分立半导体
数据表
dbook ， halfpage
M3D109
BSR40 ; BSR41 ; BSR42 ; BSR43
NPN型中功率晶体管
产品数据表
取代1999年的数据04月28日
2004年12月13日
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型中功率晶体管
特点
大电流（最大1 A）
低电压（最大80 V） 。
应用
厚和薄膜电路
电话和一般工业应用。
描述
在SOT89塑料NPN中功率晶体管
封装。 PNP补充： BSR30 ; BSR31和BSR33 。
记号
TYPE
数
BSR40
BSR41
记号
CODE
AR1
AR2
TYPE
数
BSR42
BSR43
记号
CODE
AR3
AR4
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
BSR40 ; BSR41 ;
BSR42 ; BSR43
描述
2
3
1
sym042
3
2
1
Fig.1简化外形（ SOT89 ）和符号。
订购信息
包
类型编号
名字
BSR40
BSR41
BSR42
BSR43
SC-62
描述
塑料表面贴装封装;收集垫好热
转让; 3引线
VERSION
SOT89
2004年12月13日
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型中功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BSR40 ; BSR41
BSR42 ; BSR43
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BSR40 ; BSR41
BSR42 ; BSR43
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
条件
发射极开路
BSR40 ; BSR41 ; BSR42 ;
BSR43
分钟。
65
65
马克斯。
70
90
60
80
5
1
2
0.2
1.35
+150
150
+150
V
V
V
V
V
A
A
A
W
单位
°C
°C
°C
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
热特性
符号
R
号（j -a）的
R
日（ J- S）
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
条件
注1
价值
93
13
单位
K / W
K / W
2004年12月13日
3
SMD型
NPN型中功率晶体管
BSR40 ; BSR41 ; BSR42 ; BSR43
SOT-89
+0.1
4.50
-0.1
晶体管
单位：mm
+0.1
1.50
-0.1
1.80
+0.1
-0.1
特点
+0.1
2.50
-0.1
+0.1
0.48
-0.1
+0.1
0.53
-0.1
大电流（最大1 A）
低电压（最大80 V） 。
+0.1
4.00
-0.1
+0.1
0.80
-0.1
+0.1
0.44
-0.1
+0.1
2.60
-0.1
+0.1
3.00
-0.1
+0.1
0.40
-0.1
1.基地
2.收集
3. Emiitter
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
BSR40,BSR41
BSR42,BSR43
集电极 - 发射极电压（开基） BSR40 ， BSR41
BSR42,BSR43
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功率耗散T
AMB
储存温度
结温
工作环境温度
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
25
;
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
R
AMB
R
号（j -a）的
R
日（ J- S）
V
首席执行官
符号
V
CBO
等级
70
90
60
80
5
1
2
0.2
1.35
-65到+150
150
-65到+150
93
13
K / W
K / W
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
www.kexin.com.cn
1
SMD型
BSR40 ; BSR41 ; BSR42 ; BSR43
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
BSR40,BSR42
BSR41,BSR43
直流电流增益*
BSR40,BSR42
BSR41,BSR43
直流电流增益*
BSR40,BSR42
BSR41,BSR43
集电极 - 发射极饱和电压*
V
CESAT
I
C
= 150毫安;我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
基射极饱和电压*
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
开启时间
打开-O FF时间
*脉冲测试： TP = 300 ;
0.01.
V
BESAT
C
c
C
e
f
T
t
on
t
关闭
I
C
= 150毫安;我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
E
= IE = 0 ; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
=集成电路= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 50毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
I
CON
= 100毫安;我
BON
= 5毫安;
I
B关
= -5毫安
h
FE
I
C
= 500毫安; V
CE
= 5 V;
h
FE
I
C
= 100毫安; V
CE
= 5 V
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
I
E
= 0; V
CB
= 60 V
I
E
= 0; V
CB
= 60 V ;牛逼
j
= 150
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 100毫安; V
CE
= 5 V;
10
30
40
晶体管
民
典型值
最大
100
50
100
单位
nA
ìA
nA
120
300
100
30
50
250
500
1
1.2
12
90
100
250
1
mV
mV
V
V
pF
pF
兆赫
ns
ìs
h
FE
分类
TYPE
记号
BSR40
AR1
BSR41
AR2
BSR42
AR3
BSR43
AR4
2
www.kexin.com.cn
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D109
BSR40 ; BSR41 ; BSR42 ; BSR43
NPN型中功率晶体管
产品speci fi cation
取代1997年的数据4月7日
1999年04月28
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
特点
大电流（最大1 A）
低电压（最大80 V） 。
应用
厚和薄膜电路
电话和一般工业应用。
BSR40 ; BSR41 ; BSR42 ; BSR43
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
描述
手册， halfpage
描述
在SOT89塑料NPN中功率晶体管
封装。 PNP补充： BSR30 ; BSR3和BSR33 。
记号
TYPE
数
BSR40
BSR41
记号
CODE
AR1
AR2
TYPE
数
BSR42
BSR43
记号
CODE
AR3
AR4
1
底部视图
2
3
MAM296
2
3
1
Fig.1简化外形（ SOT89 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BSR40 ; BSR41
BSR42 ; BSR43
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BSR40 ; BSR41
BSR42 ; BSR43
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
60
80
5
1
2
0.2
1.35
+150
150
+150
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
条件
发射极开路
70
90
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年04月28
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
BSR40 ; BSR41 ; BSR42 ; BSR43
条件
注1
价值
93
13
单位
K / W
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BSR40 ; BSR42
BSR41 ; BSR43
直流电流增益
BSR40 ; BSR42
BSR41 ; BSR43
直流电流增益
BSR40 ; BSR42
BSR41 ; BSR43
V
CESAT
V
BESAT
C
c
C
e
f
T
t
on
t
关闭
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.01.
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
I
C
= 150毫安;我
B
= 15毫安;注1
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安;注1
I
C
= 150毫安;我
B
= 15毫安;注1
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安;注1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 50毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
I
CON
= 100毫安;我
BON
= 5毫安;
I
B关
=
5
mA
I
C
= 500毫安; V
CE
= 5 V ;注1
30
50
100
250
500
1
1.2
12
90
mV
mV
V
V
pF
pF
兆赫
I
C
= 100毫安; V
CE
= 5 V ;注1
40
100
120
300
条件
I
E
= 0; V
CB
= 60 V
I
E
= 0; V
CB
= 60 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V ;注1
10
30
分钟。
马克斯。
100
50
100
单位
nA
A
nA
开关时间（10％和90％之间）
开启时间
打开-O FF时间
250
1
ns
s
1999年04月28
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
包装外形
BSR40 ; BSR41 ; BSR42 ; BSR43
塑料表面贴装封装;收集垫为良好的传热; 3引线
SOT89
D
B
A
b3
E
HE
L
1
2
b2
3
c
w
M
b1
e
1
e
0
2
规模
4 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.6
1.4
b1
0.48
0.35
b2
0.53
0.40
b3
1.8
1.4
c
0.44
0.37
D
4.6
4.4
E
2.6
2.4
e
3.0
e1
1.5
HE
4.25
3.75
L
分钟。
0.8
w
0.13
概要
VERSION
SOT89
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年04月28
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
BSR40 ; BSR41 ; BSR42 ; BSR43
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1999年04月28
5
SOT89 NPN硅平面
中功率晶体管
第3期 - 1996年2月
7
互补类型 - BSR43 - BSR33
BSR41 - BSR31
PARTMARKING详细信息
–
BSR43 - AR4
BSR41 - AR2
BSR41
BSR43
C
E
C
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
BSR41
70
60
5
2
1
100
1
-65到+150
90
80
SOT89
BSR43
单位
V
V
V
A
A
mA
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
BSR43
击穿电压BSR41
集电极 - 发射极
BSR43
击穿电压BSR41
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
静态前进
电流传输比
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
开启时间
打开-O FF时间
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
30
100
50
分钟。
90
70
80
60
5
100
50
0.25
0.5
1.0
1.2
300
12
90
100
250
1000
pF
pF
兆赫
ns
ns
马克斯。
单位
V
V
V
nA
A
V
V
V
V
条件。
I
C
=100A
I
C
= 10毫安*
I
E
=10A
V
CB
=60V
V
CB
= 60V ，环境温度Tamb = 125°C
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 100μA ，V
CE
=5V
I
C
= 100mA时V
CE
=5V
I
C
= 500毫安，V
CE
=5V
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
EB
= 0.5V ， F = 1MHz的
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
F = 35MHz时
V
CC
= 20V ，我
C
=100mA
I
B1
=I
B2
=5mA
C
c
C
e
f
T
T
on
T
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
对于典型特征图看FMMT493数据表。
3 - 68
SMD型
SMD型
晶体管
晶体管
产品speci fi cation
BSR40 ; BSR41 ; BSR42 ; BSR43
SOT-89
+0.1
4.50
-0.1
+0.1
1.50
-0.1
单位：mm
1.80
+0.1
-0.1
特点
+0.1
2.50
-0.1
+0.1
0.48
-0.1
+0.1
0.53
-0.1
大电流（最大1 A）
低电压（最大80 V） 。
+0.1
4.00
-0.1
+0.1
0.80
-0.1
+0.1
0.44
-0.1
+0.1
2.60
-0.1
+0.1
3.00
-0.1
+0.1
0.40
-0.1
1.基地
2.收集
3. Emiitter
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
BSR40,BSR41
BSR42,BSR43
集电极 - 发射极电压（开基） BSR40 ， BSR41
BSR42,BSR43
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功率耗散T
AMB
储存温度
结温
工作环境温度
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
25
;
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
R
AMB
R
号（j -a）的
R
日（ J- S）
V
首席执行官
符号
V
CBO
等级
70
90
60
80
5
1
2
0.2
1.35
-65到+150
150
-65到+150
93
13
K / W
K / W
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
SMD型
晶体管
晶体管
产品speci fi cation
BSR40 ; BSR41 ; BSR42 ; BSR43
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
BSR40,BSR42
BSR41,BSR43
直流电流增益*
BSR40,BSR42
BSR41,BSR43
直流电流增益*
BSR40,BSR42
BSR41,BSR43
集电极 - 发射极饱和电压*
V
CESAT
I
C
= 150毫安;我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
基射极饱和电压*
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
开启时间
打开-O FF时间
*脉冲测试： TP = 300 ;
0.01.
V
BESAT
C
c
C
e
f
T
t
on
t
关闭
I
C
= 150毫安;我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
E
= IE = 0 ; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
=集成电路= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 50毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
I
CON
= 100毫安;我
BON
= 5毫安;
I
B关
= -5毫安
100
250
1
h
FE
I
C
= 500毫安; V
CE
= 5 V;
h
FE
I
C
= 100毫安; V
CE
= 5 V
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
I
E
= 0; V
CB
= 60 V
I
E
= 0; V
CB
= 60 V ;牛逼
j
= 150
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 100毫安; V
CE
= 5 V;
10
30
40
100
30
50
250
500
1
1.2
12
90
mV
mV
V
V
pF
pF
兆赫
ns
ìs
120
300
民
典型值
最大
100
50
100
单位
nA
ìA
nA
h
FE
分类
TYPE
记号
BSR40
AR1
BSR41
AR2
BSR42
AR3
BSR43
AR4
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2 2
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