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SOT23封装P沟道增强
模式垂直DMOS FET
第2期？ 1995年9月
7
PARTMARKING详细信息 -
SP
BSS84
D
G
S
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压峰值
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
分钟。
-50
-0.8
-1.5
-1
-2
-2.0
-15
-60
-100
栅源漏
当前
漏源导通状态
电阻（1）
前锋
跨导（1）
(2)
输入电容（ 2 ）
输出电容
反向传输
电容（2）
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
t
j
:t
英镑
典型值。
马克斯。
价值
-50
-130
-520
±
20
单位
V
mA
mA
V
mW
°C
360
-55到+150
单位
V
V
A
A
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
漏源
击穿电压
栅极 - 源
Threashold电压
零栅极电压
漏电流
条件。
V
GS
= 0V时，我
D
=0.25mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-1mA
T
j
=25 °C
T
j
=125 °C
V
DS
=-50V, V
GS
=0V(2
)
T =25
°
C
V
DS
=-25V, V
GS
=0V
j
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
TD （上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
0.05
-1
6
0.07
40
15
6
10
10
18
25
-10
10
nA
V
GS
=
±
20V
V
DS
=0V
V
GS
=-5V
I
D
=-100mA
V
DS
=-25V
I
D
=-100mA
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1MHz
V
DD
=-30V
I
D
=-0.27A
V
GS
=-10V
R
GS
=50
S
pF
导通时间t
on
关断时间t
关闭
ns
*（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比2 ％
（ 2 ）样品测试。
3 - 69
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供货商
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批号
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封装
单价/备注
操作
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