飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 5 GHz宽带晶体管
热特性
符号
R
第j个-S
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
C
c
C
e
C
re
f
T
G
UM
参数
收藏家泄漏电流
直流电流增益
集电极电容
发射极电容
反馈电容
跃迁频率
最大功率单侧
增益（注1 ）
条件
I
E
= 0; V
CB
= 10 V
I
C
= 15毫安; V
CE
= 10 V ;见图4
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1兆赫;
见图5
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
CE
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 10 V ; F = 500 MHz的;
见图6
I
C
= 15毫安; V
CE
= 10 V ; F = 1千兆赫;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 15毫安; V
CE
= 10 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C
F
噪音科幻gure
I
C
= 5毫安; V
CE
= 10 V ; F = 1千兆赫;
Γ
s
=
Γ
选择
; T
AMB
= 25
°C;
参见图13和图14
I
C
= 5毫安; V
CE
= 10 V ; F = 2 GHz的;
Γ
s
=
Γ
选择
; T
AMB
= 25
°C;
参见图13和图14
V
O
d
2
笔记
1. G
UM
是最大单边功率增益，假设S
12
是零和G
UM
2.测在同一裸片上的一个SOT37封装（ BFR90A ） 。
3. d
im
=
60
分贝（ DIN 45004B ） ;我
C
= 14毫安; V
CE
= 10 V ;
L
= 75
;
VSWR
＆ LT ;
2; T
AMB
= 25
°C
V
p
= V
O
为D
im
=
60
分贝; F
p
= 795.25兆赫;
V
q
= V
O
6
分贝; F
q
= 803.25兆赫;
V
r
= V
O
6
分贝; F
r
= 805.25兆赫;
在F量度
p
+ f
q
f
r
= 793.25兆赫。
4. I
C
= 14毫安; V
CE
= 10 V ;
L
= 75
;
VSWR
＆ LT ;
2; T
AMB
= 25
°C
V
p
= 60 mV的在f
p
= 250 MHz的;
V
q
= 60 mV的在f
q
= 560 MHz的;
在F量度
p
+ f
q
= 810兆赫。
输出电压
二阶互调
失真
注意到图2和3
注意到2和4;见图16
分钟。
40
典型值。
90
0.6
1.2
0.35
5
14
8
2.1
参数
条件
价值
260
BFR92A
单位
K / W
从结热阻焊接点T
s
≤
95
°C;
注1
马克斯。
50
单位
nA
pF
pF
pF
GHz的
dB
dB
dB
3
dB
150
50
mV
dB
S
21
=
10日志------------------------------------------------ -------------分贝。
- ˙
2
2
1
–
S
11
1
–
S
22
2
1997年10月29日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 5 GHz宽带晶体管
BFR92A
手册，全页宽
2.2 nF的
2.2 nF的
VBB
33 k
L2
L3
1 nF的
1 nF的
L1
1 nF的
300
DUT
75
产量
VCC
75
输入
3.3 pF的
18
0.82 pF的
MBB269
L1 = L3 = 5
H
呛。
L2 = 3圈0.4毫米铜线，内部直径为3毫米，卷绕间距1mm以下。
图2互调失真和二次谐波失真美亚测试电路。
MEA425 - 1
400
手册， halfpage
合计
（ mW）的
300
P
手册， halfpage
120
MCD074
^ h FE
80
200
40
100
0
0
50
100
150
T (
o
C)
s
200
0
0
10
20
I C （毫安）
30
V
CE
= 10 V ;牛逼
j
= 25
°C.
Fig.4
图3功率降额曲线。
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
1997年10月29日
4
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