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BAP142L
硅PIN二极管
版本01 - 2004年5月27日
初步数据表
1.产品廓
1.1概述
在SOD882超小型SMD塑料包装平面PIN二极管。
1.2产品特点
s
s
s
s
s
高电压时,电流控制射频电阻
在非常低的电流损耗低
低电容二极管
非常低的串联电感
对于申请到3 GHz 。
1.3应用
s
RF衰减器和开关。
2.管脚信息
表1:
1
2
离散钉扎
描述
阴极
阳极
1
2
sym006
SOD882
简化的轮廓
[1]
符号
透明的顶视图
[1]
包装标有屏蔽吧。
3.订购信息
表2:
订购信息
名字
BAP142L
-
描述
无铅超小型塑料封装; 2接线端子;
机身1.0
×
0.6
×
0.5 mm
VERSION
SOD882
类型编号
飞利浦半导体
BAP142L
硅PIN二极管
4.标记
表3:
BAP142L
记号
标识代码
E1
类型编号
5.极限值
表4:
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
R
I
F
P
合计
T
英镑
T
j
参数
连续反向电压
连续正向电流
总功耗
储存温度
结温
T
s
= 90
°C
条件
-
-
-
65
65
最大
50
100
315
+150
+150
单位
V
mA
mW
°C
°C
6.热特性
表5:
符号
R
日( J- S)
热特性
参数
热阻结
到焊接点
条件
典型值
190
单位
K / W
7.特点
表6:
电气特性
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
I
R
C
d
参数
正向电压
反向电流
二极管电容
条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 50 V
V
R
= 20 V
F = 1兆赫;看
图2
V
R
= 0 V
V
R
= 1 V
V
R
= 20 V
r
D
二极管的正向电阻
F = 100 MHz的;看
图1
I
F
- 0.5毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
-
-
-
-
3.3
2.4
1.0
0.6
5.0
3.6
1.5
0.9
-
-
-
0.26
0.23
0.17
-
0.35
0.25
pF
pF
pF
-
-
-
典型值
0.95
-
-
最大
1.1
100
20
单位
V
nA
nA
9397 750 13056
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
初步数据表
版本01 - 2004年5月27日
2第8
飞利浦半导体
BAP142L
硅PIN二极管
表6:
电气特性
- 续
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
s
21
2
参数
隔离
条件
V
R
= 0 V ;看
图4
F = 900兆赫
F = 1800兆赫
F = 2450 MHz的
s
21
2
插入损耗
I
F
= 0.5毫安;看
科幻gure 3
F = 900兆赫
F = 1800兆赫
F = 2450 MHz的
s
21
2
插入损耗
I
F
= 1毫安;看
科幻gure 3
F = 900兆赫
F = 1800兆赫
F = 2450 MHz的
s
21
2
插入损耗
I
F
= 10毫安;看
科幻gure 3
F = 900兆赫
F = 1800兆赫
F = 2450 MHz的
s
21
2
插入损耗
I
F
= 100毫安;看
科幻gure 3
F = 900兆赫
F = 1800兆赫
F = 2450 MHz的
τ
L
载流子寿命
从切换时
I
F
= 10 mA至我
R
= 6毫安;
R
L
= 100
;
测量我
R
= 3毫安
I
F
= 100毫安; F = 100 MHz的
-
-
-
-
0.07
0.09
0.11
0.12
-
-
-
-
dB
dB
dB
s
-
-
-
0.10
0.11
0.14
-
-
-
dB
dB
dB
-
-
-
0.18
0.19
0.21
-
-
-
dB
dB
dB
-
-
-
0.24
0.25
0.26
-
-
-
dB
dB
dB
-
-
-
16.0
11.6
9.9
-
-
-
dB
dB
dB
典型值
最大
单位
L
S
串联电感
-
0.6
-
nH
9397 750 13056
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初步数据表
版本01 - 2004年5月27日
3 8
飞利浦半导体
BAP142L
硅PIN二极管
10
2
r
D
()
10
001aaa693
300
C
D
(fF)
200
001aaa694
1
100
10
1
10
-1
1
10
I
F
(MA )
10
2
0
0
5
10
15
V
R
(V)
20
F = 100 MHz的;吨
j
= 25
°C.
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
图1.正向电阻为正向功能
电流;典型值。
0
s
21 2
( dB)的
0.2
(1)
(2)
(3)
(4)
图2.二极管电容反向的函数
电压;典型值。
0
s
21 2
( dB)的
10
001aaa696
001aaa695
0.4
20
0.6
30
0.8
40
1
0
1
2
F(千兆赫)
3
50
0
1
2
F(千兆赫)
3
(1) I
F
= 100 mA的电流。
(2) I
F
= 10 mA的电流。
(3) I
F
= 1毫安。
(4) I
F
= 0.5毫安。
二极管串联插入一个50
带状线电路
并经由分析器三通网络施力;
T
AMB
= 25
°C.
二极管的零偏置,并在一个50插入
微带
电路;牛逼
AMB
= 25
°C.
图3.插入损耗( | S
21
|
2
)二极管作为函数的
频率;典型值。
图4.隔离( | S
21
|
2
)二极管作为的函数的
频率;典型值。
9397 750 13056
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
初步数据表
版本01 - 2004年5月27日
4 8
飞利浦半导体
BAP142L
硅PIN二极管
8封装外形
无铅超小型塑料封装; 2接线端子;身体1.0× 0.6× 0.5毫米
SOD882
L
L
1
2
b
e1
A
A1
E
D
(2)
0
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
(1)
0.50
0.46
A
1
马克斯。
0.03
b
0.55
0.47
D
0.62
0.55
E
1.02
0.95
e
1
0.65
L
0.30
0.22
0.5
规模
1 mm
笔记
1.包括镀层厚度
2.标记栏表示阴极
概要
VERSION
SOD882
参考文献:
IEC
JEDEC
JEITA
欧洲
投影
发行日期
03-04-16
03-04-17
图5.封装外形。
9397 750 13056
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版本01 - 2004年5月27日
5 8
BAP142L
硅PIN二极管
版本01 - 2004年5月27日
初步数据表
1.产品廓
1.1概述
在SOD882超小型SMD塑料包装平面PIN二极管。
1.2产品特点
s
s
s
s
s
高电压时,电流控制射频电阻
在非常低的电流损耗低
低电容二极管
非常低的串联电感
对于申请到3 GHz 。
1.3应用
s
RF衰减器和开关。
2.管脚信息
表1:
1
2
离散钉扎
描述
阴极
阳极
1
2
sym006
SOD882
简化的轮廓
[1]
符号
透明的顶视图
[1]
包装标有屏蔽吧。
3.订购信息
表2:
订购信息
名字
BAP142L
-
描述
无铅超小型塑料封装; 2接线端子;
机身1.0
×
0.6
×
0.5 mm
VERSION
SOD882
类型编号
飞利浦半导体
BAP142L
硅PIN二极管
4.标记
表3:
BAP142L
记号
标识代码
E1
类型编号
5.极限值
表4:
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
R
I
F
P
合计
T
英镑
T
j
参数
连续反向电压
连续正向电流
总功耗
储存温度
结温
T
s
= 90
°C
条件
-
-
-
65
65
最大
50
100
315
+150
+150
单位
V
mA
mW
°C
°C
6.热特性
表5:
符号
R
日( J- S)
热特性
参数
热阻结
到焊接点
条件
典型值
190
单位
K / W
7.特点
表6:
电气特性
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
I
R
C
d
参数
正向电压
反向电流
二极管电容
条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 50 V
V
R
= 20 V
F = 1兆赫;看
图2
V
R
= 0 V
V
R
= 1 V
V
R
= 20 V
r
D
二极管的正向电阻
F = 100 MHz的;看
图1
I
F
- 0.5毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
-
-
-
-
3.3
2.4
1.0
0.6
5.0
3.6
1.5
0.9
-
-
-
0.26
0.23
0.17
-
0.35
0.25
pF
pF
pF
-
-
-
典型值
0.95
-
-
最大
1.1
100
20
单位
V
nA
nA
9397 750 13056
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版本01 - 2004年5月27日
2第8
飞利浦半导体
BAP142L
硅PIN二极管
表6:
电气特性
- 续
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
s
21
2
参数
隔离
条件
V
R
= 0 V ;看
图4
F = 900兆赫
F = 1800兆赫
F = 2450 MHz的
s
21
2
插入损耗
I
F
= 0.5毫安;看
科幻gure 3
F = 900兆赫
F = 1800兆赫
F = 2450 MHz的
s
21
2
插入损耗
I
F
= 1毫安;看
科幻gure 3
F = 900兆赫
F = 1800兆赫
F = 2450 MHz的
s
21
2
插入损耗
I
F
= 10毫安;看
科幻gure 3
F = 900兆赫
F = 1800兆赫
F = 2450 MHz的
s
21
2
插入损耗
I
F
= 100毫安;看
科幻gure 3
F = 900兆赫
F = 1800兆赫
F = 2450 MHz的
τ
L
载流子寿命
从切换时
I
F
= 10 mA至我
R
= 6毫安;
R
L
= 100
;
测量我
R
= 3毫安
I
F
= 100毫安; F = 100 MHz的
-
-
-
-
0.07
0.09
0.11
0.12
-
-
-
-
dB
dB
dB
s
-
-
-
0.10
0.11
0.14
-
-
-
dB
dB
dB
-
-
-
0.18
0.19
0.21
-
-
-
dB
dB
dB
-
-
-
0.24
0.25
0.26
-
-
-
dB
dB
dB
-
-
-
16.0
11.6
9.9
-
-
-
dB
dB
dB
典型值
最大
单位
L
S
串联电感
-
0.6
-
nH
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飞利浦半导体
BAP142L
硅PIN二极管
10
2
r
D
()
10
001aaa693
300
C
D
(fF)
200
001aaa694
1
100
10
1
10
-1
1
10
I
F
(MA )
10
2
0
0
5
10
15
V
R
(V)
20
F = 100 MHz的;吨
j
= 25
°C.
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
图1.正向电阻为正向功能
电流;典型值。
0
s
21 2
( dB)的
0.2
(1)
(2)
(3)
(4)
图2.二极管电容反向的函数
电压;典型值。
0
s
21 2
( dB)的
10
001aaa696
001aaa695
0.4
20
0.6
30
0.8
40
1
0
1
2
F(千兆赫)
3
50
0
1
2
F(千兆赫)
3
(1) I
F
= 100 mA的电流。
(2) I
F
= 10 mA的电流。
(3) I
F
= 1毫安。
(4) I
F
= 0.5毫安。
二极管串联插入一个50
带状线电路
并经由分析器三通网络施力;
T
AMB
= 25
°C.
二极管的零偏置,并在一个50插入
微带
电路;牛逼
AMB
= 25
°C.
图3.插入损耗( | S
21
|
2
)二极管作为函数的
频率;典型值。
图4.隔离( | S
21
|
2
)二极管作为的函数的
频率;典型值。
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BAP142L
硅PIN二极管
8封装外形
无铅超小型塑料封装; 2接线端子;身体1.0× 0.6× 0.5毫米
SOD882
L
L
1
2
b
e1
A
A1
E
D
(2)
0
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
(1)
0.50
0.46
A
1
马克斯。
0.03
b
0.55
0.47
D
0.62
0.55
E
1.02
0.95
e
1
0.65
L
0.30
0.22
0.5
规模
1 mm
笔记
1.包括镀层厚度
2.标记栏表示阴极
概要
VERSION
SOD882
参考文献:
IEC
JEDEC
JEITA
欧洲
投影
发行日期
03-04-16
03-04-17
图5.封装外形。
9397 750 13056
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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