【分立半导体数据表andbook ， halfpageMBD128BF1204双N沟道双栅MOS- F】,IC型号BF1204,BF1204 PDF资料,BF1204经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

andbook ， halfpage

MBD128

BF1204

双N沟道双栅

MOS- FET的

产品speci fi cation

取代2000年的数据11月13日

2001年4月25日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双N沟道双栅MOS -FET

特点

在一个单一的两个低噪声增益控制放大器

包

AGC在优越的交叉调制性能

高正向转移导纳

高正向转移导纳输入电容

比。

应用

增益控制的低噪声放大器的VHF和UHF

应用具有3至9伏的电源电压，如数字

与模拟电视调谐器和专业

通信设备。

描述

的BF1204是两个相等的双栅极的组合

MOS -FET放大器共用源极和栅极2引线。

的源极和基片相互连接。内部偏置

电路使DC稳定和非常好的

AGC在交叉调制性能。集成

门和源极之间的二极管防止

过高的输入电压浪涌。该晶体管具有一

SOT363微小型塑料封装。

钉扎 - SOT363

针

1

2

3

4

5

6

门1的（a ）

门2

1号门（B ）

漏（二）

来源

漏极（一）

BF1204

描述

手册， halfpage

6

5

4

D（ A）

s

D（ B）

AMP

a

AMP

b

1

2

3

G1（一）

g2

G1 （二）

MBL252

顶视图

标记代号： L3-

Fig.1简化外形和符号。

快速参考数据

符号

参数

条件

分钟。

T

s

≤

102

°C;

注1

I

D

= 12毫安; F = 1 MHz的

I

D

= 12毫安; F = 1 MHz的

F = 1 MHz的

F = 800 MHz的

25

典型值。

30

1.7

15

1.1

105

马克斯。

单位

每个MOS -FET ;除非另有规定编

V

DS

I

D

P

合计

y

fs

C

ig1-s

C

RSS

NF

X

MOD

T

j

记

1. T

s

是在源极引线的焊接点的温度。

小心

此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏

和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。

2001年4月25日

2

漏源电压

漏电流（ DC ）

总功耗

正向转移导纳

在1号门的输入电容

反向传输电容

噪音科幻gure

交叉调制

工作结温

10

30

200

40

2.2

1.8

150

V

mA

mW

mS

pF

fF

dB

dBμV的

°C

输入电平为K = 1 ％时40分贝AGC 100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双N沟道双栅MOS -FET

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

参数

条件

T

s

≤

102

°C

65

分钟。

BF1204

马克斯。

单位

每个MOS -FET ;除非另有规定编

V

DS

I

D

I

G1

I

G2

P

合计

T

英镑

T

j

漏源电压

漏电流（ DC ）

门1电流

门2的电流

总功耗

储存温度

工作结温

10

30

±10

200

+150

150

V

mA

mW

°C

热特性

符号

R

第j个-S

参数

热阻结到焊接点

价值

240

单位

K / W

手册， halfpage

250

MGS359

P合计

（ mW）的

200

150

100

50

0

50

100

150

TS （ ° C）

200

图2功率降额曲线。

2001年4月25日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双N沟道双栅MOS -FET

静态特性

T

j

= 25

°C;

每个MOS -FET ;除非另有规定ED 。

符号

V

（ BR ） DSS

参数

条件

分钟。

10

6

0.5

0.3

8

BF1204

马克斯。

10

1.5

1

1.2

16

50

20

单位

V

mA

nA

漏源击穿电压V

G1-S

= V

G2-S

= 0; I

D

= 10

A

V

(BR)G1-SS

栅源击穿电压V

GS

= V

DS

= 0; I

G1-S

= 10毫安

V

(BR)G2-SS

栅源击穿电压V

GS

= V

DS

= 0; I

G2-S

= 10毫安

V

(F)S-G1

V

(F)S-G2

V

G1-S(th)

V

G2-S(th)

I

DSX

I

G1-S

I

G2-S

记

1. R

G1

到V连接门1

GG

= 5 V.

动态特性

向前源极 - 栅极电压

门源阈值电压

漏 - 源电流

栅极截止电流

V

G2-S

= V

DS

= 0; I

S-G1

= 10毫安

V

G1-S

= V

DS

= 0; I

S-G2

= 10毫安

V

DS

= 5 V; V

G2-S

= 4 V ;我

D

= 100

A

V

DS

= 5 V; V

G1-S

= 4 V ;我

D

= 100

A

V

G2-S

= 4 V; V

DS

= 5 V ;

G

= 120 kΩ的;注1

V

G1-S

= 5 V; V

G2-S

= V

DS

= 0

V

G2-S

= 4 V; V

G1-S

= V

DS

= 0

常见的来源;牛逼

AMB

= 25

°C;

V

G2-S

= 4 V; V

DS

= 5 V ;我

D

= 12毫安;每个MOS- FET的

(1)

;除非另有规定ED 。

符号

y

fs

C

ig1-ss

C

ig2-ss

C

OSS

C

RSS

G

tr

参数

正向转移导纳

在1号门的输入电容

在2号门的输入电容

输出电容

反向传输电容

功率增益

T

j

= 25

°C

F = 1 MHz的

F = 200 MHz的;

S

= 2毫秒; B

S

= B

S（ OPT ）

;

G

L

= 0.5毫秒; B

L

= B

L（ OPT ）

;注1

F = 400 MHz的;

S

= 2毫秒; B

S

= B

S（ OPT ）

;

G

L

= 1毫秒; B

L

= B

L（ OPT ）

;注1

条件

分钟。

25

30

26

典型值。

30

1.7

3.3

0.85

15

34

30

25

9

0.9

1.1

92

105

马克斯。

40

2.2

38

34

29

11

1.5

1.8

单位

mS

pF

fF

dB

dBμV的

F = 800 MHz的;

S

= 3.3毫秒; B

S

= B

S（ OPT ）

; 21

G

L

= 1毫秒; B

L

= B

L（ OPT ）

;注1

NF

噪音科幻gure

F = 10.7兆赫;

S

= 20毫秒; B

S

= 0

F = 400 MHz的;

S

= Y

S（ OPT ）

F = 800 MHz的;

S

= Y

S（ OPT ）

X

MOD

交叉调制

输入电平为K = 1在0dB AGC ％ ;

f

w

= 50 MHz的; F

UNW

= 60 MHz的;注意2

输入电平为K = 1时10分贝AGC ％ ;

f

w

= 50 MHz的; F

UNW

= 60 MHz的;注意2

输入电平为K = 1时40分贝AGC ％ ;

f

w

= 50 MHz的; F

UNW

= 60 MHz的;注意2

笔记

1.对于MOS -FET未使用： V

G1-S

= 0; V

DS

= 0.

2.测图19中的测试电路。

2001年4月25日

4

90

100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双N沟道双栅MOS -FET

所有图形FOR ONE MOS -FET

MCD952

BF1204

手册， halfpage

20

ID

（MA ）

VG2-S

=

4 V

3.5 V

3V

2.5 V

手册， halfpage

24

MCD953

16

2V

ID

（MA ）

16

VG1-S

=

1.5 V

1.4 V

1.3 V

12

8

1.5 V

8

1.2 V

1.1 V

1V

4

1V

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2

VG1 -S （V）的

0.9 V

0

2

4

6

8

10

VDS （ V）

V

DS

= 5 V.

T

j

= 25

°C.

V

G2-S

= 4 V.

T

j

= 25

°C.

图3传输特性;典型值。

图4输出特性;典型值。

手册， halfpage

100

MCD954

IG1

VG2-S

=

4 V

3.5 V

3V

手册， halfpage

40

MCD955

(A)

80

YFS

（女士）

30

VG2-S

=

4 V

3.5 V

3V

60

2.5 V

20

2.5 V

40

2V

10

20

1.5 V

0

0.5

1

1.5

1V

2

2.5

VG1 -S （V）的

0

4

8

12

16

20

ID （MA ）

2V

V

DS

= 5 V.

T

j

= 25

°C.

V

DS

= 5 V.

T

j

= 25

°C.

Fig.5

1号门电流门1的功能

电压;典型值。

Fig.6

正向转移导纳的功能

漏电流;典型值。

2001年4月25日

5

分立半导体

数据表

andbook ， halfpage

MBD128

BF1204

双N沟道双栅

MOS- FET的

产品speci fi cation

取代2000年的数据11月13日

2001年4月25日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双N沟道双栅MOS -FET

特点

在一个单一的两个低噪声增益控制放大器

包

AGC在优越的交叉调制性能

高正向转移导纳

高正向转移导纳输入电容

比。

应用

增益控制的低噪声放大器的VHF和UHF

应用具有3至9伏的电源电压，如数字

与模拟电视调谐器和专业

通信设备。

描述

的BF1204是两个相等的双栅极的组合

MOS -FET放大器共用源极和栅极2引线。

的源极和基片相互连接。内部偏置

电路使DC稳定和非常好的

AGC在交叉调制性能。集成

门和源极之间的二极管防止

过高的输入电压浪涌。该晶体管具有一

SOT363微小型塑料封装。

钉扎 - SOT363

针

1

2

3

4

5

6

门1的（a ）

门2

1号门（B ）

漏（二）

来源

漏极（一）

BF1204

描述

手册， halfpage

6

5

4

D（ A）

s

D（ B）

AMP

a

AMP

b

1

2

3

G1（一）

g2

G1 （二）

MBL252

顶视图

标记代号： L3-

Fig.1简化外形和符号。

快速参考数据

符号

参数

条件

分钟。

T

s

≤

102

°C;

注1

I

D

= 12毫安; F = 1 MHz的

I

D

= 12毫安; F = 1 MHz的

F = 1 MHz的

F = 800 MHz的

25

典型值。

30

1.7

15

1.1

105

马克斯。

单位

每个MOS -FET ;除非另有规定编

V

DS

I

D

P

合计

y

fs

C

ig1-s

C

RSS

NF

X

MOD

T

j

记

1. T

s

是在源极引线的焊接点的温度。

小心

此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏

和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。

2001年4月25日

2

漏源电压

漏电流（ DC ）

总功耗

正向转移导纳

在1号门的输入电容

反向传输电容

噪音科幻gure

交叉调制

工作结温

10

30

200

40

2.2

1.8

150

V

mA

mW

mS

pF

fF

dB

dBμV的

°C

输入电平为K = 1 ％时40分贝AGC 100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双N沟道双栅MOS -FET

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

参数

条件

T

s

≤

102

°C

65

分钟。

BF1204

马克斯。

单位

每个MOS -FET ;除非另有规定编

V

DS

I

D

I

G1

I

G2

P

合计

T

英镑

T

j

漏源电压

漏电流（ DC ）

门1电流

门2的电流

总功耗

储存温度

工作结温

10

30

±10

200

+150

150

V

mA

mW

°C

热特性

符号

R

第j个-S

参数

热阻结到焊接点

价值

240

单位

K / W

手册， halfpage

250

MGS359

P合计

（ mW）的

200

150

100

50

0

50

100

150

TS （ ° C）

200

图2功率降额曲线。

2001年4月25日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双N沟道双栅MOS -FET

静态特性

T

j

= 25

°C;

每个MOS -FET ;除非另有规定ED 。

符号

V

（ BR ） DSS

参数

条件

分钟。

10

6

0.5

0.3

8

BF1204

马克斯。

10

1.5

1

1.2

16

50

20

单位

V

mA

nA

漏源击穿电压V

G1-S

= V

G2-S

= 0; I

D

= 10

A

V

(BR)G1-SS

栅源击穿电压V

GS

= V

DS

= 0; I

G1-S

= 10毫安

V

(BR)G2-SS

栅源击穿电压V

GS

= V

DS

= 0; I

G2-S

= 10毫安

V

(F)S-G1

V

(F)S-G2

V

G1-S(th)

V

G2-S(th)

I

DSX

I

G1-S

I

G2-S

记

1. R

G1

到V连接门1

GG

= 5 V.

动态特性

向前源极 - 栅极电压

门源阈值电压

漏 - 源电流

栅极截止电流

V

G2-S

= V

DS

= 0; I

S-G1

= 10毫安

V

G1-S

= V

DS

= 0; I

S-G2

= 10毫安

V

DS

= 5 V; V

G2-S

= 4 V ;我

D

= 100

A

V

DS

= 5 V; V

G1-S

= 4 V ;我

D

= 100

A

V

G2-S

= 4 V; V

DS

= 5 V ;

G

= 120 kΩ的;注1

V

G1-S

= 5 V; V

G2-S

= V

DS

= 0

V

G2-S

= 4 V; V

G1-S

= V

DS

= 0

常见的来源;牛逼

AMB

= 25

°C;

V

G2-S

= 4 V; V

DS

= 5 V ;我

D

= 12毫安;每个MOS- FET的

(1)

;除非另有规定ED 。

符号

y

fs

C

ig1-ss

C

ig2-ss

C

OSS

C

RSS

G

tr

参数

正向转移导纳

在1号门的输入电容

在2号门的输入电容

输出电容

反向传输电容

功率增益

T

j

= 25

°C

F = 1 MHz的

F = 200 MHz的;

S

= 2毫秒; B

S

= B

S（ OPT ）

;

G

L

= 0.5毫秒; B

L

= B

L（ OPT ）

;注1

F = 400 MHz的;

S

= 2毫秒; B

S

= B

S（ OPT ）

;

G

L

= 1毫秒; B

L

= B

L（ OPT ）

;注1

条件

分钟。

25

30

26

典型值。

30

1.7

3.3

0.85

15

34

30

25

9

0.9

1.1

92

105

马克斯。

40

2.2

38

34

29

11

1.5

1.8

单位

mS

pF

fF

dB

dBμV的

F = 800 MHz的;

S

= 3.3毫秒; B

S

= B

S（ OPT ）

; 21

G

L

= 1毫秒; B

L

= B

L（ OPT ）

;注1

NF

噪音科幻gure

F = 10.7兆赫;

S

= 20毫秒; B

S

= 0

F = 400 MHz的;

S

= Y

S（ OPT ）

F = 800 MHz的;

S

= Y

S（ OPT ）

X

MOD

交叉调制

输入电平为K = 1在0dB AGC ％ ;

f

w

= 50 MHz的; F

UNW

= 60 MHz的;注意2

输入电平为K = 1时10分贝AGC ％ ;

f

w

= 50 MHz的; F

UNW

= 60 MHz的;注意2

输入电平为K = 1时40分贝AGC ％ ;

f

w

= 50 MHz的; F

UNW

= 60 MHz的;注意2

笔记

1.对于MOS -FET未使用： V

G1-S

= 0; V

DS

= 0.

2.测图19中的测试电路。

2001年4月25日

4

90

100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双N沟道双栅MOS -FET

所有图形FOR ONE MOS -FET

MCD952

BF1204

手册， halfpage

20

ID

（MA ）

VG2-S

=

4 V

3.5 V

3V

2.5 V

手册， halfpage

24

MCD953

16

2V

ID

（MA ）

16

VG1-S

=

1.5 V

1.4 V

1.3 V

12

8

1.5 V

8

1.2 V

1.1 V

1V

4

1V

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2

VG1 -S （V）的

0.9 V

0

2

4

6

8

10

VDS （ V）

V

DS

= 5 V.

T

j

= 25

°C.

V

G2-S

= 4 V.

T

j

= 25

°C.

图3传输特性;典型值。

图4输出特性;典型值。

手册， halfpage

100

MCD954

IG1

VG2-S

=

4 V

3.5 V

3V

手册， halfpage

40

MCD955

(A)

80

YFS

（女士）

30

VG2-S

=

4 V

3.5 V

3V

60

2.5 V

20

2.5 V

40

2V

10

20

1.5 V

0

0.5

1

1.5

1V

2

2.5

VG1 -S （V）的

0

4

8

12

16

20

ID （MA ）

2V

V

DS

= 5 V.

T

j

= 25

°C.

V

DS

= 5 V.

T

j

= 25

°C.

Fig.5

1号门电流门1的功能

电压;典型值。

Fig.6

正向转移导纳的功能

漏电流;典型值。

2001年4月25日

5