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SMD型
NPN达林顿晶体管
KST50 ; KST51 ; KST52
（ BST50 ; BST51 ; BST52 ）
SOT-89
晶体管
单位：mm
+0.1
1.50
-0.1
特点
大电流（最大0.5 A ）
低电压（最大80 V）
集成的二极管和电阻。
+0.1
0.48
-0.1
+0.1
4.50
-0.1
1.80
+0.1
-0.1
+0.1
2.50
-0.1
+0.1
0.53
-0.1
+0.1
4.00
-0.1
+0.1
0.80
-0.1
+0.1
0.44
-0.1
+0.1
2.60
-0.1
+0.1
3.00
-0.1
+0.1
0.40
-0.1
1.基地
2.收集
3. Emiitter
绝对最大额定值大= 25
参数
KST50
集电极 - 基极电压
KST51
KST52
KST50
集电极 - 发射极电压
KST51
KST52
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流
功率耗散T
AMB
25
*
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
R
号（j -a）的
R
日（ J- S）
T
j
T
英镑
V
首席执行官
V
CBO
符号
等级
60
80
90
45
60
80
5
0.5
1.5
100
1.3
96
16
150
-65到+150
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
W
K / W
K / W
从结点到环境的热阻*
从结热阻到焊点
结温
储存温度
*设备安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，
安装垫集热6厘米
2
.
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1
SMD型
KST50 ; KST51 ; KST52
（ BST50 ; BST51 ; BST52 ）
电气特性TA = 25
参数
KST50
收藏家Cuto FF电流
KST51
KST52
发射Cuto FF电流
直流电流增益
I
EBO
h
FE
I
CES
符号
Testconditons
V
BE
=0;V
CE
=45V
V
BE
=0;V
CE
=60V
V
BE
=0;V
CE
=80V
V
EB
= 4V ，我
C
= 0
I
C
= 150毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 10V
集电极 - 发射极饱和电压
基地emitte rsaturation电压
开启时间
打开-O FF时间
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
I
C
= 500毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 0.5毫安;吨
J
=150
V
BE （ SAT ）
I
C
= 500毫安;我
B
=0.5mA
t
on
t
关闭
f
T
I
CON
= 500毫安;我
BON
= 0.5毫安;
I
B关
= -0.5毫安
I
C
= 500毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
1000
2000
民
晶体管
典型值
最大
50
50
50
50
单位
nA
nA
nA
nA
1.3
1.3
1.9
400
1500
200
V
V
V
ns
ns
兆赫
记号
号
记号
KST50
AS1
KST51
AS2
KST52
AS3
2
www.kexin.com.cn
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D109
BST50 ; BST51 ; BST52
NPN达林顿晶体管
产品speci fi cation
取代1997年的数据4月16日
1999年4月26日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
特点
大电流（最大0.5 A ）
低电压（最大80 V）
集成的二极管和电阻。
应用
工业开关应用中，例如：
- 打印锤
- 电磁阀
- 中继和灯驱动。
描述
NPN达林顿晶体管在SOT89塑料包装。
PNP补充： BST60 ， BST61和BST62 。
1
2
手册， halfpage
BST50 ; BST51 ; BST52
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
描述
2
3
3
MAM327
1
记号
类型编号
BST50
BST51
BST52
标识代码
AS1
AS2
AS3
底部视图
Fig.1简化外形（ SOT89 ）和符号。
1999年4月26日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BST50
BST51
BST52
V
CES
集电极 - 发射极电压
BST50
BST51
BST52
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
V
BE
= 0
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
BST50 ; BST51 ; BST52
分钟。
65
65
马克斯。
60
80
90
45
60
80
5
0.5
1.5
100
1.3
+150
150
+150
V
V
V
V
V
V
V
A
A
单位
mA
W
°C
°C
°C
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
1999年4月26日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
BST50 ; BST51 ; BST52
条件
注1
价值
96
16
单位
K / W
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CES
参数
集电极截止电流
BST50
BST51
BST52
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
V
BE
= 0; V
CE
= 45 V
V
BE
= 0; V
CE
= 60 V
V
BE
= 0; V
CE
= 80 V
I
C
= 0; V
EB
= 4 V
V
CE
= 10 V ;注意1 ; （见图2）
I
C
= 150毫安
I
C
= 500毫安
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
跃迁频率
I
C
= 500毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 0.5毫安;
T
j
= 150
°C
I
C
= 500毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 500毫安; V
CE
= 5 V;
F = 100 MHz的
1000
2000
200
1.3
1.3
1.9
V
V
V
兆赫
50
50
50
50
nA
nA
nA
nA
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
BESAT
f
T
（ 10％至90％的水平）的切换时间;
（见图3）
t
on
t
关闭
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
开启时间
打开-O FF时间
I
CON
= 500毫安;我
BON
= 0.5毫安;
I
B关
=
0.5
mA
400
1500
ns
ns
1999年4月26日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
BST50 ; BST51 ; BST52
手册，全页宽
5000
MGD838
的hFE
4000
3000
2000
1000
0
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
V
CE
= 10 V.
图2直流电流增益;典型值。
手册，全页宽
VBB
VCC
RB
示波器
Vi
R1
（探头）
450
R2
RC
Vo
（探头）
450
DUT
示波器
MLB826
V
i
= 10 V ; T = 200
s;
t
p
= 6
s;
t
r
= t
f
≤
3纳秒。
R1 = 56
;
R2 = 10 kΩ的;
B
= 10 kΩ的;
C
= 18
.
V
BB
=
1.8
V; V
CC
= 10.7 V.
示波器：输入阻抗Z
i
= 50
.
图3测试电路的开关时间。
1999年4月26日
5
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