存储器IC
BR93LC66 / BR93LC66F / BR93LC66RF /
BR93LC66FJ / BR93LC66RFJ / BR93LC66FV
256 × 16bit的串行EEPROM
BR93LC66 / BR93LC66F / BR93LC66RF /
BR93LC66FJ / BR93LC66RFJ / BR93LC66FV
该BR93LC66系列为CMOS串行输入/输出型存储器电路（ EEPROM的），其可以被编程
电。每个被配置的256字×16位（ 4096位），每个字都可以单独和数据进行访问
从它读取和写入其中。
使用五种类型的命令进行动作控制。命令，地址和数据被输入通过
的CS和SK管脚的控制下DI引脚。在写操作中，内部状态信号（ READY或BUSY ）可以是
从DO引脚输出。
应用
录像机，电视机，打印机，汽车音响，无绳电话，短波电台，可编程DIP开关，等
电池供电设备需要低电压和低电流
特点
1 ） 256字×16位的EEPROM
2 ）工作电压范围
当阅读： 2.0 5.5 V
当写： 2.7 5.5 V
3 ）低电流消耗
工作（ 5 V） ： 3毫安（最大）
待机（ 5 V） ： （最大） 5μA
4 ）地址可在自动递增
读操作。
5 ）自动擦除和自动完成功能可以使用
在写操作期间。
6）写指令禁止功能可以：
- 写保护，电源电压低
- 写在上电时禁止状态
- 用书面命令代码
7 ）小型封装
的READY / BUSY状态8 ）显示
9 ） TTL兼容的输入/输出
10 ）可重写可达10万次
11 ）数据可保存10年而无损坏。
框图
电源
CS
命令代码
电压检测器
控制
高压
写禁止
发电机
SK
时钟发生器
地址
命令
地址
8bit
卜FF器
解码器
DI
8bit
4096bit
注册
数据
读/写
EEPROM阵列
16bit
16bit
注册
扩音器
DO
虚位
存储器IC
引脚布局
CS
SK
DI
1
2
3
BR93LC66 / BR93LC66F / BR93LC66RF /
BR93LC66FJ / BR93LC66RFJ / BR93LC66FV
8 V
CC
NC 1
V
CC
2
CS 3
SK
4
8
北卡罗来纳州
GND
DO
DI
BR93LC66 /
BR93LC66RF
BR93LC66RFJ
7北卡罗来纳州
6北卡罗来纳州
5 GND
BR93LC66F /
BR93LC66FJ
BR93LC66FV
7
6
5
做4
Fig.1
Fig.2
PIN号
BR93LC66 / BR93LC66RF /
BR93LC66RFJ
1
2
3
4
5
6
7
8
BR93LC66F / BRLC66FJ /
BR93LC66FV
3
4
5
6
7
8
1
2
针
名字
功能
片选输入
串行时钟输入
起始位，操作码，地址，和串行数据输入
串行数据输出， READY / BUSY内部状态显示输出
地
没有连接
没有连接
电源
CS
SK
DI
DO
GND
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
CC
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
施加的电压
符号
V
CC
范围
0.3+6.5
500
1
单位
V
BR93LC66
动力
耗散
BR93LC66F / RF / FJ / RFJ
BR93LC66FV
储存温度
工作温度
端电压
Pd
350
2
300
3
65+125
40+85
0.3V
CC
+0.3
mW
TSTG
TOPR
C
C
V
1降低5.0mW超过25 ℃，每升高1 ℃，钽。
2减少了3.5MW超过25 ℃，每升高1 ℃，钽。
3减少3.0MW超过25℃每上升1℃的Ta 。
推荐工作条件
(Ta=25°C)
参数
电源
电压
输入电压
写作
阅读
符号
V
CC
V
IN
分钟。
2.7
2.0
0
典型值。
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
单位
V
V
V
存储器IC
BR93LC66 / BR93LC66F / BR93LC66RF /
BR93LC66FJ / BR93LC66RFJ / BR93LC66FV
电气特性
（除非另有说明，钽= -40~85 ° C，V
CC
=5V±10%)
参数
输入低电平电压
输入高电平电压
输出低电平电压1
输出高电平电压1
输出低电平电压2
输出高电平电压2
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
耗散1
工作电流
消耗2
待机电流
符号
V
IL
V
IH
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
SB
分钟。
0.3
2.0
2.4
V
CC
0.4
1.0
1.0
典型值。
1.5
0.7
1.0
马克斯。
0.8
V
CC
+
0.3
0.4
0.2
1.0
1.0
3
1.5
5
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
I
OL
=2.1mA
I
OH
=0.4mA
I
OL
=10A
I
OH
=10A
V
IN
=0VV
CC
条件
测量电路
Fig.3
Fig.4
Fig.3
Fig.4
Fig.5
Fig.6
Fig.7
Fig.7
Fig.8
V
OUT
=0VV
CC
， CS = GND
V
IN
=V
IH
/V
IL
， DO = OPEN ， FSK = 1MHz时，写
V
IN
=V
IH
/ V
IL
， DO = OPEN ， FSK = 1MHz时， READ
CS = SK = DI = GND ， DO = OPEN
（除非另有说明，钽= -40~80 ° C，V
CC
=3V±10%)
参数
输入低电平电压
输入高电平电压
输出低电平电压
输出高电平电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
耗散1
工作电流
消耗2
待机电流
符号
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
SB
分钟。
0.3
0.7×V
CC
V
CC
0.4
1.0
1.0
典型值。
0.5
0.2
0.4
马克斯。
0.15×V
CC
V
CC
+0.3
0.2
1.0
1.0
2
1
3
单位
V
V
V
V
I
OL
=10A
I
OH
=10A
条件
测量电路
Fig.3
Fig.4
Fig.5
Fig.6
Fig.7
Fig.7
Fig.8
A
V
IN
=0VV
CC
A
V
OUT
=0VV
CC
， CS = GND
毫安V
IN
=V
IH
/ V
IL
， DO = OPEN ， FSK = 250kHz的，写
毫安V
IN
=V
IH
/ V
IL
， DO = OPEN ， FSK = 250kHz的， READ
A
CS = SK = DI = GND ， DO = OPEN
（除非另有说明，钽= -40~85 ° C，V
CC
=2.0V)
参数
输入低电平电压
输入高电平电压
输出低电平电压
输出高电平电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
消耗2
待机电流
符号
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
CC2
I
SB
分钟。
0.3
0.7×V
CC
V
CC
0.4
1.0
1.0
典型值。
0.2
0.4
马克斯。
0.15×V
CC
V
CC
+0.3
0.2
1.0
1.0
1
3
单位
V
V
V
V
A
A
mA
A
I
OL
10A
I
OH
=10A
V
IN
0VV
CC
条件
测量电路
Fig.3
Fig.4
Fig.5
Fig.6
Fig.7
Fig.8
V
OUT
=0VV
CC
， CS = GND
V
IN
=V
IH
/ V
IL
， DO = OPEN ， FSK = 200kHz的，
读
CS = SK = DI = GND ， DO = OPEN
存储器IC
测量电路
V
CC
BR93LC66 / BR93LC66F / BR93LC66RF /
BR93LC66FJ / BR93LC66RFJ / BR93LC66FV
V
CC
V
CC
I
OL
DO
V
CC
I
OH
DO
GND
V
V
OL
GND
V
V
OH
控制输出到"LOW"
控制输出到"HIGH"
图3 "LOW"输出电压电路
图4 "HIGH"输出电压电路
V
CC
V
CC
V
CC
I
LI
A
V
IN
=0V
CC
CS ， SK ， DI
GND
V
CC
I
LO
CS
GND
DO
A
V
O
=0V
CC
图5输入漏电流电路
图6输出漏电流电路
V
CC
V
CC
A
I
CC
A
I
SB
f
SK
=1MHz
/为250kHz / 200kHz的
V
IN
=V
IH
/ V
IL
读/写输入
CS
SK
DI
V
CC
CS
DO
开放
V
CC
SK
GND
DO
开放
DI
GND
图7电源电流电路
图8待机电流电路
存储器IC
BR93LC66 / BR93LC66F / BR93LC66RF /
BR93LC66FJ / BR93LC66RFJ / BR93LC66FV
电路工作原理
（ 1 ）命令模式
有了这些IC ，命令无法识别或采取行动，直到起始位被接收。起始位被取为第一
"1"被接收的CS引脚升高后。
命令
读（ READ ）
1
写使能（ WEN ）
写（ WRITE）
2
写入所有地址（ WRAL ）
2
写禁止（ WDS ）
擦除（ ERASE ）
3
芯片擦除（ ERAL ）
3
X：要么V
IH
或V
IL
开始工作
CODE
位
地址
数据
1
1
1
1
1
1
1
10
00
01
00
00
11
00
A7 ~ A0
11XXXXXX
A7 ~ A0
01XXXXXX
00XXXXXX
A7A0
10XXXXXX
D15D0
D15D0
1
SK时钟的读出命令和输入的设置完成后，对应于指定的地址数据被输出，
相应的数据上的地址，然后输出序列。 （自动增量功能）
2
当写或写命令被执行的所有地址，在所选择的存储器单元中的所有数据被抹掉
自动运行，并且输入数据被写入到单元。
3
这些模式是可选的模式。请联系罗门哈斯有关操作的定时信息。
（ 2 ）操作时序特性
（除非另有说明，钽= -40~85 ° C，V
CC
=5V±10%)
参数
SK时钟频率
SK "HIGH"时间
SK "LOW"时间
CS "LOW"时间
CS建立时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
数据"1"输出延迟时间
数据"0"输出延迟时间
时间从CS到输出确认
时间从CS到输出高阻抗
写周期时间
符号
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
CS
t
CSS
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
SV
t
DF
t
东/西
分钟。
450
450
450
50
100
0
100
典型值。
马克斯。
1
500
500
500
100
10
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
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