ( RMS ) / A
BT148
1.6
113 C
BT151
4
1.4
1.2
1
3
2
0.8
1
0.6
0
50
TMB / C
100
150
0
-50
0.4
-50
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大均方根电流I
T( RMS )
,
与安装基座温度T
mb
.
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
(25℃ ) ,与结温度T
j
.
1997年10月
3
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
逻辑电平
BT150系列
3
2.5
2
1.5
1
0.5
IGT ( TJ )
IGT ( 25℃ )
BT148
12
10
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
VO = 1.26 V
卢比= 0.099欧姆
BT148
典型值
最大
8
6
4
2
0
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
0
0.5
1
1.5
VT / V
2
2.5
3
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
(25℃ ) ,与结温度T
j
.
白细胞介素( TJ )
IL ( 25℃ )
图10 。典型和最大通态特性。
3
2.5
BT145
10
第i个J- MB (K / W)
BT148
1
2
1.5
1
0.5
0
-50
0.01
10us
0.1ms
1ms
10ms
TP /秒
0.1s
1s
0.1
P
D
tp
t
0
50
TJ / C
100
150
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
.
IH( TJ)
IH ( 25℃ )
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- MB
,与
脉冲宽度t
p
.
DVD / DT (V /美国)
3
2.5
2
1.5
1
0.5
BT145
1000
RGK = 100欧姆
100
10
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
1
0
50
TJ / C
100
150
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
.
图12 。断态电压上升的典型,爆击率,
dV
D
/ DT与结温度T
j
.
1997年10月
4
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
逻辑电平
机械数据
尺寸(mm)
净重: 2克
BT150系列
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值(3×)
0,6
2,4
图13 。 TO220AB ; 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装用于TO220信封的说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1997年10月
5
启1.300
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    BT150-600R
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