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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第55页 > BU508AW
BU508AW
标准高电压NPN功率晶体管
高清CRT显示器
初步数据
特点
■
■
■
■
■
■
■
完善的设施，先进的技术：
- 扩散收藏家“增强的一代”
稳定的性能与操作
温度变化
低基极驱动要求
紧
FE
范围在工作集电极电流
高耐用性
TO- 247半绝缘功率封装
符合2002/ 93 / EC欧洲
指示
TO-247
1
2
3
应用
■
■
内部原理图
水平偏转输出CRT电视
开关模式电源的CRT电视
描述
该BU508AW制造使用扩散
收藏家平面技术采用新的
增强的高压结构更新
性能水平偏转阶段。
订购代码
产品型号
BU508AW
记号
BU508AW
包
TO-247
包装
管
2007年3月
REV 1
1/8
www.st.com
8
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。内容如有
更改，恕不另行通知。
电气额定值
BU508AW
1
电气额定值
表1中。
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
J
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压（V
BE
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
集电极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值（T
P
<为5ms ）
基极电流
总功耗在T
c
= 25°C
储存温度
马克斯。工作结温
价值
1500
700
9
8
15
4
125
-65到150
°C
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
表2中。
符号
热数据
参数
价值
1
单位
° C / W
R
THJ情况
热阻结案件
_______________max
2/8
BU508AW
电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
I
CES
I
EBO
电气特性
参数
集电极截止电流
(V
BE
=0)
发射极截止电流
(I
C
=0)
(1)
测试条件
V
CE
= 1500V
V
CE
= 1500V;
V
EB
= 9V
T
C
= 125°C
分钟。
典型值。
马克斯。
0.2
2
1
单位
mA
mA
mA
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
(I
C
=0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极饱和
电压
直流电流增益
感性负载
贮存时间
下降时间
I
C
= 100毫安
700
V
V
CE （饱和）（1）
V
BE （饱和）（1）
h
FE （1）
I
C
= 4.5A
I
C
= 4.5A
I
C
= 0.1A
I
C
= 4.5A
I
C
= 4.5A
L
的bb （关闭）
= 4.5H
I
B
= 1.6A
I
B
= 2A
V
CE
= 5V
V
CE
= 5V
I
B（上）
= 0.5A
2.5
0.2
10
5
1
1.1
30
V
V
t
s
t
f
V
BE （OFF）的
= -2.7V F
h
= 16kHz的
s
s
1.脉冲：脉冲持续时间= 300毫秒，占空比1.5 ％
3/8
电气特性
BU508AW
2.1
测试电路
图1 。
功率损耗和电感负载开关
图2中。
反向偏置安全工作区
4/8
BU508AW
包装机械数据
3
包装机械数据
为了满足环保要求， ST提供的ECOPACK这些设备
包。这些包有无铅二级互连。类别
第二级互连标记在包装和内盒上的标签，在
符合JEDEC标准JESD97 。有关焊接的最大额定值
条件也标志着内盒上的标签。 ECOPACK是ST的商标。
ECOPACK规范可在这里：
www.st.com
5/8
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU508AW
描述
·带
TO- 247封装
高
电压
高
高速开关
应用
For
在水平偏转电路使用
的彩色电视接收机。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 247 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流 - 峰值
基极电流（DC）的
基极电流 - 峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
价值
1500
700
8
15
4
6
125
150
-65~150
单位
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
BU508AW
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安，我
B
=0,L=25mH
700
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
=1.6A
1.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
=2A
V
CE
= RatedV
CE认证;
V
BE
=0
T
C
=125℃
V
EB
= 6.0V ;我
C
=0
1.1
1.0
2.0
10
V
I
CES
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 100毫安; V
CE
=5V
6
13
30
f
T
跃迁频率
I
E
= 0.1A ; V
CE
=5V
7
兆赫
COB
输出电容
V
CB
=10V;I
E
=0;f=1.0MHz
125
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU508AW
图2外形尺寸
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU508AW
概述
高电压时，在一个塑料外壳高速切换npn型晶体管，主要用于在水平偏转使用
彩色电视接收机电路。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
I
CSAT
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
集电极饱和电流
下降时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
4.5
0.7
马克斯。
1500
700
8
15
125
1.0
-
-
单位
V
V
A
A
W
V
A
s
T
mb
≤
25 C
I
C
= 4.5 A;我
B
= 1.6 A
F = 16千赫
I
CSAT
= 4.5 A; F = 16kHz的
钉扎 - SOT429
针
1
2
3
TAB
BASE
集热器
辐射源
集热器
描述
引脚配置
符号
c
b
1
2
3
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流（DC）的
基极电流峰值
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
马克斯。
1500
700
8
15
4
6
125
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
C
T
mb
≤
25 C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
结到安装基座
结到环境
条件
-
在自由空气
典型值。
-
45
马克斯。
1.0
-
单位
K / W
K / W
1998年7月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU508AW
静态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
I
CES
I
EBO
V
CEOsus
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
参数
集电极截止电流
1
条件
分钟。
-
-
-
700
-
-
6
典型值。
-
-
-
-
-
-
13
马克斯。
1.0
2.0
10
-
1.0
1.1
30
单位
mA
mA
mA
V
V
V
-
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
发射极截止电流
V
EB
= 6.0 V ;我
C
= 0 A
集电极 - 发射极电压维持我
B
= 0 ;我
C
= 100毫安;
L = 25毫亨
集电极 - 发射极饱和电压我
C
= 4.5 A;我
B
= 1.6 A
基射极饱和电压
I
C
= 4.5 A;我
B
= 2.0 A
直流电流增益
I
C
= 100毫安; V
CE
= 5 V
动态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
f
T
C
C
参数
跃迁频率在f = 5兆赫
集电极电容在f = 1MHz的
开关时间（ 16 kHz的行
偏转电路）
关闭存储时间
关断下降时间
条件
I
C
= 0.1 A; V
CE
= 5 V
V
CB
= 10 V
I
CSAT
= 4.5 A ，L
c
= 1毫亨;
fb
= 4 nF的
I
B（完）
= 1.4 A; L
B
= 6
H;
-V
BB
= -4 V;
典型值。
7
125
马克斯。
-
-
单位
兆赫
pF
s
s
t
s
t
f
6.5
0.7
-
-
IC / MA
+ 50v
100-200R
250
横
示波器
垂直
100R
6V
30-60赫兹
1R
200
100
0
VCE / V
民
VCEOsust
图1 。为V测试电路
CEOsust
.
图2 。示波器显示V
CEOsust
.
1
测量正弦半波电压（波形记录器） 。
1998年7月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU508AW
晶体管
IC
二极管
ICsat
100
h
FE
BU508AD
t
IB
IBend
t
20us
26us
64us
10
VCE
t
1
0.1
1
IC / A
10
如图3所示。开关时间波形。
图6 。典型的直流电流增益。
FE
= F（我
C
)
参数V
CE
BU508AD
ICsat
90 %
IC
1
0.9
0.8
0.7
VCESAT / V
10 %
tf
ts
IB
IBend
0.6
t
0.5
0.4
0.3
t
0.2
0.1
0
- IBM
0.1
1
IC / A
10
图4 。开关时间的定义。
图7 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F （I
C
） ;参数I
C
/I
B
BU508AD
+ 150V，额定
调整ICsat
1.4
VBESAT / V
1.2
1mH
IC = 6A
1
IC = 4.5A
IBend
LB
D.U.T.
12nF
BY228
0.8
IC = 3A
-VBB
0.6
0
1
2
3
IB / A
4
图5 。开关时间测试电路。
图8 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F （I
B
） ;参数I
C
1998年7月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU508AW
VCESAT / V
10
BU508AD
120
110
100
90
80
70
PD ％
归一化功率降额
与复合散热器
1
IC = 6A
60
50
40
30
20
IC = 4.5A
IC = 3A
10
0
0
10
0.1
0.1
20
40
60
1
IB / A
80
部份效果/ C
100
120
140
图9 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F （I
B
） ;参数I
C
图11 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
25℃
= F（T
hs
)
10
第i K / W
bu508aw
1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
P
D
tp
t
D = P
T
T
0.001
1.0E-07
1.0E-5
T / S
1.0E-3
1.0E-1
t
1.0E+1
图10 。瞬态热阻抗。
Z
日J- HS
= F（T） ;参数D = T
p
/T
图12 。正向偏置安全工作区。牛逼
mb
< 25℃
(1) P
TOT最大
线。
（2）第二次击穿极限（独立
温度）。
I
允许的直流操作区域。
II
允许的扩展名重复操作。
1998年7月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU508AW
机械数据
尺寸（mm）
净重： 5克
5.3
3.5
21
最大
15.5
最大
座位
飞机
7.3
16 MAX
5.3最大
1.8
o 3.5
最大
2.5
4.0
最大
1
2.2最大
3.2最大
5.45
2
3
0.9最大
1.1
5.45
0.4 M
15.5
民
图13 。 SOT429 ; 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装说明SOT429信封。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1998年7月
5
启1.200
BU508AW
标准高电压NPN功率晶体管
高清CRT显示器
特点
■
■
■
■
■
■
完善的设施，先进的技术：
- 扩散收藏家“增强的一代”
稳定的性能与操作
温度变化
低基极驱动要求
紧
FE
范围在工作集电极电流
高耐用性
TO- 247半绝缘功率封装
TO-247
1
2
3
应用
■
■
水平偏转输出CRT电视
开关模式电源的CRT电视
图1 。
内部原理图
描述
该BU508AW制造使用扩散
收藏家平面技术采用新的
增强的高压结构更新
性能水平偏转阶段。
表1中。
设备简介
记号
BU508AW
包
TO-247
包装
管
订货编号
BU508AW
2007年8月
REV 2
1/11
www.st.com
11
内容
BU508AW
内容
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
2.2
电特性（曲线） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
3
4
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
2/11
BU508AW
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
J
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压（V
BE
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
集电极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值（T
P
<为5ms ）
基极电流
总功耗在T
c
= 25°C
储存温度
马克斯。工作结温
价值
1500
700
9
8
15
4
125
-65到150
°C
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
表3中。
符号
热数据
参数
价值
1
单位
° C / W
R
THJ情况
热阻结案件
_______________max
3/11
电气特性
BU508AW
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
I
CES
I
EBO
电气特性
参数
集电极截止电流
(V
BE
=0)
发射极截止电流
(I
C
=0)
(1)
测试条件
V
CE
= 1500V
V
CE
= 1500V;
V
EB
= 9V
T
C
= 125°C
分钟。
典型值。
马克斯。
0.2
2
1
单位
mA
mA
mA
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
(I
C
=0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极饱和
电压
直流电流增益
感性负载
贮存时间
下降时间
I
C
= 100毫安
700
V
V
CE （饱和）（1）
V
BE （饱和）（1）
h
FE （1）
I
C
= 4.5A
I
C
= 4.5A
I
C
= 0.1A
I
C
= 4.5A
I
C
= 4.5A
L
的bb （关闭）
= 4.5H
I
B
= 1.6A
I
B
= 2A
V
CE
= 5V
V
CE
= 5V
I
B（上）
= 0.5A
2.5
0.2
10
5
1
1.1
30
V
V
t
s
t
f
V
BE （OFF）的
= -2.7V F
h
= 16kHz的
s
s
1.脉冲：脉冲持续时间= 300毫秒，占空比1.5 ％
4/11
BU508AW
电气特性
2.1
电特性（曲线）
图2中。
安全工作区
网络连接gure 3 。
降额曲线
图4中。
直流电流增益
图5中。
直流电流增益
图6 。
集电极 - 发射极饱和
电压
图7 。
基射极饱和
电压
5/11
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU508AW
描述
·采用TO- 247封装
·高电压
·高速开关
应用
·对于在水平偏转电路中使用
的彩色电视接收机。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 247 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流 - 峰值
基极电流（DC）的
基极电流 - 峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
价值
1500
700
8
15
4
6
125
150
-65~150
单位
V
V
A
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
BU508AW
符号
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安，我
B
=0,L=25mH
700
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
=1.6A
1.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
=2A
V
CE
= RatedV
CE认证;
V
BE
=0
T
C
=125
V
EB
= 6.0V ;我
C
=0
1.1
1.0
2.0
10
V
I
CES
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 100毫安; V
CE
=5V
6
13
30
f
T
跃迁频率
I
E
= 0.1A ; V
CE
=5V
7
兆赫
COB
输出电容
V
CB
=10V;I
E
=0;f=1.0MHz
125
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU508AW
图2外形尺寸
3
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