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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第75页 > BSS123LT3
BSS123LT1
首选设备
功率MOSFET
170毫安, 100伏
N沟道SOT- 23
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
170毫安
100伏
R
DS ( ON)
= 6
W
N沟道
3
符号
V
DSS
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
价值
100
±
20
±
40
0.17
0.68
单位
VDC
1
VDC
VPK
ADC
2
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
- 连续
- 不重复(T
p
50
女士)
漏电流
- 连续(注1)
- 脉冲(注2)
SA
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(注3 )T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
225
1.8
556
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
2
SA
M
=器件代码
=日期代码
引脚分配
3
1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极
电流。
2.脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2.0%.
3, FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
1
2
来源
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年3月 - 修订版5
出版订单号:
BSS123LT1/D
M
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
被超过,设备功能操作不暗示,可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
记号
3
SOT23
CASE 318
21风格
BSS123LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0, I
D
= 250
MADC )
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0, V
DS
= 100伏)
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
门体漏电流
(V
GS
= 20伏,V
DS
= 0)
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
15
60
50
NADC
100
VDC
MADC
基本特征
(注4 )
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0 MADC )
静态漏源导通电阻
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 100 MADC )
正向跨导
(V
DS
= 25伏直流,我
D
= 100 MADC )
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
g
fs
0.8
80
5.0
2.8
6.0
VDC
W
毫姆欧
动态特性
输入电容
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输出电容
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
反向传输电容
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
20
9.0
4.0
pF
pF
pF
开关特性
(4)
导通延迟时间
关断延迟时间
(V
CC
= 30伏直流电,我
C
= 0.28 ADC ,
V
GS
= 10伏,R
GS
= 50
W)
t
D(上)
t
D(关闭)
20
40
ns
ns
反向二极管
二极管正向导通电压
(I
D
= 0.34 ADC ,V
GS
= 0伏)
4.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2.0%.
V
SD
1.3
V
订购信息
设备
BSS123LT1
BSS123LT1G
BSS123LT3
BSS123LT3G
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
BSS123LT1
典型电气特性
2.0
1.8
I D ,漏极电流( AMPS )
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1.0
2.0 3.0 4.0
5.0
6.0 7.0 8.0
V
DS
, DRAN源极电压(伏)
T
A
= 25°C
I D ,漏极电流( AMPS )
V
GS
= 10 V
9V
8V
7V
6V
5V
4V
3V
9.0
10
1.0
V
DS
= 10 V
0.8
0.6
0.4
0.2
55
°C
125°C
25°C
0
1.0
2.0 3.0 4.0
5.0
6.0 7.0 8.0
V
GS
,门源极电压(伏)
9.0
10
图1.欧姆区
图2.传输特性
R DS(ON ),静态漏源导通电阻
(归一化)
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
60
20
+20
+60
T,温度( ° C)
+100
+140
V
GS
= 10 V
I
D
= 200毫安
VGS ( th)时,阈值电压(标准化)
2.4
1.2
1.05
1.1
1.10
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
60
20
+20
+60
T,温度( ° C)
+100
+140
V
DS
= V
GS
I
D
= 1.0毫安
图3.温度与静
漏源导通电阻
图4.温度与门
阈值电压
http://onsemi.com
3
BSS123LT1
包装尺寸
SOT23
(TO236)
CASE 318-08
ISSUE AK
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了,新
标准318-08 。
英寸
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0350
0.0440
0.0150
0.0200
0.0701
0.0807
0.0005
0.0040
0.0034
0.0070
0.0140
0.0285
0.0350
0.0401
0.0830
0.1039
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
A
L
3
1
2
B·S
V
G
C
D
H
K
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
风格21 :
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 : 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O. 61312盒,凤凰城,亚利桑那州85082-1312 USA
电话:
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
电话:
81357733850
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息,请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
BSS123LT1/D
BSS123LT1
首选设备
功率MOSFET
170毫安, 100伏
N沟道SOT- 23
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
170毫安
100伏
R
DS ( ON)
= 6
W
N沟道
3
符号
V
DSS
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
价值
100
±
20
±
40
0.17
0.68
单位
VDC
1
VDC
VPK
ADC
2
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
- 连续
- 不重复(T
p
50
女士)
漏电流
- 连续(注1)
- 脉冲(注2)
SA
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(注3 )T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
225
1.8
556
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
2
SA
M
=器件代码
=日期代码
引脚分配
3
1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极
电流。
2.脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2.0%.
3, FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
1
2
来源
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年3月 - 修订版5
出版订单号:
BSS123LT1/D
M
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
被超过,设备功能操作不暗示,可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
记号
3
SOT23
CASE 318
21风格
BSS123LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0, I
D
= 250
MADC )
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0, V
DS
= 100伏)
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
门体漏电流
(V
GS
= 20伏,V
DS
= 0)
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
15
60
50
NADC
100
VDC
MADC
基本特征
(注4 )
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0 MADC )
静态漏源导通电阻
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 100 MADC )
正向跨导
(V
DS
= 25伏直流,我
D
= 100 MADC )
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
g
fs
0.8
80
5.0
2.8
6.0
VDC
W
毫姆欧
动态特性
输入电容
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输出电容
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
反向传输电容
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
20
9.0
4.0
pF
pF
pF
开关特性
(4)
导通延迟时间
关断延迟时间
(V
CC
= 30伏直流电,我
C
= 0.28 ADC ,
V
GS
= 10伏,R
GS
= 50
W)
t
D(上)
t
D(关闭)
20
40
ns
ns
反向二极管
二极管正向导通电压
(I
D
= 0.34 ADC ,V
GS
= 0伏)
4.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2.0%.
V
SD
1.3
V
订购信息
设备
BSS123LT1
BSS123LT1G
BSS123LT3
BSS123LT3G
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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2
BSS123LT1
典型电气特性
2.0
1.8
I D ,漏极电流( AMPS )
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1.0
2.0 3.0 4.0
5.0
6.0 7.0 8.0
V
DS
, DRAN源极电压(伏)
T
A
= 25°C
I D ,漏极电流( AMPS )
V
GS
= 10 V
9V
8V
7V
6V
5V
4V
3V
9.0
10
1.0
V
DS
= 10 V
0.8
0.6
0.4
0.2
55
°C
125°C
25°C
0
1.0
2.0 3.0 4.0
5.0
6.0 7.0 8.0
V
GS
,门源极电压(伏)
9.0
10
图1.欧姆区
图2.传输特性
R DS(ON ),静态漏源导通电阻
(归一化)
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
60
20
+20
+60
T,温度( ° C)
+100
+140
V
GS
= 10 V
I
D
= 200毫安
VGS ( th)时,阈值电压(标准化)
2.4
1.2
1.05
1.1
1.10
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
60
20
+20
+60
T,温度( ° C)
+100
+140
V
DS
= V
GS
I
D
= 1.0毫安
图3.温度与静
漏源导通电阻
图4.温度与门
阈值电压
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3
BSS123LT1
包装尺寸
SOT23
(TO236)
CASE 318-08
ISSUE AK
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了,新
标准318-08 。
英寸
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0350
0.0440
0.0150
0.0200
0.0701
0.0807
0.0005
0.0040
0.0034
0.0070
0.0140
0.0285
0.0350
0.0401
0.0830
0.1039
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
A
L
3
1
2
B·S
V
G
C
D
H
K
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
风格21 :
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 : 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
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安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
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安森美半导体文学配送中心
P.O. 61312盒,凤凰城,亚利桑那州85082-1312 USA
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480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
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480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
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