SEMIWELL
半导体
BT139-600
符号
○
双向晶闸管
特点
重复峰值断态电压： 600V
◆
R.M.S通态电流（I
T（ RMS ）
= 16 A )
◆
高换向dv / dt的
◆
绝缘电压（V
ISO
= 1500V AC）
◆
2.T2
▼
▲
○
3.Gate
1.T1
○
概述
该设备适用于交流开关应用，相
控制应用程序，如风扇转速和温度MOD-
ulation控制，照明控制和静态开关继电器。
TO-220
1
2
3
绝对最大额定值
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
V
GM
T
J
T
英镑
( T
J
= 25 ° C除非另有说明）
条件
评级
600
T
C
= 100°C
一个周期为50Hz / 60Hz的，山顶，
不重复
T = 10ms的
16
145/155
105
5.0
在任期间为20ms
0.5
2.0
10
- 40 ~ 125
- 40 ~ 150
2.0
参数
重复峰值断态电压
R.M.S通态电流
浪涌通态电流
I
2
t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值电流
峰值栅极电压
工作结温
储存温度
块
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A
V
°C
°C
g
一月， 2004年修订版0
版权所有@ SEMIWELL半导体有限公司，保留所有权利。
1/5
BT139-600
电气特性
符号
项
重复峰值断态
当前
峰值通态电压
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
非触发栅极电压
兴起关闭状态的爆击率
电压整流
保持电流
热阻抗
结到外壳
T
J
= 125°C ，V
D
= 1/2 V
DRM
T
J
= 125°C ， [ di / dt的C = -6.0 A / MS ，
V
D
=2/3 V
DRM
门极触发电压
V
D
= 6 V ，R
L
=10
Ω
门极触发电流
V
D
= 6 V ，R
L
=10
Ω
条件
V
D
= V
DRM
，单相半波
T
J
= 125 °C
I
T
= 20 A，研究所。测量
评级
分钟。
─
─
─
─
─
─
─
─
0.2
10
─
─
典型值。
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
20
─
马克斯。
2.0
1.6
25
25
25
1.5
1.5
1.5
─
─
─
1.2
单位
I
DRM
V
TM
I
+GT1
I
-GT1
I
-GT3
V
+GT1
V
-GT1
V
-GT3
V
GD
（ dv / dt的）C
I
H
R
日（J -C ）
mA
V
mA
V
V
V/
mA
° C / W
2/5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT139系列
概述
在一个塑料玻璃钝化可控硅
包络线，用于在使用中
应用
需要
高
双向瞬态和拦网
电压能力和高的热
循环
性能。
典型
应用包括电机控制，
工业和家用照明，
加热和静态开关。
快速参考数据
符号
参数
BT139-
BT139-
BT139-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
500
500F
500G
500
16
140
600
600F
600G
600
16
140
800
800F
800G
800
16
140
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
V
A
A
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
门
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
全正弦波;牛逼
mb
≤
99 C
全正弦波;牛逼
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
16
140
150
98
50
50
50
10
2
5
5
0.5
150
125
-800
800
单位
V
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A
V
W
W
C
C
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
在任何20毫秒期
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1997年9月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT139系列
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
民
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
民
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值（3×）
0,6
2,4
图13 。 TO220AB ; 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装用于TO220信封的说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1997年9月
5
启1.200
双向可控硅
INCHANGE
BT139-600
特点
·带
TO- 220AB封装
？玻璃
钝化可控硅在一个塑料外壳，用于
在要求较高的双向瞬态应用程序使用
和阻断电压能力和高的热循环
performance.Typical应用包括电机控制，
工业和家庭照明，取暖和静态开关。
快速参考数据
符号
参数
价值
单位
V
DRM
V
RRM
I
T（ AV ）
I
TSM
T
英镑
T
j
重复峰值断态电压
重复峰值断态电压
平均通态电流
通态电流非重复性峰值
储存温度
工作结温
600
600
16
140
-45½150
110
V
V
A
A
℃
℃
电气特性
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
参数
条件
V
DRM
V
RRM
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
重复峰值断态电压
反向重复峰值电压
I
D
=0.1mA
I
D
=0.5mA
V
D
= 12V ;
L
= 100Ω T2 + G +
T2 + G-
OR
CT
U
民
最大
TO-220AB
单位
600
600
30
30
30
100
1.6
50
1.5
1.5
1.5
1.8
V
V
I
GT
门极触发电流
T2- G-
T2- G +
mA
V
T
I
H
通态电压
保持电流
I
T
=20A
I
T
=0.2A;
I
GT
= 50米一
V
D
= 12V ;
L
= 100Ω T2 + G +
T2 + G-
V
mA
V
GT
门极触发电压
T2- G-
T2- G +
V
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT139系列
概述
在一个塑料玻璃钝化可控硅
包络线，用于在使用中
应用
需要
高
双向瞬态和拦网
电压能力和高的热
循环
性能。
典型
应用包括电机控制，
工业和家用照明，
加热和静态开关。
快速参考数据
符号
参数
BT139-
BT139-
BT139-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
500
500F
500G
500
16
140
600
600F
600G
600
16
140
800
800F
800G
800
16
140
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
V
A
A
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
门
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
全正弦波;牛逼
mb
≤
99 C
全正弦波;牛逼
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
16
140
150
98
50
50
50
10
2
5
5
0.5
150
125
-800
800
单位
V
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A
V
W
W
C
C
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
在任何20毫秒期
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1997年9月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
BT139系列
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
民
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
民
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值（3×）
0,6
2,4
图13 。 TO220AB ; 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装用于TO220信封的说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1997年9月
5
启1.200
半导体
BT139系列
双向可控硅
特征
玻璃钝化可控硅在一个塑料TO220封装。
它们被设计用于在要求高的应用
双向瞬态和阻断电压能力，
高的热循环性能。
典型应用包括电机控制，工业和
国内的照明，供暖和静态开关
.
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
价值
BT139-500 BT139-600 BT139-800
V
DRM
V
RRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
P
GM
PG
（AV）
T
英镑
T
j
重复峰值断态
电压
反向重复峰值
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
峰值功率门
平均功耗门
存储温度范围
工作结
温度
500
500
600
600
16
140
5
0.5
-45至+150
110
800
V
800
A
A
W
W
°C
°C
符号
评级
单位
热特性
符号
R
j - MB
R
θJA
评级
热阻结到安装底座
热阻结到环境
价值
≤
1.2
≤
60
单位
° C / W
26/09/2012
半导体COMSET
1|3
半导体
BT139系列
机械数据案例TO- 220
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
案例：
主终端1
主终端2
门
主终端2
修订后的2012年8月
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，半导体COMSET承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利。资料如有变更，
恕不另行通知。 COMSET半导体公司对于其产品适用于任何特定的任何保证，声明或担保
目的，也不COMSET半导体承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何
和所有责任，包括但不限于间接或附带损失。 COMSET半导体的产品不授权使用的
在生命支持设备或系统中的关键组件。
www.comsetsemi.com
26/09/2012
半导体COMSET
info@comsetsemi.com
3|3
TF16A60
标准TRIAC
符号
○
2.T2
V
DRM
= 600V
I
T（ RMS ）
= 16 A
TO-220F
▼
▲
○
3.Gate
I
TSM
= 168A
1
2
3
1.T1
○
特点
重复Peakk断态电压： 600V
◆
R.M.S通态电流（I
T（ RMS ）
= 16 A )
◆
高换向dv / dt的
◆
概述
该设备完全隔离，适用于交流SW瘙痒的应用程序lication ，相位控制应用P ackage
例如
SPE ED和tem温度调制斑竹，在dustrial一个次国内照明有限公司ntrol的
静态开关继电器。
该器件可以取代BTA16-600 ，
BTB16-600,
BT139-600 ， BCR16PM -12， TM1661M / S-L
系列。
绝对最大额定值
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
G（ AV ）
I
GM
T
J
T
英镑
（ TJ = 25 ° C除非另有说明）
条件
正弦波， 50到60赫兹
T
j
= 125 °C,
全正弦波
一个周期为50Hz / 60Hz的，山顶，
不重复
TP = 10ms的
Tj=125°C
T
j
=125°C
参数
重复峰值断态电压
R.M.S通态电流
浪涌通态电流
I
2
t
平均门功耗
栅极峰值电流
工作结温
储存温度
评级
600
单位
V
A
A
A
2
s
W
A
°C
°C
..
16
160/168
128
1
2
- 40 ~ 125
- 40 ~ 150
七月，
2010 Rev.2号
版权所有@阿波罗电子有限公司保留所有权利。
1/6
BT139-600
4Q双向可控硅
2013年9月27日
产品数据表
1.概述
平面钝化四象限三端双向可控硅在SOT78 （ TO- 220AB ）塑料封装意
在应用要求高的双向瞬态和阻断电压
能力和高的热循环性能。
2.特点和好处科幻TS
高阻断电压能力
平面钝化电压耐用性和可靠性
高噪声抗扰度不太敏感栅
触发在所有四个象限
3.应用
通用电机控制
通用开关
4.快速参考数据
表1中。
符号
V
DRM
I
TSM
I
T（ RMS ）
快速参考数据
参数
场外重复峰值
态电压
非重复性峰值导通全正弦波;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
目前状态
t
p
= 20毫秒;
图。 4 ;图。五
RMS通态电流
全正弦波;牛逼
mb
≤ 99 °C;
图。 1 ;
图。 2 ;图。 3
静态特性
I
GT
门极触发电流
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A; T2 + G + ;
T
j
= 25 °C;
图。 7
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A; T2 + G- ;
T
j
= 25 °C;
图。 7
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A; T2- G- ;
T
j
= 25 °C;
图。 7
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A; T2- G + ;
T
j
= 25 °C;
图。 7
-
22
70
mA
-
10
35
mA
-
8
35
mA
-
5
35
mA
条件
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
600
155
16
单位
V
A
A
扫描或点击该QR码来查看最新的信息，这款产品
TO
-2
20A
B
恩智浦半导体
BT139-600
4Q双向可控硅
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
全正弦波;牛逼
mb
≤ 99 °C;
图。 1 ;
图。 2 ;图。 3
全正弦波;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
t
p
= 20毫秒;
图。 4 ;图。五
全正弦波;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
t
p
= 16.7毫秒
余吨
dI
T
/ DT
2
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
600
16
155
170
120
50
50
50
10
2
5
0.5
150
125
单位
V
A
A
A
2
的I2t的融合
率通态电流上升
t
p
= 10毫秒; SIN
I
T
= 20 A;我
G
= 0.2 A;的dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的;
T2 + G +
I
T
= 20 A;我
G
= 0.2 A;的dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的;
T2 + G-
I
T
= 20 A;我
G
= 0.2 A;的dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的;
T2- G-
I
T
= 20 A;我
G
= 0.2 A;的dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的;
T2- G +
A S
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A
W
W
°C
°C
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
栅极峰值电流
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
在任何20毫秒期
-
-40
-
BT139-600
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产品数据表
2013年9月27日
3 / 13
恩智浦半导体
BT139-600
4Q双向可控硅
160
I
TSM
(A)
120
I
T
001aab102
I
TSM
80
t
T
J（下初始）
= 25 C MAX
T
40
0
1
10
10
2
n
10
3
F = 50赫兹;周期为n =数量
图。 4 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
10
3
001aab092
I
TSM
(A)
10
2
(1)
I
T
I
TSM
(2)
10
10
- 2
t
T
J（下初始）
= 25 C MAX
10
- 1
1
10
T（毫秒）
10
2
T
t
p
= 20毫秒
（1）的dI
T
/ dt限制
（ 2 ） T2- G +象限极限
图。 5 。
非重复性峰值通态电流为脉冲宽度的功能;最大值
BT139-600
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产品数据表
2013年9月27日
5 / 13
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