【飞利浦半导体产品speci fi cation双向可控硅高噪声抗扰度概述在一个塑料玻璃钝化可控硅包络】,IC型号BT139B-800H,BT139B-800H PDF资料,BT139B-800H经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

高噪声抗扰度

概述

在一个塑料玻璃钝化可控硅

包络适于表面

安装，用于在使用中

要求高噪声应用

免疫除了高，

双向

闭塞

电压

能力和热循环

性能。典型应用

包括电机控制，工业

照明，取暖和静态开关。

BT139B H系列

快速参考数据

符号

DRM

T（ RMS ）

TSM

参数

BT139B-

重复峰值断态

电压

RMS通态电流

非重复性峰值通态

当前

MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT

500H

500

140

600H

600

140

800H

800

140

钉扎 - SOT404

针

描述

主终端1

主终端2

门

主终端2

引脚配置

符号

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。

符号

DRM

T（ RMS ）

TSM

参数

重复峰值断态

电压

RMS通态电流

非重复性峰值

通态电流

吨融合

上升的重复率

通态电流后，

触发

全正弦波;牛逼

≤

99 C

全正弦波;牛逼

前= 25

浪涌

t为20毫秒

T = 16.7毫秒

T = 10毫秒

= 20 A;我

= 0.2 A;

/ DT = 0.2 A / μs的

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

条件

分钟。

-40

-500

500

马克斯。

-600

600

140

150

0.5

150

125

-800

800

单位

A / μs的

/ DT

G（ AV ）

英镑

栅极峰值电流

峰值栅极电压

峰值功率门

平均功耗门

储存温度

工作结

温度

在任何20毫秒期

虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅

切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。

1997年3月

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

高噪声抗扰度

热阻

符号

日J- MB

日J-一

参数

条件

分钟。

BT139B H系列

典型值。

马克斯。

1.2

1.7

单位

K / W

热阻

全周期

路口安装基座半个周期

热阻

最小的足迹， FR4板

结到环境

静态特性

= 25 C除非另有说明

符号

参数

门极触发电流

条件

= 12 V ;我

= 0.1 A

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

分钟。

0.25

典型值。

1.2

0.7

0.4

0.1

马克斯。

100

1.6

1.5

0.5

单位

闭锁电流

= 12 V ;我

= 0.1 A

保持电流

通态电压

门极触发电压

断态泄漏电流

= 12 V ;我

= 0.1 A

= 20 A

= 12 V ;我

= 0.1 A

= 400 V ;我

= 0.1 A;牛逼

= 125 C

= V

数字版权管理（最大值）

; T

= 125 C

动态特性

= 25 C除非另有说明

符号

/ DT

COM

/ DT

参数

的临界上升率

断态电压

变化率的关键

整流电压

门控开启

时间

条件

= 67% V

数字版权管理（最大值）

; T

= 125 C;

指数波形;门开路

= 400 V ;牛逼

= 95℃ ;我

T（ RMS ）

= 16 A;

COM

/ DT = 7.2 A / MS;门开路

= 20 A; V

= V

数字版权管理（最大值）

; I

= 0.1 A;

/ DT = 5 A / μs的

分钟。

200

典型值。

500

马克斯。

单位

V / μs的

1997年3月

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

高噪声抗扰度

BT139B H系列

P合计/ W

BT139

TMB （最大值） / C

= 180

IT （ RMS ） / A

BT139

120

101

99 C

107

113

119

IT （ RMS ） / A

125

-50

TMB / C

100

150

图1 。最大通态损耗，P

合计

，与有效值

通态电流I

T（ RMS ）

，其中，

=导通角。

BT139

图4 。允许的最大均方根电流I

T（ RMS ）

与安装基座温度T

BT139

1000

ITSM / A

IT （ RMS ） / A

100

/ dt限制

T2- G +象限

10us

我TSM

时间

TJ初始= 25℃最高

100us

1ms

T / S

10ms

100ms

0.01

0.1

浪涌持续时间/秒

图2 。允许的最大非重复性峰值

通态电流I

TSM

，与脉冲宽度t

为

正弦电流，T

≤

20ms.

ITSM / A

BT139

100

ITSM

时间

图5 。对国家最大允许重复的有效值

电流I

T（ RMS ）

，与持续激增，为正弦

电流， F = 50赫兹;牛逼

≤

99C.

VGT （ TJ ）

VGT （ 25℃ ）

150

1.6

1.4

1.2

BT136

TJ初始= 25℃最高

0.8

0.6

100

周期在50Hz数

1000

0.4

-50

TJ / C

100

150

如图3所示。允许的最大非重复性峰值

通态电流I

TSM

，对周期数，对于

正弦电流， F = 50赫兹。

图6 。归一化门极触发电压

)/ V

（25℃ ），与结温度T

1997年3月

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

高噪声抗扰度

BT139B H系列

2.5

1.5

IGT （ TJ ）

IGT （ 25℃ ）

BT139H

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

IT / A

TJ = 125℃

TJ = 25℃

BT139

典型值

VO = 1.195 V

卢比= 0.018欧姆

最大

0.5

-50

TJ / C

100

150

0.5

1.5

VT / V

2.5

图7 。归一化门极触发电流

)/ I

（25℃ ），与结温度T

白细胞介素（ TJ ）

IL （ 25℃ ）

图10 。典型和最大通态特性。

2.5

1.5

TRIAC

第i个J- MB （K / W）

BT139

单向

双向

0.1

0.01

0.5

-50

0.001

10us

0.1ms

1ms

10ms

TP /秒

0.1s

TJ / C

100

150

10s

图8 。正常化闭锁电流I

)/ I

(25C),

与结温度T

IH（ TJ）

IH(25C)

图11 。瞬态热阻抗Z

日J- MB

，与

脉冲宽度t

的dV / dt （V /美国）

关断状态的dV / dt限制

BT139 ... H系列

2.5

1.5

0.5

TRIAC

1000

100

DICOM / DT =

20 A / MS

9.3

7.2

5.6

-50

TJ / C

100

150

TJ / C

100

150

图9 。归一化控股电流I

)/ I

(25C),

与结温度T

图12 。典型的换向的dV / dt与结

温度参数减刑的dI

/ DT 。双向可控硅

应换向时的dV / dt是下面的值

相应的曲线预换向的dI上

/ DT 。

1997年3月

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

高噪声抗扰度

机械数据

尺寸（mm）

净重： 1.4克

10.3最大

4.5最大

1.4最大

BT139B H系列

11最大

15.4

2.5

0.85最大

(x2)

2.54 (x2)

0.5

图13 。 SOT404 ：中心引脚连接到安装基座。

笔记

1.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。

安装说明

尺寸（mm）

11.5

9.0

17.5

2.0

3.8

5.08

图14 。 SOT404 ：最小焊盘尺寸的表面安装。

笔记

1.塑料符合UL94 V0以1/ 8英寸;.

1997年3月

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