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分立半导体
数据表
BGY43
甚高频功率放大器器模块
产品speci fi cation
取代1991年5月数据
在分离式半导体文件, SC09
1996年6月6日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频功率放大器器模块
特点
宽带甚高频放大器
为13W的输出功率
从12 V车辆直接运行
电气系统
应用
移动通信设备
在148至174 MHz的工作
频率范围。
描述
该BGY43是一个两级放大器
在SOT132B封装模块。该
模块包括一个两阶段的射频的
功放采用NPN硅平面
晶体管死亡与集总元件
匹配元件,在塑料
带状线封装。负
电源内部连接到
FL法兰。
快速参考数据
射频性能在T
h
= 25
°C.
的模式
手术
CW
f
(兆赫)
148至174
V
S1
; V
S2
(V)
12.5
P
D
( mW)的
≤150;
典型值80
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
P
L
(W)
>13
钉扎 - SOT132B
1
2
3
4
5
6
7
轮缘
描述
RF输入
V
S1
V
S2
RF输出
顶视图
手册, halfpage
BGY43
12 3 4
5 67
MSB029
Fig.1简化外形。
Z
S
, Z
L
()
50
本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的光盘不被损坏。
所有的人谁处理,使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全
预防措施。使用后,可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物
该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。
1996年6月6日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频功率放大器器模块
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
S1
V
S2
V
i
V
o
P
D
P
L
T
英镑
T
h
直流电源电压
直流电源电压
RF输入端的电压
射频输出端电压
输入驱动器电源
负载功率
储存温度
工作温度散热片
参数
40
分钟。
马克斯。
16.5
16.5
±25
±25
300
18
+100
90
BGY43
单位
V
V
V
V
mW
W
°C
°C
MGE661
手册, halfpage
20
PL
(W)
16
12
8
4
0
50
0
50
TH( ° C)
100
VSWR = 1 。
图2功率降额曲线。
1996年6月6日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频功率放大器器模块
特征
Z
S
= Z
L
= 50
;
V
S1
= V
S2
= 12.5 V ; F = 148 174 MHz的;牛逼
h
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
I
Q1
I
Q2
P
D
η
H
2
H
3
VSWR
in
参数
漏电流
漏电流
输入驱动器电源
EF网络效率
二次谐波
三次谐波
输入VSWR
相对于50
P
D
= 0
P
D
= 0
P
L
= 13 W
P
L
= 13 W
条件
分钟。
40
25
25
典型值。
5
15
80
48
34
34
BGY43
马克斯。
150
单位
mA
mA
mW
%
dBc的
dBc的
1 : 1.5
手册,全页宽
5
+V
S1
3
+V
S2
7
R.F.产量
R.F.输入
1
2
4
司机
P.A.
MGE660
6
图3电路图。
1996年6月6日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频功率放大器器模块
稳定性
该模块是稳定的负载电压驻波比达到3 :1(全
当满足下列条件内运行阶段) :
V
S1
= V
S2
= 10 V至16.5 V ; P
D
= 30 300毫瓦;
F = 148 174 MHz的; P
L
18 W(匹配) 。
耐用性
该模块将承受50的负载失配驻波比: 1
(所有阶段)进行短时间的过载条件下,用驱动器
电源和直流电源电压在最大值,
提供的组合不导致匹配
超出射频输出功率。
MOUNTING
为了确保良好的热传导模块应
安装在散热片与一个平坦的表面
模块之间的热传导化合物施加
散热器。如果隔离垫圈的情况下,散热片
化合物应施加于垫圈的两侧。
毛刺和空穴的增稠剂在散热器应
除去和3mm的螺栓拧紧到0.5 Nm的扭矩。
该器件的引线可以直接焊接到
使用烙铁,最高温度电路
245
°C
为不大于10秒的一段距离
至少为1毫米的塑料。
应用信息
额定功率
BGY43
在一般情况下,建议从输出功率
标称条件下的模块不应超过
为了提供下足够的安全余量16 W
故障情况。
输出功率控制
该模块的目的不是要在很宽的操作
范围的输出功率电平。输出的目的
功率控制是设置为标称输出功率电平。
输出功率控制的优选方法是通过改变
30和200毫瓦之间的驱动力。下一个选项
是通过改变V
S1
6和12.5 V之间
1996年6月6日
5
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