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飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

BT136S系列

BT136M系列

概述

在一个塑料玻璃钝化可控硅

包络，适用于表面

安装，用于在使用中

应用

需要

高

双向瞬态和拦网

电压能力和高的热

循环

性能。

典型

应用包括电机控制，

工业和家用照明，

加热和静态开关。

快速参考数据

符号

参数

BT136S

（或BT136M ） -

BT136S

（或BT136M ） -

BT136S

（或BT136M ） -

重复峰值断态

电压

RMS通态电流

非重复性峰值通态

当前

MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT

500

500F

500G

500

4

25

600

600F

600G

600

4

25

800

800F

800G

800

4

25

V

DRM

I

T（ RMS ）

I

TSM

V

A

A

钉扎 - SOT428

针

另类标准

数

S

M

1

2

3

TAB

MT1

MT2

门

MT2

门

MT2

MT1

MT2

引脚配置

TAB

符号

T2

T1

2

1

3

G

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。

符号

V

DRM

I

T（ RMS ）

I

TSM

参数

重复峰值断态

电压

RMS通态电流

非重复性峰值

通态电流

I

2

吨融合

上升的重复率

通态电流后，

触发

全正弦波;牛逼

mb

≤

107 C

全正弦波;牛逼

j

前= 25

浪涌

t为20毫秒

T = 16.7毫秒

T = 10毫秒

I

TM

= 6 A;我

G

= 0.2 A;

dI

G

/ DT = 0.2 A / μs的

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

条件

分钟。

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-40

-

-500

500

1

马克斯。

-600

600

1

4

25

27

3.1

50

50

50

10

2

5

5

0.5

150

125

-800

800

单位

V

A

A

A

A

2

s

A / μs的

A / μs的

A / μs的

A / μs的

A

V

W

W

C

C

I

2

t

dI

T

/ DT

I

GM

V

GM

P

GM

P

G（ AV ）

T

英镑

T

j

栅极峰值电流

峰值栅极电压

峰值功率门

平均功耗门

储存温度

工作结

温度

在任何20毫秒期

1

虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅

切换到接通状态。电流上升率不应超过3 A / μs的。

1997年10月

1

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

BT136S系列

BT136M系列

热阻

符号

R

日J- MB

R

日J-一

参数

条件

分钟。

-

-

-

典型值。

-

-

75

马克斯。

3.0

3.7

-

单位

K / W

K / W

K / W

热阻

全周期

路口安装基座半个周期

热阻

PCB（ FR4 ）安装;足迹14所示

结到环境

静态特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

I

GT

参数

门极触发电流

条件

BT136S-

V

D

= 12 V ;我

T

= 0.1 A

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

V

D

= 12 V ;我

GT

= 0.1 A

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

V

D

= 12 V ;我

GT

= 0.1 A

I

T

= 5 A

V

D

= 12 V ;我

T

= 0.1 A

V

D

= 400 V ;我

T

= 0.1 A;

T

j

= 125 C

V

D

= V

数字版权管理（最大值）

;

T

j

= 125 C

分钟。

典型值。

...

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.25

-

5

8

11

30

7

16

5

7

5

1.4

0.7

0.4

0.1

35

35

35

70

20

30

20

30

15

马克斯。

...F

25

25

25

70

20

30

20

30

15

1.70

1.5

-

0.5

...G

50

50

50

100

30

45

30

45

30

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mA

V

V

V

mA

单位

I

L

闭锁电流

I

H

V

T

V

GT

I

D

保持电流

通态电压

门极触发电压

断态泄漏电流

动态特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

dV

D

/ DT

参数

的临界上升率

断态电压

变化率的关键

整流电压

门控开启

时间

条件

BT136S

（或BT136M ） -

V

DM

= 67% V

数字版权管理（最大值）

;

T

j

= 125 ℃;指数

波形;门敞开着。

电路

V

DM

= 400 V ;牛逼

j

= 95 C;

I

T（ RMS ）

= 4 A;

dI

COM

/ DT = 1.8 A / MS;门

开路

I

TM

= 6 A; V

D

= V

数字版权管理（最大值）

;

I

G

= 0.1 A;的dI

G

/ DT = 5 A / μs的

...

100

分钟。

...F

50

...G

200

典型值。

250

马克斯。

-

单位

V / μs的

dV

COM

/ DT

-

-

10

50

-

V / μs的

t

gt

-

-

-

2

-

s

1997年10月

2

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

BT136S系列

BT136M系列

8

7

6

5

4

3

2

1

0

P合计/ W

BT136

TMB （最大值） / C

101

104

5

IT （ RMS ） / A

BT136

1

= 180

120

90

60

30

4

107

110

113

116

119

107 C

3

2

1

122

0

1

2

3

IT （ RMS ） / A

4

125

5

0

-50

0

50

TMB / C

100

150

图1 。最大通态损耗，P

合计

，与有效值

通态电流I

T（ RMS ）

，其中，

α

=导通角。

图4 。允许的最大均方根电流I

T（ RMS ）

,

与安装基座温度T

mb

.

BT136

1000

ITSM / A

BT136

IT

T

ITSM

12

10

时间

IT （ RMS ） / A

TJ初始= 25℃最高

100

dI

T

/ dt限制

8

6

4

T2- G +象限

2

10

10us

100us

1ms

T / S

10ms

100ms

0

0.01

0.1

1

浪涌持续时间/秒

10

图2 。允许的最大非重复性峰值

通态电流I

TSM

，与脉冲宽度t

p

为

正弦电流，T

p

≤

20ms.

图5 。对国家最大允许重复的有效值

电流I

T（ RMS ）

，与持续激增，为正弦

电流， F = 50赫兹;牛逼

mb

≤

107C.

VGT （ TJ ）

VGT （ 25℃ ）

30

25

20

15

10

5

0

ITSM / A

BT136

1.6

IT

T

我TSM

时间

BT136

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

-50

TJ初始= 25℃最高

1

10

100

周期在50Hz数

1000

0

50

TJ / C

100

150

如图3所示。允许的最大非重复性峰值

通态电流I

TSM

，对周期数，对于

正弦电流， F = 50赫兹。

图6 。归一化门极触发电压

V

GT

(T

j

)/ V

GT

（25℃ ），与结温度T

j

.

1997年10月

3

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

BT136S系列

BT136M系列

3

2.5

2

1.5

1

0.5

IGT （ TJ ）

IGT （ 25℃ ）

BT136

T2 + G +

T2 + G-

T2- G-

T2- G +

12

10

IT / A

TJ = 125℃

TJ = 25℃

VO = 1.27 V

卢比= 0.091欧姆

BT136

典型值

最大

8

6

4

2

0

0

-50

0

50

TJ / C

100

150

0

0.5

1

1.5

VT / V

2

2.5

3

图7 。归一化门极触发电流

I

GT

(T

j

)/ I

GT

（25℃ ），与结温度T

j

.

白细胞介素（ TJ ）

IL （ 25℃ ）

图10 。典型和最大通态特性。

3

2.5

TRIAC

10

第i个J- MB （K / W）

BT136

单向

双向

1

2

1.5

1

0.5

0

-50

0.01

10us

0.1ms

1ms

10ms

TP /秒

0.1s

1s

0.1

P

D

tp

t

0

50

TJ / C

100

150

10s

图8 。正常化闭锁电流I

L

(T

j

)/ I

L

(25C),

与结温度T

j

.

IH（ TJ）

IH(25C)

图11 。瞬态热阻抗Z

日J- MB

，与

脉冲宽度t

p

.

DVCOM / DT （V /美国）

关断状态的dV / dt限制

BT136 ... G系列

BT136系列

3

2.5

2

1.5

1

0.5

TRIAC

1000

100

BT136 ... F系列

10

DICOM / DT = 5.1

A / MS

3.9

50

3

2.3

1.8

100

1.4

150

0

-50

0

50

TJ / C

100

150

1

0

TJ / C

图9 。归一化控股电流I

H

(T

j

)/ I

H

(25C),

与结温度T

j

.

图12 。典型的换向的dV / dt与结

温度参数减刑的dI

T

/ DT 。双向可控硅

应换向时的dV / dt是下面的值

相应的曲线预换向的dI上

T

/ DT 。

1997年10月

4

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双向可控硅

BT136S系列

BT136M系列

机械数据

尺寸（mm）

净重： 1.1克

6.73最大

1.1

2.38最大

0.93最大

飞机座位

5.4

TAB

4分钟

6.22最大

10.4最大

4.6

2

1

2.285 (x2)

0.5分钟

0.5

0.3

0.5

3

0.8最大

(x2)

图13 。 SOT428 ：中心引脚连接选项卡。

安装说明

尺寸（mm）

7.0

7.0

2.15

2.5

1.5

4.57

图14 。 SOT428 ：最小焊盘尺寸的表面安装。

笔记

1.塑料符合UL94 V0以1/ 8英寸;.

1997年10月

5

启1.100

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