SOT23 NPN硅平面媒体
功率开关晶体管
第2期？ 1995年9月
7
PARTMARKING细节？
BSS66 -
BSS67 -
BSS66R -
BSS67R -
M6
M7
M8
M9
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
t
j
:t
英镑
分钟。
40
60
6
50
0.20
0.30
0.65
20
35
50
30
15
40
70
100
60
30
250
300
4
8
（典型值） 。 6
35
200
50
0.85
0.95
BSS66
BSS67
C
B
价值
60
40
6
200
100
50
330
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
集电极 - 发射极击穿电压V
（ BR ） CEO
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极饱和电压
静态正向电流
传输比
BSS66
MAX 。 UNIT
V
V
V
nA
V
V
V
V
条件。
I
C
=1mA
I
C
=10A
I
E
=10A
V
CES
=30V
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA*
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA*
I
C
=100A,
I
C
=1mA,
I
C
= 10毫安，V
CE
=1V
I
C
=50mA*,
I
C
=100mA*,
I
C
=100A,
I
C
=1mA,
I
C
= 10毫安，V
CE
=1V
I
C
=50mA*,
I
C
=100mA*,
150
静态正向电流
传输比
BSS67
h
FE
300
跃迁频率
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
BSS66
BSS67
f
T
C
敖包
C
IBO
N
t
d
; t
f
t
s
t
f
兆赫
兆赫
pF
pF
dB
ns
ns
ns
I
C
= 10毫安，V
CE
=20V
f=100MHz
V
CB
= 5V ， F = 100kHz的
V
EB
= 0.5V ， F = 100kHz的
I
C
= 100μA ，V
CE
=5V
R
S
= 1kΩ的， F = 10Hz的to15.7千赫
V
CC
= 3V ，我
C
=10mA
I
B1
= I
B2
=1mA
开关时间：延迟;上升
贮存时间
下降时间
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
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7
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BSS66 -
BSS67 -
BSS66R -
BSS67R -
M6
M7
M8
M9
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
t
j
:t
英镑
分钟。
40
60
6
50
0.20
0.30
0.65
20
35
50
30
15
40
70
100
60
30
250
300
4
8
（典型值） 。 6
35
200
50
0.85
0.95
BSS66
BSS67
C
B
价值
60
40
6
200
100
50
330
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
集电极 - 发射极击穿电压V
（ BR ） CEO
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极饱和电压
静态正向电流
传输比
BSS66
MAX 。 UNIT
V
V
V
nA
V
V
V
V
条件。
I
C
=1mA
I
C
=10A
I
E
=10A
V
CES
=30V
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA*
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA*
I
C
=100A,
I
C
=1mA,
I
C
= 10毫安，V
CE
=1V
I
C
=50mA*,
I
C
=100mA*,
I
C
=100A,
I
C
=1mA,
I
C
= 10毫安，V
CE
=1V
I
C
=50mA*,
I
C
=100mA*,
150
静态正向电流
传输比
BSS67
h
FE
300
跃迁频率
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
BSS66
BSS67
f
T
C
敖包
C
IBO
N
t
d
; t
f
t
s
t
f
兆赫
兆赫
pF
pF
dB
ns
ns
ns
I
C
= 10毫安，V
CE
=20V
f=100MHz
V
CB
= 5V ， F = 100kHz的
V
EB
= 0.5V ， F = 100kHz的
I
C
= 100μA ，V
CE
=5V
R
S
= 1kΩ的， F = 10Hz的to15.7千赫
V
CC
= 3V ，我
C
=10mA
I
B1
= I
B2
=1mA
开关时间：延迟;上升
贮存时间
下降时间
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
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功率开关晶体管
第2期？ 1995年9月
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BSS66 -
BSS67 -
BSS66R -
BSS67R -
M6
M7
M8
M9
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
t
j
:t
英镑
分钟。
40
60
6
50
0.20
0.30
0.65
20
35
50
30
15
40
70
100
60
30
250
300
4
8
（典型值） 。 6
35
200
50
0.85
0.95
BSS66
BSS67
C
B
价值
60
40
6
200
100
50
330
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
集电极 - 发射极击穿电压V
（ BR ） CEO
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极饱和电压
静态正向电流
传输比
BSS66
MAX 。 UNIT
V
V
V
nA
V
V
V
V
条件。
I
C
=1mA
I
C
=10A
I
E
=10A
V
CES
=30V
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA*
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA*
I
C
=100A,
I
C
=1mA,
I
C
= 10毫安，V
CE
=1V
I
C
=50mA*,
I
C
=100mA*,
I
C
=100A,
I
C
=1mA,
I
C
= 10毫安，V
CE
=1V
I
C
=50mA*,
I
C
=100mA*,
150
静态正向电流
传输比
BSS67
h
FE
300
跃迁频率
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
BSS66
BSS67
f
T
C
敖包
C
IBO
N
t
d
; t
f
t
s
t
f
兆赫
兆赫
pF
pF
dB
ns
ns
ns
I
C
= 10毫安，V
CE
=20V
f=100MHz
V
CB
= 5V ， F = 100kHz的
V
EB
= 0.5V ， F = 100kHz的
I
C
= 100μA ，V
CE
=5V
R
S
= 1kΩ的， F = 10Hz的to15.7千赫
V
CC
= 3V ，我
C
=10mA
I
B1
= I
B2
=1mA
开关时间：延迟;上升
贮存时间
下降时间
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
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