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BSS84AKV

为50V， 170毫安双P沟道MOSFET的沟道

第1版 - 2011年5月19日

产品数据表

1.产品廓

1.1概述

双P沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个超小型和平板

铅SOT666表面贴装器件（ SMD）采用沟槽MOSFET塑料包装

技术。

1.2特点和优点

逻辑电平兼容

非常快速的切换

沟槽MOSFET技术

ESD保护高达1千伏

AEC- Q101对外贸易资质网络编辑

1.3应用

继电器驱动器

高速线路驱动器

高端loadswitch

开关电路

1.4快速参考数据

表1中。

符号

DSON

快速参考数据

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

= -10 V ;牛逼

AMB

= 25 °C

= -10 V ;我

= -100毫安;

= 25 °C

[1]

条件

= 25 °C

民

-20

典型值

4.5

最大单位

-50

每个晶体管

-170毫安

7.5

静态特性（每个晶体管）

[1]

设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ），单面铜，镀锡，安装垫

漏1厘米

恩智浦半导体

BSS84AKV

为50V， 170毫安双P沟道MOSFET的沟道

2.管脚信息

表2中。

针

管脚信息

符号说明

源1

门1

排水2

源2

门2

排水1

sym147

简化的轮廓

图形符号

SOT666 （ SOT666 ）

3.订购信息

表3中。

订购信息

包

名字

BSS84AKV

SOT666

描述

塑料表面贴装封装; 6引线

VERSION

SOT666

类型编号

4.标记

表4 。

标记代码

标识代码

[1]

类型编号

BSS84AKV

[1]

％ =占位符的生产基地代码

BSS84AKV

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恩智浦半导体

BSS84AKV

为50V， 170毫安双P沟道MOSFET的沟道

5.极限值

表5 。

符号

合计

极限值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

峰值漏极电流

总功耗

= -10 V ;牛逼

AMB

= 25 °C

= -10 V ;牛逼

AMB

= 100 °C

AMB

= 25°C ;单脉冲;吨

≤

10 s

AMB

= 25 °C

每个器件

合计

AMB

英镑

ESD

[1]

[2]

[3]

[2]

[1]

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

条件

= 25 °C

民

-20

[2]

最大

-50

-170

-110

-0.7

330

390

1090

500

150

-170

1000

单位

°C

每个晶体管

总功耗

结温

环境温度

储存温度

源出电流

静电放电电压

AMB

= 25 °C

-55

-65

源极 - 漏极二极管

AMB

= 25 °C

HBM

[1]

ESD最大额定值

[3]

设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ），单面铜，镀锡，安装垫排水1厘米

设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ），单面铜，镀锡和标准的足迹。

测量之间的所有引脚。

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3 17

恩智浦半导体

BSS84AKV

为50V， 170毫安双P沟道MOSFET的沟道

120

DER

(%)

001aao121

120

DER

(%)

001aao122

-75

-25

125

(°C)

175

-75

-25

125

(°C)

175

图1 。

归一化的总功耗为

结温度的函数

-1

图2 。

标准化的连续漏极电流为

结温度的函数

001aao140

(A)

-10

-1

(1)

(2)

(3)

-10

-2

(4)

(5)

-10

-3

-10

-1

-10

(V)

-10

是单脉冲

(1) t

= 1毫秒

(2) t

= 10毫秒

（3 ）直流;牛逼

= 25 °C

(4) t

= 100毫秒

（ 5 ）直流;牛逼

AMB

= 25°C ;漏装垫片1厘米

图3 。

安全工作区;结到环境;连续和峰值漏极电流为漏 - 源功能

电压

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恩智浦半导体

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为50V， 170毫安双P沟道MOSFET的沟道

6.热特性

表6 。

符号

每个器件

号（j -a）的

每个晶体管

号（j -a）的

日（J -SP ）

热阻结到

环境

从结热阻焊接

点

在自由空气

[1]

[2]

热特性

参数

热阻结到

环境

条件

在自由空气

[1]

民

典型值

最大

250

单位

K / W

330

280

380

320

115

K / W

[1]

[2]

设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。

设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ），单面铜，镀锡，安装垫排水1厘米

号（j -a）的

（K / W）

占空比= 1

0.75

0.5

0.33

0.25

0.1

0.2

0.05

017aaa034

0.02

0.01

(s)

FR4 PCB，标准的足迹

图4 。

每个晶体管：结点的瞬态热阻抗至环境如脉冲持续时间的函数;

典型值

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5 17

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