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BCX 51 /五十三分之五十二
在SOT89 PNP硅平面中功率晶体管
特点
I
C
= -1A连续集电极电流
低饱和电压V
CE ( SAT )
< -500mV @ -0.5A
增益组10和16
外延平面片建设
互补NPN型: BCX54 ,55,和56
无铅,符合RoHS (注1 )
卤素和无锑。 “绿色”设备(注2 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例: SOT89
外壳材料:模压塑料, “绿色”模塑
化合物(注2 )
防火等级94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020 1级
终端:雾锡完成
重量: 0.072克(近似值)
应用
中功率开关或放大应用
自动对焦驱动级和输出级
SOT89
C
E
B
C
C
B
E
顶视图
设备符号
顶视图
引脚输出
订购信息
(注3)
产品
BCX51TA
BCX5110TA
BCX5116TA
BCX52TA
BCX5210TA
BCX5216TA
BCX53TA
BCX5310TA
BCX5316TA
BCX5316TC
BCX5316-13R
注意事项:
记号
AA
AC
AD
AE
AG
AM
AH
AK
AL
AL
AL
卷尺寸(英寸)
7
7
7
7
7
7
7
7
7
13
13
胶带宽度(mm)
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
QUANTITY每卷
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
4,000
4,000
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com
3.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com
标识信息
XX =产品型号标识代码,如下所示:
xx
BCX51 = AA
BCX5110 = AC
BCX5116 = AD
BCX52 = AE
BCX5210 = AG
BCX5316 = AM
BCX53 AH =
BCX5310 = AK
BCX5316 = AL
BCX 51 /五十三分之五十二
数据表编号: DS35368修订版2 - 2
1 7
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2011年6月
Diodes公司
BCX 51 /五十三分之五十二
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲集电极电流
连续基极电流
峰值脉冲电流基地
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
BCX51
-45
-45
BCX52
-60
-60
-5
-1
-1.5
-100
-200
BCX53
-100
-80
单位
V
V
V
A
mA
热特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功率耗散(注4 )
热阻,结到环境(注4 )
热阻,结到信息(注5 )
工作和存储温度范围
注意事项:
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
T
J,
T
英镑
价值
1
124
10.0
-65到+150
单位
W
° C / W
° C / W
°C
4,对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面的1盎司铜皮,在静止空气条件;该装置测得的
在稳态条件下运行时。
5.从结点到焊点点(上裸露收集垫)热敏电阻。
BCX 51 /五十三分之五十二
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BCX 51 /五十三分之五十二
热特性
热阻( ° C / W)
最大功耗( W)
120
100
80
25毫米x 25mm的1盎司铜
T
AMB
=
25°C
100
25毫米x 25mm的1盎司铜
T
AMB
=
25°C
单脉冲
D=0.5
60
40
20
0
100
1m
10m 100m
1
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
10
10
100
1k
1
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度(S )
脉冲宽度(S )
瞬态热阻抗
最大功耗( W)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
25毫米x 25mm的1盎司铜
脉冲功率耗散
0
20
40
60
80
100 120 140 160
温度(℃)
降额曲线
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电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压(注6 )
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
所有版本
静态正向电流传输比(注6 )
10增益GRP
16增益GRP
集电极 - 发射极饱和电压(注6 )
基射极导通电压(注6 )
跃迁频率
输出电容
注意事项:
符号
BCX51
BCX52
BCX53
BCX51
BCX52
BCX53
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
-45
-60
-100
-45
-60
-80
-5
-
-
25
40
25
63
100
-
-
150
-
典型值
-
最大
-
单位
V
测试条件
I
C
= -100A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.1
-20
-20
-
250
-
160
250
-0.5
-1.0
-
25
V
V
A
I
C
= -10mA
I
E
= -10A
V
CB
= -30V
V
CB
= -30V ,T
A
= 150°C
V
EB
= -4V
I
C
= -5mA ,V
CE
= -2V
I
C
= -150mA ,V
CE
= -2V
I
C
= -500mA ,V
CE
= -2V
I
C
= -150mA ,V
CE
= -2V
I
C
= -150mA ,V
CE
= -2V
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
I
C
= -500mA ,V
CE
= -2V
I
C
= -50mA ,V
CE
= -10V
F = 100MHz的
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
nA
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
f
T
C
敖包
V
V
兆赫
pF
脉冲条件下测得6 。脉冲宽度
300μS 。占空比
2%.
1.0
I
B
= 10毫安
500
V
CE
= -5V
I
C
,集电极电流( A)
0.8
I
B
= 8毫安
400
h
FE
,直流电流增益
I
B
= 6毫安
T
A
= 150°C
0.6
I
B
= 4毫安
300
T
A
= 85°C
0.4
I
B
= 2毫安
200
T
A
= 25°C
0.2
100
T
A
= -55°C
0
0
1
2
3
4
5
-V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图。 1典型集电极电流
与集电极 - 发射极电压
0
0.001
0.01
0.1
1
10
-I
C
,集电极电流( A)
图。 2典型的DC电流增益与集电极电流
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-V
BE(上)
,基极发射极导通电压(V )
0.5
1.0
-V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
0.4
0.8
T
A
= -55°C
0.3
T
A
= 150°C
0.6
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
0.4
0.2
T
A
= 85°C
T
A
= 150°C
0.2
V
CE
= -2V
0.1
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0
0.001
0.01
0.1
1
-I
C
,集电极电流( A)
图3典型的基射极导通电压
与集电极电流
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
-I
C
,集电极电流( A)
图。 4典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
-V
BE ( SAT )
,基射极饱和电压( V)
1.2
300
f
T
,增益带宽积(兆赫)
250
1.0
0.8
T
A
= -55°C
200
0.6
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
150
0.4
T
A
= 150°C
100
V
CE
= -5V
F = 100MHz的
0.2
I
C
/ I
B
= 10
50
0
0
0.001
0.01
0.1
1
10
-I
C
,集电极电流( A)
图。 5典型的基射极饱和电压
与集电极电流
20
40
60
80
100
-I
C
,集电极电流(毫安)
图。 6典型增益带宽积与集电极电流
0
160
140
120
电容(pF)
100
80
C
IBO
F = 1MHz的
60
40
20
C
敖包
0
0
10
20
30
40
V
R
,反向电压(V)的
图。 7典型的电容特性
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电话:0755-83223003
联系人:朱
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联系人:李
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电话:755-83252273
联系人:郑
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