STB80NE03L-06
N沟道30V - 0.005Ω - 85A - D
2
PAK
的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB80NE03L-06
■
■
■
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.006
I
D
80A
3
1
DV dt能力EXCEPTIONAL /
低栅电荷100℃
100％的雪崩测试
D
2
PAK
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此，一个显着的制造
重现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB80NE03L-06
记号
B80NE03L
包
DPAK
包装
磁带&卷轴
2006年7月
REV 6
1/13
www.st.com
13
目录
STB80NE03L-06
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
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STB80NE03L-06
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
降额因子
价值
30
30
± 20
80
60
320
1
150
7
-55至175
W
V / ns的
°C
单位
V
V
V
A
A
A
P
合计
dv / dt的
(2)
T
J
TSTG
总功耗在T
C
= 25°C
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
贮藏期温度
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2. I
SD
< 20A ， di / dt的< 100A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表2中。
符号
R
thJC
R
thJA
T
l
热阻
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
价值
1
62.5
300
单位
° C / W
° C / W
°C
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n = IAR， VDD = 50V ）
最大值
80
600
单位
A
mJ
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电气特性
STB80NE03L-06
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
DS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10 V，I
D
= 40A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 40A
1
1.7
0.005
分钟。
30
1
10
±100
2.5
0.006
0.008
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表5 。
符号
g
fs(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 40A
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
=0
分钟。
30
典型值。
50
6500
1500
500
95
30
44
130
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DD
= 24 V，I
D
= 80A,
V
GS
= 5V
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关闭电压上升时间
下降时间
跨越时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 40 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5 V
图12 。
V
DD
= 24 V，I
D
= 80 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 5V
图12 。
分钟。
典型值。
40
260
70
165
250
马克斯。
55
350
95
220
340
单位
ns
ns
ns
ns
ns
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STB80NE03L-06
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80A ，V
GS
= 0
I
SD
= 80 A,
的di / dt = 100A / μs的，V
DD
= 15
V，T
J
= 150°C
图15 。
75
0.14
4
测试条件
民
典型值。
最大
80
320
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲与受安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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