飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
DS
V
GSO
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏极 - 源极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
最多至T
AMB
= 25
°C;
注1
漏极开路
条件
65
分钟。
BSS110
马克斯。
50
±20
170
520
830
+150
150
V
V
单位
mA
mA
mW
°C
°C
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
价值
150
单位
K / W
注意：在“极限参数”和“热特性”
1.装置安装在一个印刷电路板，最大的引线长度4毫米。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
gsth
I
DSS
参数
门源阈值电压
漏极 - 源极漏电流
条件
V
DS
= V
GS
; I
D
=
1
mA
V
GS
= 0; V
DS
=
40
V
V
GS
= 0; V
DS
=
50
V
V
GS
= 0; V
DS
=
50
V ;牛逼
j
= 125
°C
I
GSS
R
DSON
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
栅极漏电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 0; V
GS
=
±20
V
V
DS
=
25
V ;我
D
=
170
mA
V
GS
= 0; V
DS
=
25
V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
=
25
V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
=
25
V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0到
10
V; V
DD
=
40
V;
I
D
=
200
mA
V
GS
=
10
为0 V ; V
DD
=
40
V;
I
D
=
200
mA
漏源导通电阻V
GS
=
10
V ;我
D
=
170
mA
分钟。
50
0.8
50
典型值。
25
15
3.5
马克斯。
2
100
10
60
±10
10
45
25
12
单位
V
V
nA
A
A
nA
mS
pF
pF
pF
漏源击穿电压V
GS
= 0; I
D
=
10 A
开关时间
（参见图2和3）
开启时间
打开-O FF时间
3
7
ns
ns
1995年4月07
3
1999年5月
BSS84 / BSS110
P沟道增强型场效应晶体管
概述
这些P沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，高生产
细胞密度， DMOS技术。这非常高的密度
工艺是为了尽量减少通态电阻，提供
坚固耐用，性能可靠和快速切换。他们
可以用，以最小的努力，在大多数应用中
需要高达0.17A DC ，并且可以提供脉冲电流高达
为0.68A 。此产品特别适合于低电压
应用程序需要低电流高侧开关。
特点
BSS84 ： -0.13A ， -50V 。
DS （ ON）
= 10
@ V
GS
= -5V.
BSS110 ： -0.17A ， -50V 。
DS （ ON）
= 10
@ V
GS
= -10V
受电压控制的p沟道小信号开关。
高密度电池设计低R
DS （ ON）
.
高饱和电流
.
____________________________________________________________________________________________
S
G
D
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
BSS84
BSS110
单位
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
< 20K的
)
栅源电压 - 连续
漏电流 - 连续@ T
A
= 30/35
o
C
- 脉冲
@ T
A
= 25
o
C
T
A
= 25
°
C
最大功率耗散
-0.13
-0.52
0.36
-50
-50
±20
-0.17
-0.68
0.63
-55到150
300
V
V
V
A
W
°C
°C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 16"分之1案件从10秒
热特性
R
θ
JA
热阻，结到环境
350
200
° C / W
1997仙童半导体公司
BSS84牧师C1 / BSS110 。修订版A2
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
典型值
e
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
V
DS
= -50 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= -25 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
所有
所有
-50
-15
-60
-0.1
V
A
A
A
nA
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
门 - 体泄漏，反向
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -1毫安
V
GS
= -5V ，我
D
= -0.10 A
V
GS
= -10 V，I
D
= -0.17 A
V
DS
= -25 V，I
D
= -0.10A
V
DS
= -10 V，I
D
= -0.17 A
所有
-10
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
所有
BSS84
BSS110
BSS84
BSS110
-0.8
-1.75
3.2
2.2
-2
10
10
V
S
正向跨导
0.05
0.05
0.27
0.29
37
37
16
5
45
40
25
12
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= -25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
BSS84
BSS110
pF
pF
pF
所有
所有
开关特性
（注1 ）
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
V
DD
= -30 V，I
D
= -0.27 A,
V
GS
= -10 V ，R
根
= 50
所有
所有
所有
所有
12
50
10
25
nS
nS
nS
nS
漏源二极管的特性
连续源二极管电流
最大脉冲源二极管电流
（注1 ）
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -0.26 A
V
GS
= 0 V，I
S
= -0.34 A
BSS84
BSS110
BSS84
BSS110
（注1 ）
（注1 ）
-0.13
-0.17
-0.52
-0.68
-0.95
-1
-1.2
-1.2
A
A
V
BSS84
BSS110
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度< 300
S，占空比< 2.0 ％ 。
BSS84牧师C1 / BSS110 。修订版A2
典型电气特性
-1
3
V
GS
= -10V
I
D
，漏源电流（A ）
-0.8
-8.0 -6.0
V
GS
= -3V
漏源导通电阻
-5.0
-4.5
R
DS （ ON）
归一化
2 .5
-3.5
-4 .0
-0.6
-4.0
2
-4.5
-5.0
-0.4
-3.5
1 .5
-6 .0
-8 .0
-1 0
-0.2
-3.0
-2.5
0
-1
-2
-3
-4
V
DS
，漏源电压（V ）
-5
-6
1
0 .5
-0.2
I
D
-0.4
-0.6
， DRA电流（ A）
-0.8
-1
图1.区域特征
图2.导通电阻变化
与漏极电流和栅极电压
1.6
3
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
归一化
1.4
漏源导通电阻
I
D
= -0.13A
V
GS
= -10V
R
DS （ ON）
归一化
V
GS
= -10V
2.5
1.2
2
T = 125°C
J
1
1.5
25°C
1
0.8
-55°C
0.5
-0.2
-0.4
-0.6
I
D
，漏电流（ A）
-0.8
-1
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
图3.导通电阻变化
随温度
图4.导通电阻变化
与漏电流和温度
-1
1.1
125°C
-0 .8
I
D
，漏电流（ A）
V
th
归一化
门源阈值电压
V
DS
= -10V
T
J
= -55°C
V
DS
= V
GS
I
D
= -1m一
25°C
1.05
-0 .6
1
-0 .4
0.95
-0 .2
0.9
0
-2
-4
-6
V
GS
，门源电压（ V）
-8
0.85
-5 0
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结tem温度（ ° C）
125
150
图5.传输特性
图6.门阈值变化
随温度
BSS84牧师C1 / BSS110 。修订版A2
典型电气特性
（续）
1 .1
漏源击穿电压
1
I
D
= -250A
-I ，反向漏电流（ A）
1 .0 5
0.5
0.2
0.1
0.05
V
GS
= 0V
BV
DSS
归一化
TJ = 1 2 5℃
25°C
-55°C
1
0.01
0.005
0 .9 5
S
0 .9
-50
-25
0
T
J
25
50
75
100
，结温（ ° C）
125
150
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.6
图7.击穿电压
随温度的变化
图8.体二极管正向电压
变化与源
电流和温度
70
50
30
10
-V
GS
，栅源电压（V ）
国际空间站
I
D
= -0.13A
8
V
DS
= -10V
-20V
-40V
电容（pF）
20
OSS
6
10
4
5
3
2
0 .1
RSS
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
2
0
0 .2
0 .5
1
2
5
10
-V
DS
， DRA IN至源极电压（ V）
20
30
50
0
0 .5
1
Q
g
，栅极电荷（ NC）
1 .5
2
图9.电容特性
图10.栅极电荷特性
V
DD
t
D（上）
V
IN
D
t
on
R
L
V
OUT
V
OUT
10%
t
关闭
t
r
90%
t
D（关闭）
90%
t
f
V
GS
R
根
10%
90%
G
DUT
S
V
IN
10%
50%
50%
PULSE W ID
倒
图11.开关测试电路
图12.开关波形
BSS84牧师C1 / BSS110 。修订版A2
典型电气特性
（续）
0 .5
2
，跨导（ SIEMENS ）
T J = -55°C
1
0 .4
10
S（O
Li
N)
t
mi
-I
D
，漏电流（ A）
25°C
0u
0.5
RD
1m
10
10
0m
ms
s
s
s
0 .3
125°C
0 .2
0.1
0.05
1s
10
V
GS
= -10V
单脉冲
T
A
= 25°C
s
DC
0 .1
g
FS
V
DS
= -10V
0
-0.2
-0.4
-0.6
I
D
，漏电流（ A）
-0.8
-1
0.01
0.005
1
2
5
10
20
30
- V
DS
极，漏极 - 源极电压（ V）
50
80
图13.跨导变化与漏
电流和温度
图14.最大安全工作区
1
瞬态热阻
0.5
0.2
0.1
0.05
D = 0.5
0 .2
0 .1
0 .05
0 .02
0 .01
P（ PK）
R（T ） ，规范有效
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
o
R
= 3 5 0 C / W
θJA
0.01
单脉冲
t
1
t
2
0.002
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
100
300
图15.瞬态热响应曲线
注意：表征执行使用一电路板175
o
C / W
典型案例到环境的热阻
.
BSS84牧师C1 / BSS110 。修订版A2
QQ：2881677436 复制
