BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
32K ×8位
描述
BS62LV2565
宽的Vcc工作电压： 4.5V 5.5V
极低的功耗：
VCC = 5.0V C-等级： 35毫安（最大）工作电流
I-等级： 40毫安（最大）工作电流
0.4uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-55
55ns （最大值） = 5.0V
-70
70ns的（最大） = 5.0V
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展CE和OE选项
该BS62LV2565是一款高性能，低功耗CMOS
由8位， 32768个词语的静态随机存取存储器
而工作在广泛的4.5V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
在5V工作55ns的0.4uA和最大访问时间。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态
输出驱动器。
该BS62LV2565具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV2565可在JEDEC标准的28引脚
330mil塑料SOP ， 300MIL塑料SOJ ， 600mil塑料DIP和
8mmx13.4mm TSOP （普通型） 。
产品系列
产品
家庭
BS62LV2565SC
BS62LV2565TC
BS62LV2565PC
BS62LV2565JC
BS62LV2565DC
BS62LV2565SI
BS62LV2565TI
BS62LV2565PI
BS62LV2565JI
BS62LV2565DI
操作
温度
VCC
范围
速度
（纳秒）
Vcc=5.0V
(I
CCSB1
，最大值）
Vcc=5.0V
功耗
待机
操作
(I
CC
，最大值）
Vcc=5.0V
PKG
TYPE
SOP-28
TSOP-28
PDIP-28
SOJ-28
骰子
SOP-28
TSOP-28
PDIP-28
SOJ-28
骰子
0℃ + 70℃
O
O
4.5V ~ 5.5V
55 / 70
1.0uA
35mA
-40°C至+ 85°C
O
O
4.5V ~ 5.5V
55 / 70
2.0uA
40mA
销刀豆网络gurations
框图
28
27
26
25
24
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
A5
A6
A7
A12
A14
A13
A8
A9
A11
512
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
64
列解码器
12
CE
WE
OE
VDD
GND
A4 A3 A2 A1 A0 A10
控制
地址输入缓冲器
卜FF器
地址
输入
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
BS62LV2565SC
BS62LV2565SI
BS62LV2565PC
BS62LV2565PI
BS62LV2565JC
BS62LV2565JI
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
23
22
21
20
19
18
17
16
15
18
ROW
解码器
512
存储阵列
512 x 512
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
BS62LV2565TC
BS62LV2565TI
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
8
数据
产量
卜FF器
8
百联半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS62LV2565
1
修订版2.2
2001年4月
BSI
引脚说明
BS62LV2565
功能
这15个地址输入选择32768 ×8位百科的RAM之一
CE为低电平有效。芯片使必须是活动的，从读取或写入到该设备。如果
芯片启动是不活动的，则取消选择器件并处于待机功率模式。
DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
名字
A0 - A14地址输入
CE芯片使能输入
我们写使能输入
OE输出使能输入
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
VCC
GND
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
与端电压
对于GND
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
工作范围
单位
V
O
等级
-0.5到+6.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
4.5V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
C
C
O
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是测试。
R0201-BS62LV2565
2
修订版2.2
2001年4月
BSI
DC电气特性
（ TA = 0
o
C至+ 70
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
I
CCSB1
BS62LV2565
测试条件
Vcc=5.0V
参数
保证输入低
(2)
电压
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
操作
电源电流
动力
分钟。
-0.5
2.2
--
--
Vcc=5.0V
Vcc=5.0V
典型值。
(1)
--
--
--
--
--
--
--
--
0.4
马克斯。
0.8
Vcc+0.2
1
1
0.4
--
35
2
1.0
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
uA
Vcc=5.0V
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE = V
IH
或OE = V
IH
,
V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2毫安
VCC =最小，我
OH
= -1mA
CE = V
IL
, I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
CE = V
IH
, I
DQ
= 0毫安
CE
V
IN
Vcc-0.2V,
VCC - 0.2V或V
IN
(3)
Vcc=5.0V
--
2.4
--
--
--
待机电流-TTL
待机电流CMOS
Vcc=5.0V
0.2V
Vcc=5.0V
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3.的Fmax = 1 /吨
RC
.
数据保持特性
（ TA = 0
o
C至+ 70
o
C )
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
CE
V
IN
CE
V
IN
测试条件
VCC - 0.2V
VCC - 0.2V或V
IN
VCC -0.2V
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
0.2V
分钟。
1.5
--
0
T
RC （2）
典型值。
(1)
--
0.01
--
--
马克斯。
--
0.40
--
--
单位
V
uA
ns
ns
见保留波形
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ）
（ CE控制）
数据保持方式
VCC
V
IH
VCC
V
DR
≥
1.5V
VCC
t
CDR
CE
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE
R0201-BS62LV2565
3
修订版2.2
2001年4月
QQ：2880707522 复制
