NPN BDX33 - BDX33A - BDX33B - BDX33C
PNP BDX34 - BDX34A - BDX34B - BDX34C
互补硅功率
达林顿晶体管
该BDX33B ， BDX33B和BDX33C是硅外延基NPN电源
并安装在JEDEC的TO-单片达林顿晶体管配置
220塑料封装。
他们intented为线性电源和开关应用。
互补PNP类型是BDX34A ， BDX34B和BDX34C
分别。
绝对最大额定值
符号
评级
BDX33
BDX34
BDX33A
BDX34A
BDX33B
BDX34B
BDX33C
BDX34C
BDX33
BDX34
BDX33A
BDX34A
BDX33B
BDX34B
BDX33C
BDX34C
价值
45
60
单位
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
80
100
45
60
V
80
100
V
CEV
集电极 - EmitterVoltage
I
B
=0
半导体COMSET
1/6
NPN BDX33 - BDX33A - BDX33B - BDX33C
PNP BDX34 - BDX34A - BDX34B - BDX34C
符号
评级
BDX33
BDX33A
BDX33B
BDX33C
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
BDX33
BDX33A
BDX33B
BDX33C
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
BDX33
BDX33A
BDX33B
BDX33C
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
BDX33
BDX33A
BDX33B
BDX33C
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
BDX33
BDX33A
BDX33B
BDX33C
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
价值
单位
I
C（ RMS）
10
I
C
集电极电流
A
I
CM
15
I
B
基极电流
0.25
A
P
T
功耗
@ T
C
= 25°
70
瓦
W / ℃，
T
J
结温
-65到+150
°C
T
S
储存温度
半导体COMSET
2/6
NPN BDX33 - BDX33A - BDX33B - BDX33C
PNP BDX34 - BDX34A - BDX34B - BDX34C
热特性
符号
评级
BDX33
BDX33A
BDX33B
BDX33C
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
价值
单位
R
THJ -C
热阻，结到外壳
1.78
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件（S ）
BDX33
BDX34
最小典型单位的Mx
45
60
80
100
45
60
80
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
-
-
-
-
V
-
-
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
击穿电压（ * ）
I
C
-100毫安
BDX33A
BDX34A
BDX33B
BDX34B
BDX33C
BDX34C
BDX33
BDX34
V
CER （ SUS）
集电极 - 发射极可持续
I
B
= 100毫安，R
BE
=100
电压（*）
BDX33A
BDX34A
BDX33B
BDX34B
BDX33C
BDX34C
半导体COMSET
3/6
NPN BDX33 - BDX33A - BDX33B - BDX33C
PNP BDX34 - BDX34A - BDX34B - BDX34C
符号
评级
测试条件（S ）
BDX33
BDX34
集电极 - 发射极可持续
I
C
= 100毫安， V
BE
=-1.5 V
电压（*）
BDX33A
BDX34A
BDX33B
BDX34B
BDX33C
BDX34C
BDX33
BDX34
BDX33A
BDX34A
BDX33B
BDX34B
BDX33C
BDX34C
BDX33
BDX34
BDX33A
BDX34A
BDX33B
BDX34B
BDX33C
BDX34C
BDX33
BDX33A
BDX33B
BDX33C
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
BDX33
BDX34
BDX33A
BDX34A
BDX33B
BDX34B
BDX33C
BDX34C
最小典型单位的Mx
45
60
80
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
-
-
mA
-
-
10
-
-
-
-
V
-
-
V
CEV （ SUS ）
V
CB
=22V
T
例
=25°C
V
CB
=30V
V
CB
=40V
V
CB
=50V
V
CB
=22V
I
首席执行官
集电极截止
当前
T
例
=100°C
V
CB
=30V
V
CB
=40V
V
CB
=50V
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
BE
=-5 V
-
-
5.0
mA
V
CBO
=-45 V
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
mA
I
CBO
T
例
=25°C
集电极 - 基极截止
当前
V
CBO
=-60 V
V
CBO
=-80 V
V
CBO
=100 V
半导体COMSET
4/6
NPN BDX33 - BDX33A - BDX33B - BDX33C
PNP BDX34 - BDX34A - BDX34B - BDX34C
符号
评级
测试条件（S ）
BDX33
BDX34
BDX33A
BDX34A
BDX33B
BDX34B
BDX33C
BDX34C
BDX33
BDX33A
BDX34
BDX34A
BDX33B
BDX33C
BDX34B
BDX34C
BDX33
BDX33A
BDX33B
BDX33C
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
BDX33
BDX33A
BDX34
BDX34A
BDX33B
BDX33C
BDX34B
BDX34C
BDX33
BDX33A
BDX34
BDX34A
BDX33B
BDX33C
BDX34B
BDX34C
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
-
-
5
-
-
mA
V
CBO
=45 V
T
例
=100°C
I
CBO
集电极 - 基极截止
当前
V
CBO
=60 V
V
CBO
=80 V
V
CBO
=100 V
I
C
= 4.0 A，I
B
= 8.0毫安
-
-
2.5
V
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和
电压（*）
I
C
= 3.0 A，I
B
= 6.0毫安
-
-
2.5
V
F
正向电压（脉冲
法）
I
F
=8 A
-
-
4.0
V
I
C
= 4.0 A，V
CE
=3.0V
-
-
2.5
V
V
BE
基射极电压（ * ）
I
C
= 3.0 A，V
CE
=3.0V
-
-
2.5
V
CE
= 3.0 V，I
C
=4.0 A
750
-
-
-
h
FE
直流电流增益（ * ）
V
CE
= 3.0 V，I
C
=3.0 A
750
-
-
（ * ）脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
（ 1 ）集电极 - 发射极电压限制等V
CECI
= V
额定通过辅助电路
半导体COMSET
5/6
TRANSYS
电子
L I M I T E
NPN / PNP塑料功率晶体管
BDX33 ， 33A，33B ，33C ， 33D
BDX34 ， 34A，34B ，34C ， 34D
TO-220
塑料包装
达林顿功率线性Switchilng应用
绝对最大额定值
描述
符号
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
集电极电流 -
连续
PEAK
基极电流
设备损耗
@ T = 25℃
减免上述25℃
工作和存储
连接点
温度范围
热阻
结到外壳
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
BDX33
BDX34
45
45
BDX33A BDX33B BDX33C BDX33D
BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D
60
80
100
120
60
80
100
120
5.0
10
15
0.25
70
0.56
-65到+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
C
T
j
, T
英镑
R
日（J -C ）
1.78
摄氏度/ W
电气特性（TC = 25℃除非另有说明）
描述
符号
TEST
BDX33 BDX33A BDX33B BDX33C BDX33D
条件
BDX34 BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D
击穿（SUS ）电压
V
CEO （ SUS ）
*
V
CER （ SUS）
*
V
CEX （ SUS）的
*
集电极切断电流
I
首席执行官
I
C
= 100mA时我
B
=0
I
C
=100mA,
R
BE
=100 W
I
C
=100mA,
V
BE
=1.5V
V
CE
=1/2rated
V
首席执行官
, I
B
=0
Tc=100C
V
CE
=1/2rated
V
首席执行官
, I
B
=0
I
CBO
I
E
=0,V
CB
Rated
V
CBO
,
Tc=100C
I
E
=0,V
CB
Rated
V
CBO
,
>45
>60
>80
>100
>120
单位
V
>45
>45
<0.5
>60
>60
<0.5
>80
>80
<0.5
>100
>100
<0.5
>120
>120
<0.5
V
V
mA
<10
<10
<10
<10
<10
mA
<1
<1
<1
<1
<1
mA
<5
<5
<5
<5
<5
mA
NPN / PNP塑料功率晶体管
BDX33 ， 33A，33B ，33C ， 33D
BDX34 ， 34A，34B ，34C ， 34D
TO-220
塑料包装
电气特性（TC = 25℃除非另有说明）
描述
符号
TEST
BDX33 BDX33A BDX33B BDX33C BDX33D
条件
BDX34 BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D
V
EB
= 5V ，我
C
=O
I
EBO
<10
<10
<10
<10
<10
射极切断电流
V
CE （ SAT ）
* I
C
= 4A ，我
B
=8mA
<2.5
<2.5
集电极发射极
I
C
= 3A ，我
B
=6mA
<2.5
<2.5
<2.5
饱和电压
I
C
= 4A ，V
CE
=3V,
V
BE（上）
*
<2.5V
<2.5
基极发射极电压
I
C
= 3A ，V
CE
=3V
<2.5
<2.5
<2.5
h
FE
*
I
C
= 4A ，V
CE
=3V
直流电流增益
>750
>750
-
-
-
I
C
= 3A ，V
CE
=3V
>750
>750
>750
I
C
=8A
所有
V
F
<4
二极管的正向电压
第二击穿
Secondbreakdown
集电极电流
V
CE
=25V,
I
S / B
**
与基部向前
偏见（不重复）
BDX33系列
>2.8
V
CE
=20V,
BDX34系列
>3.5
V
CE
=36V,
BDX33系列
>1.0
V
CE
=33V,
BDX34系列
>1.0
电气特性（TC = 25℃除非另有说明）
描述
符号
TEST
条件
动态特性
I
c
=1A,V
CE
=5V,
| h
fe
|
小信号
电流增益
f=1MHz
输出电容
C
ob
V
CB
=10V,I
E
=0,
f=1MHz
BDX33系列
BDX34系列
单位
mA
V
V
V
V
V
A
A
A
A
价值
民
最大
单位
1000
200
300
pF
V
CE
= 5V ，我
C
=1A,
f=1MHz
所有
*脉冲测试： - 脉冲Width<300μs ，占空比= <2 ％
**脉冲测试不重复：脉冲宽度= 0.25秒
跃迁频率
f
T
3.0
兆赫
BDX33 ， 33A，33B ，33C ， 33D
BDX34 ， 34A，34B ，34C ， 34D
TO-220
塑料包装
TO- 220塑料包装
B
F
C
E
1
2
3
D
G
J
M
4
暗淡
民
最大
A
14.42
16.51
9.63 10.67
B
3.56
4.83
C
—
0.90
D
1.15
1.40
E
3.75
3.88
F
2.29
2.79
G
2.54
3.43
H
—
0.56
J
12.70 14.73
K
2.80
4.07
L
2.03
2.92
M
—
31.24
N
7 DEG
O
在MM都diminsions 。
H
A
N
L
K
O
O
1
2
3
TO- 220包装管
LABEL
536.00
±1.5
引脚配置
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.收集
尾销
13.74
设备名称
SR 。
数量。
32.85
6.87
管厚度
E
AM
EN
维克
DE老
.
数量
尺寸：mm
50件/管
弹药盒大小
LABEL
92.0
包装细节
包
TO- 220 / FP
75.
0
标准包装
详细
净重量/数量
200个/塑料袋396克/ 200个
50个/管
120克/ 50个
内箱箱
SIZE
数量
3" X 7.5" X 7.5"
1.0K
3.5" X 3.7" X 21.5"
1.0K
AM
EN
维克
DE老
.
Qt的
E
0
8. 0
53
20管/弹药包
1000件/弹药包
外箱BOX
SIZE
数量
克重量
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
16.0K
36公斤
19 QUOT ; ×19 ＆ QUOT ; ×19 ＆ QUOT ;
10.0K
29公斤
TRANSYS
电子
L I M I T E
NPN / PNP塑料功率晶体管
BDX33 ， 33A，33B ，33C ， 33D
BDX34 ， 34A，34B ，34C ， 34D
TO-220
塑料包装
达林顿功率线性Switchilng应用
绝对最大额定值
描述
符号
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
集电极电流 -
连续
PEAK
基极电流
设备损耗
@ T = 25℃
减免上述25℃
工作和存储
连接点
温度范围
热阻
结到外壳
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
BDX33
BDX34
45
45
BDX33A BDX33B BDX33C BDX33D
BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D
60
80
100
120
60
80
100
120
5.0
10
15
0.25
70
0.56
-65到+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
C
T
j
, T
英镑
R
日（J -C ）
1.78
摄氏度/ W
电气特性（TC = 25℃除非另有说明）
描述
符号
TEST
BDX33 BDX33A BDX33B BDX33C BDX33D
条件
BDX34 BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D
击穿（SUS ）电压
V
CEO （ SUS ）
*
V
CER （ SUS）
*
V
CEX （ SUS）的
*
集电极切断电流
I
首席执行官
I
C
= 100mA时我
B
=0
I
C
=100mA,
R
BE
=100 W
I
C
=100mA,
V
BE
=1.5V
V
CE
=1/2rated
V
首席执行官
, I
B
=0
Tc=100C
V
CE
=1/2rated
V
首席执行官
, I
B
=0
I
CBO
I
E
=0,V
CB
Rated
V
CBO
,
Tc=100C
I
E
=0,V
CB
Rated
V
CBO
,
>45
>60
>80
>100
>120
单位
V
>45
>45
<0.5
>60
>60
<0.5
>80
>80
<0.5
>100
>100
<0.5
>120
>120
<0.5
V
V
mA
<10
<10
<10
<10
<10
mA
<1
<1
<1
<1
<1
mA
<5
<5
<5
<5
<5
mA
NPN / PNP塑料功率晶体管
BDX33 ， 33A，33B ，33C ， 33D
BDX34 ， 34A，34B ，34C ， 34D
TO-220
塑料包装
电气特性（TC = 25℃除非另有说明）
描述
符号
TEST
BDX33 BDX33A BDX33B BDX33C BDX33D
条件
BDX34 BDX34A BDX34B BDX34C BDX34D
V
EB
= 5V ，我
C
=O
I
EBO
<10
<10
<10
<10
<10
射极切断电流
V
CE （ SAT ）
* I
C
= 4A ，我
B
=8mA
<2.5
<2.5
集电极发射极
I
C
= 3A ，我
B
=6mA
<2.5
<2.5
<2.5
饱和电压
I
C
= 4A ，V
CE
=3V,
V
BE（上）
*
<2.5V
<2.5
基极发射极电压
I
C
= 3A ，V
CE
=3V
<2.5
<2.5
<2.5
h
FE
*
I
C
= 4A ，V
CE
=3V
直流电流增益
>750
>750
-
-
-
I
C
= 3A ，V
CE
=3V
>750
>750
>750
I
C
=8A
所有
V
F
<4
二极管的正向电压
第二击穿
Secondbreakdown
集电极电流
V
CE
=25V,
I
S / B
**
与基部向前
偏见（不重复）
BDX33系列
>2.8
V
CE
=20V,
BDX34系列
>3.5
V
CE
=36V,
BDX33系列
>1.0
V
CE
=33V,
BDX34系列
>1.0
电气特性（TC = 25℃除非另有说明）
描述
符号
TEST
条件
动态特性
I
c
=1A,V
CE
=5V,
| h
fe
|
小信号
电流增益
f=1MHz
输出电容
C
ob
V
CB
=10V,I
E
=0,
f=1MHz
BDX33系列
BDX34系列
单位
mA
V
V
V
V
V
A
A
A
A
价值
民
最大
单位
1000
200
300
pF
V
CE
= 5V ，我
C
=1A,
f=1MHz
所有
*脉冲测试： - 脉冲Width<300μs ，占空比= <2 ％
**脉冲测试不重复：脉冲宽度= 0.25秒
跃迁频率
f
T
3.0
兆赫
BDX33 ， 33A，33B ，33C ， 33D
BDX34 ， 34A，34B ，34C ， 34D
TO-220
塑料包装
TO- 220塑料包装
B
F
C
E
1
2
3
D
G
J
M
4
暗淡
民
最大
A
14.42
16.51
9.63 10.67
B
3.56
4.83
C
—
0.90
D
1.15
1.40
E
3.75
3.88
F
2.29
2.79
G
2.54
3.43
H
—
0.56
J
12.70 14.73
K
2.80
4.07
L
2.03
2.92
M
—
31.24
N
7 DEG
O
在MM都diminsions 。
H
A
N
L
K
O
O
1
2
3
TO- 220包装管
LABEL
536.00
±1.5
引脚配置
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.收集
尾销
13.74
设备名称
SR 。
数量。
32.85
6.87
管厚度
E
AM
EN
维克
DE老
.
数量
尺寸：mm
50件/管
弹药盒大小
LABEL
92.0
包装细节
包
TO- 220 / FP
75.
0
标准包装
详细
净重量/数量
200个/塑料袋396克/ 200个
50个/管
120克/ 50个
内箱箱
SIZE
数量
3" X 7.5" X 7.5"
1.0K
3.5" X 3.7" X 21.5"
1.0K
AM
EN
维克
DE老
.
Qt的
E
0
8. 0
53
20管/弹药包
1000件/弹药包
外箱BOX
SIZE
数量
克重量
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
16.0K
36公斤
19 QUOT ; ×19 ＆ QUOT ; ×19 ＆ QUOT ;
10.0K
29公斤
BDX34 ， BDX34A ， BDX34B ， BDX34C ， BDX34D
PNP硅功率DARLINGTONS
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1993年8月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用带
BDX33 ， BDX33A ， BDX33B ， BDX33C和
BDX33D
在25 ° C的温度， 70瓦
B
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
q
q
q
1
2
3
10 A连续集电极电流
最低
FE
750在3 V ，3A
C
E
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
BDX34
BDX34A
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
BDX34B
BDX34C
BDX34D
BDX34
BDX34A
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
BDX34B
BDX34C
BDX34D
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注1 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注2 ）
工作自由空气的温度范围
存储温度范围
工作自由空气的温度范围内
注释：1.减额直线到150℃情况下以0.56的比率W / ℃。
2.减额直线到150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
P
合计
T
J
T
英镑
T
A
V
首席执行官
V
CBO
符号
价值
-45
-60
-80
-100
-120
-45
-60
-80
-100
-120
-5
-10
-0.3
70
2
-65到+150
-65到+150
-65到+150
V
A
A
W
W
°C
°C
°C
V
V
单位
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
BDX34 ， BDX34A ， BDX34B ， BDX34C ， BDX34D
PNP硅功率DARLINGTONS
1993年8月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
测试条件
BDX34
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
BDX34A
I
C
= -100毫安
I
B
= 0
（见注3 ）
BDX34B
BDX34C
BDX34D
V
CE
= -30 V
V
CE
= -30 V
V
CE
= -40 V
V
CE
= -50 V
I
首席执行官
集电极 - 发射极
截止电流
V
CE
= -60 V
V
CE
= -30 V
V
CE
= -30 V
V
CE
= -40 V
V
CE
= -50 V
V
CE
= -60 V
V
CB
= -45 V
V
CB
= -60 V
V
CB
= -80 V
V
CB
= -100 V
I
CBO
集电极截止
当前
V
CB
= -120 V
V
CB
= -45 V
V
CB
= -60 V
V
CB
= -80 V
V
CB
= -100 V
V
CB
= -120 V
I
EBO
发射极截止
当前
V
EB
=
V
CE
=
h
FE
正向电流
传输比
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
V
BE（上）
基射
电压
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压
I
B
=
I
B
=
I
B
=
I
B
=
V
EC
并联二极管
正向电压
I
E
=
-5 V
-3 V
-3 V
-3 V
-3 V
-3 V
-3 V
-3 V
-3 V
-3 V
-3 V
-8毫安
-8毫安
-6毫安
-6毫安
-6毫安
-8 A
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
I
C
= -4 A
I
C
= -4 A
I
C
= -3 A
I
C
= -3 A
I
C
= -3 A
I
C
= -4 A
I
C
= -4 A
I
C
= -3 A
I
C
= -3 A
I
C
= -3 A
I
C
= -4 A
I
C
= -4 A
I
C
= -3 A
I
C
= -3 A
I
C
= -3 A
I
B
= 0
（见注3和4）
（见注3和4）
（见注3和4）
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
BDX34D
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
BDX34D
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
BDX34D
750
750
750
750
750
-2.5
-2.5
-2.5
-2.5
-2.5
-2.5
-2.5
-2.5
-2.5
-2.5
-4
V
V
V
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
BDX34D
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
BDX34D
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
BDX34D
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
BDX34D
民
-45
-60
-80
-100
-120
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-10
-10
-10
-10
-10
-1
-1
-1
-1
-1
-5
-5
-5
-5
-5
-10
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
注： 3。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
4.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
产品
信息
2
BDX34 ， BDX34A ， BDX34B ， BDX34C ， BDX34D
PNP硅功率DARLINGTONS
1993年8月 - 修订1997年3月
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.78
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= -3 A
V
BE （OFF）的
= 3.5 V
I
B（上）
= -12毫安
R
L
= 10
民
I
B（关闭）
= 12毫安
t
p
= 20
s,
dc
≤
2%
典型值
1
5
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
3
BDX34 ， BDX34A ， BDX34B ， BDX34C ， BDX34D
PNP硅功率DARLINGTONS
1993年8月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
50000
TCS135AF
集电极 - 发射极饱和电压
vs
集电极电流
-2·0
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
I
B
= I
C
/ 100
TCS135AH
h
FE
- 典型的直流电流增益
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
10000
-1·5
1000
-1·0
V
CE
= -3 V
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
100
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
-0·5
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
图1 。
图2中。
基射极饱和电压
vs
集电极电流
-3·0
V
BE （ SAT ）
- 基射极饱和电压 - V
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
TCS135AJ
-2·5
-2·0
-1·5
-1·0
I
B
= I
C
/ 100
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
-0·5
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
网络连接gure 3 。
产品
信息
4
BDX34 ， BDX34A ， BDX34B ， BDX34C ， BDX34D
PNP硅功率DARLINGTONS
1993年8月 - 修订1997年3月
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
80
P
合计
- 最大功耗 - W
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
TIS130AB
图4中。
产品
信息
5
BDX34 ， BDX34A ， BDX34B ， BDX34C ， BDX34D
晶体管德PUISSANCE PNP达林顿
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1993年8月 - 修订1997年3月
q
晶体管complémentaire conut倒理由utilisé AVEC
BDX33 ， BDX33A ， BDX33B ， BDX33C和
BDX33D
70瓦25 ° C的温度都BOITIER
B
BOITIER的TO-220
Vue公司德dessus
q
q
q
1
2
3
10 A柯朗continu德collecteur
最低
FE
750在3 V ，3A
C
E
香格里拉楼书美国东部时间2恩咨询AVEC乐BOITIER
MDTRACA
Valeurs limites absolues单
UNE températeur BOITIER日25℃
参数应用
BDX34
BDX34A
张力集电极基（我
E
= 0)
BDX34B
BDX34C
BDX34D
BDX34
BDX34A
张力集电极emetteur （我
B
= 0)
BDX34B
BDX34C
BDX34D
张力Emetteur基
新闻报德collecteur恩continu
新闻报德基地连接continu
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注1 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注2 ）
温德fonctionnement A L'空气自由报
Tempétature德STOCKAGE
温德fonctionnement A L'空气自由报
注释：1.减额直线到150℃情况下以0.56的比率W / ℃。
2.减额直线到150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
T
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
P
合计
T
J
英镑
Symbole
VALEUR
-45
-60
盟
V
CBO
-80
-100
-120
-45
-60
V
V
首席执行官
-80
-100
-120
-5
-10
-0.3
70
2
-65到+150
-65到+150
-65到+150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
°C
T
A
BDX34 ， BDX34A ， BDX34B ， BDX34C ， BDX34D
晶体管德PUISSANCE PNP达林顿
1993年8月 - 修订1997年3月
Caractéristiques électriques AVEC乐BOITIER 25 ° C（ sauf指示）
参数应用
条件
BDX34
V
（ BR ） CEO
张力德claquage
Collecteur - emetteur
BDX34A
I
C
= -100毫安
I
B
= 0
（案中注3 ）
BDX34B
BDX34C
BDX34D
V
CE
= -30 V
V
CE
= -30 V
V
CE
= -40 V
V
CE
= -50 V
I
首席执行官
新闻报德bloquage
Collecteur - emetteur
V
CE
= -60 V
V
CE
= -30 V
V
CE
= -30 V
V
CE
= -40 V
V
CE
= -50 V
V
CE
= -60 V
V
CB
= -45 V
V
CB
= -60 V
V
CB
= -80 V
V
CB
= -100 V
I
CBO
新闻报德bloquage
金collecteur
V
CB
= -120 V
V
CB
= -45 V
V
CB
= -60 V
V
CB
= -80 V
V
CB
= -100 V
V
CB
= -120 V
I
EBO
新闻报德bloquage
A L' émetteur
V
EB
=
V
CE
=
h
FE
收益
恩柯朗
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
V
BE（上）
紧张
基射
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
V
CE （ SAT ）
张力去饱和
Collecteur - emetteur
I
B
=
I
B
=
I
B
=
I
B
=
V
EC
柯朗直接丹斯
LA平行二极管
I
E
=
-5 V
-3 V
-3 V
-3 V
-3 V
-3 V
-3 V
-3 V
-3 V
-3 V
-3 V
-8毫安
-8毫安
-6毫安
-6毫安
-6毫安
-8 A
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
I
C
= -4 A
I
C
= -4 A
I
C
= -3 A
I
C
= -3 A
I
C
= -3 A
I
C
= -4 A
I
C
= -4 A
I
C
= -3 A
I
C
= -3 A
I
C
= -3 A
I
C
= -4 A
I
C
= -4 A
I
C
= -3 A
I
C
= -3 A
I
C
= -3 A
I
B
= 0
（案中注3等4 ）
（案中注3等4 ）
（案中注3等4 ）
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
BDX34D
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
BDX34D
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
BDX34D
750
750
750
750
750
-2.5
-2.5
-2.5
-2.5
-2.5
-2.5
-2.5
-2.5
-2.5
-2.5
-4
V
V
V
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
BDX34D
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
BDX34D
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
BDX34D
BDX34
BDX34A
BDX34B
BDX34C
BDX34D
民
-45
-60
-80
-100
-120
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-10
-10
-10
-10
-10
-1
-1
-1
-1
-1
-5
-5
-5
-5
-5
-10
mA
mA
mA
V
典型值
最大
团结
注： 3的CES参数应用SONT obtenus连接utilisant德impulsions ，
t
p
= 300微秒，融洽cyclique
≤
2%.
4.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
BDX34 ， BDX34A ， BDX34B ， BDX34C ， BDX34D
PNP硅功率DARLINGTONS
1993年8月 - 修订1997年3月
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.78
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= -3 A
V
BE （OFF）的
= 3.5 V
I
B（上）
= -12毫安
R
L
= 10
民
I
B（关闭）
= 12毫安
t
p
= 20
s,
dc
≤
2%
典型值
1
5
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
3
BDX34 ， BDX34A ， BDX34B ， BDX34C ， BDX34D
PNP硅功率DARLINGTONS
1993年8月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
50000
TCS135AF
集电极 - 发射极饱和电压
vs
集电极电流
-2·0
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
I
B
= I
C
/ 100
TCS135AH
h
FE
- 典型的直流电流增益
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
10000
-1·5
1000
-1·0
V
CE
= -3 V
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
100
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
-0·5
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
图1 。
图2中。
基射极饱和电压
vs
集电极电流
-3·0
V
BE （ SAT ）
- 基射极饱和电压 - V
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
TCS135AJ
-2·5
-2·0
-1·5
-1·0
I
B
= I
C
/ 100
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
-0·5
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
网络连接gure 3 。
产品
信息
4
BDX34 ， BDX34A ， BDX34B ， BDX34C ， BDX34D
PNP硅功率DARLINGTONS
1993年8月 - 修订1997年3月
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
80
P
合计
- 最大功耗 - W
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
TIS130AB
图4中。
产品
信息
5
BDX34/A/B/C
BDX34/A/B/C
Power线性和开关应用
高增益通用
达林顿功率TR
分别补充到BDX33 / 33A / 33B / 33C
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
： BDX34
： BDX34A
： BDX34B
： BDX34C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
： BDX34
： BDX34A
： BDX34B
： BDX34C
集电极电流（ DC ）
*集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
- 45
- 60
- 80
- 100
- 45
- 60
- 80
- 100
- 10
- 15
- 0.25
70
150
- 65 ~ 150
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
参数
价值
单位
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
BDX34/A/B/C
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： BDX34
： BDX34A
： BDX34B
： BDX34C
*集电极发射极耐受电压
： BDX34
： BDX34A
： BDX34B
： BDX34C
*集电极发射极耐受电压
： BDX34
： BDX34A
： BDX34B
： BDX34C
集电极截止电流
： BDX34
： BDX34A
： BDX34B
： BDX34C
I
首席执行官
集电极截止电流
： BDX34
： BDX34A
： BDX34B
： BDX34C
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
*直流电流增益
： BDX34 / 34A
： BDX34B / 34C
V
CE
（SAT）
*集电极 - 发射极饱和电压
： BDX34 / 34A
： BDX34B / 34C
*基射极电压ON
： BDX34 / 34A
： BDX34B / 34C
*并联二极管正向电压
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 4A
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 3A
I
C
= - 4A ，我
B
= - 8毫安
I
C
= - 3A ，我
B
= - 6毫安
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 4A
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 3A
I
F
= - 8A
750
750
- 2.5
- 2.5
- 2.5
- 2.5
-4
V
V
V
V
V
V
CE
= - 22V ，我
B
= 0
V
CE
= - 30V ，我
B
= 0
V
CE
= - 40V ，我
B
=0
V
CE
= - 50V ，我
B
= 0
V
EB
= - 5V ，我
C
= 0
- 0.5
- 0.5
- 0.5
- 0.5
-5
mA
mA
mA
mA
mA
V
CB
= - 45V ，我
E
= 0
V
CB
= - 60V ，我
E
= 0
V
CB
= - 80V ，我
E
= 0
V
CB
= - 100V ，我
E
= 0
- 0.2
- 0.2
- 0.2
- 0.2
mA
mA
mA
mA
测试条件
I
C
= -100mA ，我
B
= 0
分钟。
- 45
- 60
- 80
- 100
- 45
- 60
- 80
- 100
- 45
- 60
- 80
- 100
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
CER
（ SUS）的
I
C
= -1 00毫安，我
B
= 0
R
BE
= 100
V
CEV
（ SUS）的
I
C
= - 100mA时我
B
= 0
V
BE
= - 1.5V
I
CBO
V
BE
（上）
V
F
*脉冲测试： PW = 300μS ，占空比= 1.5 ％脉冲
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2000仙童半导体国际
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