单芯片内置FET型开关稳压器系列
高效率降压型
开关稳压器
与内置功率MOSFET
BD9106FVM,BD9107FVM,BD9109FVM,BD9110NV,BD9120HFN
No.09027EAT33
°说明
ROHM的高效率降压型开关稳压器（ BD9106FVM ， BD9107FVM ， BD9109FVM ， BD9110NV ， BD9120HFN ）
都设计成产生一个低电压，包括从5 / 3.3伏的电源线1伏的电源。提供高
我们原来的脉冲跳跃效率控制技术和同步整流器。采用电流模式控制
系统提供对负载突然变化更快的瞬态响应。
■特点
1 ）提供电流模式PWM控制系统快速瞬态响应。
2 ）提供高效率，为所有负载范围内同步整流器（ N沟道/ P沟道FET ）
TM
和SLLM （简单轻负载模式）
3 ）采用软启动功能。
4 ）结合过热保护和ULVO功能。
5 ）采用了短路保护电路延时功能。
6 ）采用关机功能
7 ）雇用小型表面贴装封装
MSOP8 （ BD9106FVM ， BD9107FVM ， BD9109FVM ） ， HSON8 （ BD9120HFN ） ， SON008V5060 （ BD9110NV ）
“使用
电源的LSI ，包括DSP ，微型计算机和ASIC
“行
up
参数
输入电压
输出电压
输出电流
UVLO阈值电压
短路保护
带延时功能
软启动功能
待机电流
工作温度范围
包
“操作
条件（ TA = 25 ℃ ）
参数
V
CC
电压
PV
CC
电压
EN电压
SW平均输出电流
* 1的Pd不应该被超过。
BD9106FVM
4.0½5.5V
可调整的
(1.0½2.5V)
0.8A最大。
3.4V （典型值） 。
BD9107FVM
4.0½5.5V
可调整的
(1.0½1.8V)
1.2A最大。
2.7V （典型值） 。
BD9109FVM
4.5½5.5V
3.30±2%
0.8A最大。
3.8V典型。
内建的
内建的
0μA典型。
BD9110NV
4.5½5.5V
可调整的
(1.0½2.5V)
2.0A最大。
3.7V典型。
BD9120HFN
2.7½4.5V
可调整的
(1.0½1.5V)
0.8A最大。
2.5V （典型值） 。
-25½+85℃
-25½+85℃
MSOP8
-25½+85℃
-25½+105℃
SON008V5060
-25½+85℃
HSON8
符号
V
CC
*1
PV
CC
*1
EN
ISW
*1
BD9106FVM
分钟。
4.0
4.0
0
-
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
0.8
BD9107FVM
分钟。
4.0
4.0
0
-
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
1.2
BD9109FVM
分钟。
4.5
4.5
0
-
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
0.8
BD9110NV
分钟。
4.5
4.5
0
-
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
2.0
BD9120HFN
分钟。
2.7
2.7
0
-
马克斯。
4.5
4.5
V
CC
0.8
单位
V
V
V
A
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1/28
2009.05 - Rev.A的
BD9106FVM,BD9107FVM,BD9109FVM,BD9110NV,BD9120HFN
“绝对
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
V
CC
电压
PV
CC
电压
EN电压
SW ， ITH电压
功耗1
功耗2
工作温度范围
存储温度范围
最高结温
*2
*3
*4
*5
*6
*7
*8
技术说明
符号
V
CC
PV
CC
EN
SW ， ITH
Pd1
Pd2
TOPR
TSTG
TJMAX
BD910□FVM
-0.3½+7
*2
-0.3½+7
*2
-0.3½+7
-0.3½+7
387.5
*3
587.4
*4
-25½+85
-55½+150
+150
范围
BD9110NV
-0.3½+7
*2
-0.3½+7
*2
-0.3½+7
-0.3½+7
900
*5
3900
*6
-25½+105
-55½+150
+150
BD9120HFN
-0.3½+7
*2
-0.3½+7
*2
-0.3½+7
-0.3½+7
1350
*7
1750
*8
-25½+85
-55½+150
+150
单位
V
V
V
V
mW
mW
℃
℃
℃
钯不应超过。
降额在做3.1mW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ 。
降额在做4.7mW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ ，装在70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板。
降额中完成的7.2MW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ ，装在70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板
具有1层铜的（3％）的背面侧） 。
降额中完成的31.2mW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ ，根据JESD51-7安装在电路板上。
降额中完成的10.8mW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ ，装在70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板
具有1层的铜（7％）的背面侧） 。
降额中完成的14MW / ℃的温度高于环境温度为25 ℃ ，装在70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板
具有1层的铜（65％）的背面侧） 。
ⅵELECTRICAL
特征
◎BD9106FVM
（ TA = 25 ℃ ，V
CC
= 5V ， EN = V
CC
, R
1
= 20kΩ时，R
2
= 10kΩ的，除非另有规定）。
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
待机电流
I
机顶盒
-
0
10
μA
偏置电流
I
CC
-
250
400
μA
EN低压
V
ENL
-
GND
0.8
V
EN高压
V
ENH
2.0
VCC
-
V
EN输入电流
I
EN
-
1
10
μA
振荡频率
F
OSC
0.8
1
1.2
兆赫
*9
P沟道FET导通电阻
R
ONP
-
0.35
0.60
*9
N沟道FET导通电阻
R
ONN
-
0.25
0.50
ADJ电压
V
ADJ
0.780
0.800
0.820
V
*9
输出电压
V
OUT
-
1.200
-
V
第i个
SI
NK电流
I
THSI
10
20
-
μA
第i个
S
环境允许
C
光凭目前
I
THSO
10
20
-
μA
UVLO阈值电压
V
UVLOTH
3.2
3.4
3.6
V
UVLO滞后电压
V
UVLOHYS
50
100
200
mV
软启动时间
T
SS
1.5
3
6
ms
定时锁定时间
T
LATCH
0.5
1
2
ms
* 9的设计保证（去检查是不是对所有的产品进行）
条件
EN = GND
待机模式
主动模式
V
EN
=5V
PV
CC
=5V
PV
CC
=5V
ADJ = H
ADJ = L
V
CC
= H → L
◎BD9107FVM
（ TA = 25 ℃ ，V
CC
= 5V ， EN = V
CC
, R
1
= 20kΩ时，R
2
= 10kΩ的，除非另有规定）。
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
待机电流
I
机顶盒
-
0
10
μA
偏置电流
I
CC
-
250
400
μA
EN低压
V
ENL
-
GND
0.8
V
EN高压
V
ENH
2.0
VCC
-
V
EN输入电流
I
EN
-
1
10
μA
振荡频率
F
OSC
0.8
1
1.2
兆赫
*9
P沟道FET导通电阻
R
ONP
-
0.35
0.60
*9
N沟道FET导通电阻
R
ONN
-
0.25
0.50
ADJ电压
V
ADJ
0.780
0.800
0.820
V
*9
输出电压
V
OUT
-
1.200
-
V
第i个
SI
NK电流
I
THSI
10
20
-
μA
第i个
S
环境允许
C
光凭目前
I
THSO
10
20
-
μA
UVLO阈值电压
V
UVLOTH
2.6
2.7
2.8
V
UVLO滞后电压
V
UVLOHYS
150
300
600
mV
软启动时间
T
SS
0.5
1
2
ms
定时锁定时间
T
LATCH
0.5
1
2
ms
* 9的设计保证（去检查是不是对所有的产品进行）
条件
EN = GND
待机模式
主动模式
V
EN
=5V
PV
CC
=5V
PV
CC
=5V
V
OUT
=H
V
OUT
=L
V
CC
= H → L
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2/28
2009.05 - Rev.A的
BD9106FVM,BD9107FVM,BD9109FVM,BD9110NV,BD9120HFN
ⅵELECTRICAL
特征
◎BD9109FVM
（ TA = 25 ℃ ，V
CC
？光伏
CC
= 5V ， EN = V
CC
除非另有规定）。
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
待机电流
I
机顶盒
-
0
10
偏置电流
I
CC
-
250
400
EN低压
V
ENL
-
GND
0.8
EN高压
V
ENH
2.0
VCC
-
EN输入电流
I
EN
-
1
10
振荡频率
F
OSC
0.8
1
1.2
P沟道FET导通电阻
*9
R
ONP
-
0.35
0.60
*9
N沟道FET导通电阻
R
ONN
-
0.25
0.50
输出电压
V
OUT
3.234
3.300
3.366
第i个
SI
NK电流
I
THSI
10
20
-
第i个
S
环境允许
C
光凭目前
I
THSO
10
20
-
UVLO阈值电压
V
UVLO1
3.6
3.8
4.0
UVLO滞后电压
V
UVLO2
3.65
3.9
4.2
软启动时间
T
SS
0.5
1
2
定时锁定时间
T
LATCH
1
2
3
输出短路
V
SCP
-
2
2.7
阈值电压
* 9的设计保证（去检查是不是对所有的产品进行）
技术说明
单位
μA
μA
V
V
μA
兆赫
V
μA
μA
V
V
ms
ms
V
条件
EN = GND
待机模式
主动模式
V
EN
=5V
PV
CC
=5V
PV
CC
=5V
V
OUT
=H
V
OUT
=L
V
CC
= H → L
V
CC
= L→H
SCP / TSD操作
V
OUT
= H → L
◎BD9110NV
（ TA = 25 ℃ ，V
CC
？光伏
CC
= 5V ， EN = V
CC
, R
1
=10k,R
2
= 5kΩ的，除非另有规定）。
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
待机电流
I
机顶盒
-
0
10
μA
偏置电流
I
CC
-
250
350
μA
EN低压
V
ENL
-
GND
0.8
V
EN高压
V
ENH
2.0
V
CC
-
V
EN输入电流
I
EN
-
1
10
μA
振荡频率
F
OSC
0.8
1
1.2
兆赫
*9
P沟道FET导通电阻
R
ONP
-
200
320
m
*9
N沟道FET导通电阻
R
ONN
-
150
270
m
ADJ电压
V
ADJ
0.780
0.800
0.820
V
*9
输出电压
V
OUT
-
1.200
-
V
第i个
SI
NK电流
I
THSI
10
20
-
μA
第i个
S
环境允许
C
光凭目前
I
THSO
10
20
-
μA
UVLO阈值电压
V
UVLOTH
3.5
3.7
3.9
V
UVLO滞后电压
V
UVLOHYS
50
100
200
mV
软启动时间
T
SS
2.5
5
10
ms
定时锁定时间
T
LATCH
0.5
1
2
ms
* 9的设计保证（去检查是不是对所有的产品进行）
条件
EN = GND
待机模式
主动模式
V
EN
=5V
PV
CC
=5V
PV
CC
=5V
V
OUT
=H
V
OUT
=L
V
CC
= H → L
◎BD9120HFN
（ TA = 25 ℃ ，V
CC
？光伏
CC
= 3.3V ， EN = V
CC
, R
1
= 20kΩ时，R
2
= 10kΩ的，除非另有规定）。
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
待机电流
I
机顶盒
-
0
10
μA
EN = GND
偏置电流
I
CC
-
200
400
μA
EN低压
V
ENL
-
GND
0.8
V
待机模式
EN高压
V
ENH
2.0
V
CC
-
V
主动模式
EN输入电流
I
EN
-
1
10
μA
V
EN
=3.3V
振荡频率
F
OSC
0.8
1
1.2
兆赫
*9
P沟道FET导通电阻
R
ONP
-
0.35
0.60
PV
CC
=3.3V
*9
N沟道FET导通电阻
R
ONN
-
0.25
0.50
PV
CC
=3.3V
ADJ电压
V
ADJ
0.780
0.800
0.820
V
*9
输出电压
V
OUT
-
1.200
-
V
第i个
SI
NK电流
I
THSI
10
20
-
μA
V
OUT
=H
第i个
S
环境允许
C
光凭目前
I
THSO
10
20
-
μA
V
OUT
=L
UVLO阈值电压
V
UVLO1
2.400
2.500
2.600
V
V
CC
= H → L
UVLO滞后电压
V
UVLO2
2.425
2.550
2.700
V
V
CC
= L→H
软启动时间
T
SS
0.5
1
2
ms
定时锁定时间
T
LATCH
1
2
3
ms
SCP / TSD操作
输出短路
-
V
OUT
×0.5 V
OUT
×0.7
V
V
OUT
= H → L
V
SCP
阈值电压
* 9的设计保证（去检查是不是对所有的产品进行）
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2009.05 - Rev.A的
BD9106FVM,BD9107FVM,BD9109FVM,BD9110NV,BD9120HFN
*特点
data【BD9106FVM】
2.0
2.0
技术说明
【V
OUT
=1.8V】
输出电压： VOUT [ V]
【V
OUT
=1.8V】
1.5
输出电压： VOUT [ V]
2.0
【V
OUT
=1.8V】
输出电压： VOUT [ V]
1.5
Ta=25℃
Io=0A
1.5
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
VCC=5V
Ta=25℃
Io=0A
0
1
2
3
4
5
0.5
VCC=5V
Ta=25℃
0.0
0
1
2
3
0.0
0
1
2
3
4
输入电压： V
CC
[V]
5
0.0
EN电压： VEN [ V]
输出电流：我
OUT
[A]
图1 VCC- Vout的
图2法师， Vout的
图3电流输出， Vout的
1.85
1.84
输出电压： VOUT [ V]
100
【V
OUT
=1.8V】
效率：
η
[%]
1.20
1.15
频率：F
OSC
[兆赫]
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
90
【V
OUT
=1.8V】
80
70
60
50
40
30
20
10
0
VCC=5V
1.83
1.82
1.81
1.80
1.79
1.78
1.77
1.76
1.75
VCC=5V
Io=0A
VCC=5V
Ta=25℃
1
10
100
输出电流：我
OUT
[马]
1000
-25 -15
-5
5
15
25
35
45
55 65
75
85
-25 -15 -5
5
15
25 35
45 55
65 75
85
温度：钽[
℃
]
温度：钽[
℃
]
图4的Ta - Vout的
图5效率
图6钽FOSC
0.40
0.35
ON
[Ω]
2.0
1.8
1.6
EN电压： VEN [ V]
350
VCC=5V
短路电流：我
CC
[
μ
A]
VCC=5V
300
250
200
150
100
50
0
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
PMOS
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
导通电阻，R
NMOS
VCC=5V
-25 -15
-5
5
15
25 35
45
55
65
75
85
0.2
0.0
-25 -15 -5
5
15
25
35 45
55 65 75
85
-25 -15
-5
5
15
25 35
45
55
65
75
85
温度：钽[
℃
]
温度：钽[
℃
]
温度：钽[
℃
]
图7大安罗恩， RONP
图8大安法师
图9的Ta -ICC
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4/28
2009.05 - Rev.A的
BD9106FVM,BD9107FVM,BD9109FVM,BD9110NV,BD9120HFN
技术说明
1.2
频率：F
OSC
[兆赫]
1.1
V
CC
？光伏
CC
· EN
【V
OUT
=1.8V】
· SLLM
控制
V
OUT
=1.8V】
SW
1
0.9
V
OUT
VCC=5V
Ta=25℃
Io=0A
4
4.5
5
输入电压： V
CC
[V]
5.5
V
OUT
VCC=5V
Ta=25℃
0.8
图10 VCC- FOSC
图11软启动波形
图12 SW波形木卫一= 10毫安
PWM
控制
V
OUT
=1.8V】
V
OUT
【V
OUT
=1.8V】
V
OUT
【V
OUT
=1.8V】
SW
V
OUT
VCC=5V
Ta=25℃
I
OUT
VCC=5V
Ta=25℃
I
OUT
VCC=5V
Ta=25℃
图13 SW波形木卫一= 200毫安
图。 14瞬态响应
Io=100→600mA(10μs)
图15瞬态响应
Io=600→100mA(10μs)
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附录
笔记
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本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
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在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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