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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第757页 > BSR30
SMD型
PNP中功率晶体管
BSR30,BSR31,BSR33
SOT-89
+0.1
4.50
-0.1
晶体管
单位:mm
+0.1
1.50
-0.1
特点
大电流(最大1 A)
低电压(最大80 V) 。
+0.1
0.48
-0.1
1.80
+0.1
-0.1
+0.1
2.50
-0.1
+0.1
0.53
-0.1
+0.1
4.00
-0.1
+0.1
0.80
-0.1
+0.1
0.44
-0.1
+0.1
2.60
-0.1
+0.1
3.00
-0.1
+0.1
0.40
-0.1
1.基地
2.收集
3. Emiitter
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
BSR30,BSR31
BSR33
集电极 - 发射极电压
BSR30,BSR31
BSR33
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
R
AMB
R
号(j -a)的
R
日( J- S)
V
首席执行官
符号
V
CBO
等级
-70
-90
-60
-80
-5
-1
-2
-200
1.35
-65到+150
150
-65到+150
93
13
K / W
K / W
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
W
www.kexin.com.cn
1
SMD型
BSR30,BSR31,BSR33
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
BSR30
BSR31 ; BSR33
直流电流增益*
BSR30
BSR31,BSR33
直流电流增益*
BSR30
BSR31,BSR33
集电极 - 发射极饱和电压*
V
CESAT
I
C
= -150毫安;我
B
= -15毫安
I
C
= -500毫安;我
B
= -50毫安
基射极饱和电压*
跃迁频率
*脉冲测试: TP = 300 ;
0.01.
V
BESAT
f
T
I
C
= -150毫安;我
B
= -15毫安
I
C
= -500毫安;我
B
= -50毫安
I
C
= -50毫安; V
CE
= -10 V ; F = 100 MHz的
h
FE
I
C
= -500毫安; V
CE
= -5 V;
h
FE
I
C
= -100毫安; V
CE
= -5 V
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
I
E
= 0; V
CB
= -60 V
I
E
= 0; V
CB
= -60 V ;牛逼
j
= 150
I
C
= 0; V
EB
= -5 V
I
C
= -100毫安; V
CE
= -5 V;
10
30
40
晶体管
典型值
最大
-100
-50
-100
单位
nA
ìA
nA
120
300
100
30
50
-0.25
-0.5
-1
-1.2
100
V
V
V
V
兆赫
h
FE
分类
TYPE
记号
BSR30
BR1
BSR31
BR2
BSR33
BR4
2
www.kexin.com.cn
分立半导体
数据表
dbook , halfpage
M3D109
BSR30 ; BSR31 ; BSR33
PNP中功率晶体管
产品数据表
取代1999年的数据04月26日
2004年12月13日
恩智浦半导体
产品数据表
PNP中功率晶体管
特点
大电流(最大1 A)
低电压(最大80 V) 。
应用
电话和一般工业应用
厚和薄膜电路。
描述
在SOT89塑料封装PNP中功率晶体管。
NPN补充: BSR40 ; BSR41和BSR43 。
记号
类型编号
BSR30
BSR31
BSR33
订购信息
类型编号
名字
BSR30
BSR31
BSR33
SC-62
描述
标识代码
BR1
BR2
BR4
钉扎
1
2
3
BSR30 ; BSR31 ; BSR33
描述
辐射源
集热器
BASE
2
3
1
3
2
1
sym079
Fig.1简化外形( SOT89 )和符号。
VERSION
SOT89
塑料表面贴装封装;收集垫好热
转让; 3引线
2004年12月13日
2
恩智浦半导体
产品数据表
PNP中功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BSR30 ; BSR31
BSR33
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BSR30 ; BSR31
BSR33
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
25
°C;
注1
集电极开路
开基
条件
发射极开路
BSR30 ; BSR31 ; BSR33
分钟。
65
65
马克斯。
70
90
60
80
5
1
2
200
1.35
+150
150
+150
V
V
V
V
V
A
A
单位
mA
W
°C
°C
°C
1.装置安装在一个印刷电路板,单面铜,镀锡,集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件,请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
热特性
符号
R
号(j -a)的
R
日( J- S)
1.装置安装在一个印刷电路板,单面铜,镀锡,集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件,请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
条件
注1
价值
93
13
单位
K / W
K / W
2004年12月13日
3
恩智浦半导体
产品数据表
PNP中功率晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
BSR30
BSR31 ; BSR33
直流电流增益
BSR30
BSR31 ; BSR33
直流电流增益
BSR30
BSR31 ; BSR33
V
CESAT
V
BESAT
f
T
1.脉冲测试:吨
p
= 300
μs; δ
< 0.01 。
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
跃迁频率
条件
I
E
= 0 ; V
CB
=
60
V
BSR30 ; BSR31 ; BSR33
分钟。
10
30
马克斯。
100
50
100
120
300
0.25
0.5
1
1.2
V
V
V
V
单位
nA
μA
nA
I
E
= 0 ; V
CB
=
60
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0 ; V
EB
=
5
V
I
C
=
100 μA;
V
CE
=
5
V ;注1
I
C
=
100
毫安; V
CE
=
5
V ;注1
40
100
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
5
V ;注1
30
50
I
C
=
150
毫安;我
B
=
15
毫安;注1
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
毫安;注1
I
C
=
150
毫安;我
B
=
15
毫安;注1
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
毫安;注1
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
10
V;
F = 100 MHz的
100
兆赫
2004年12月13日
4
恩智浦半导体
产品数据表
PNP中功率晶体管
包装外形
BSR30 ; BSR31 ; BSR33
塑料表面贴装封装;收集垫为良好的传热; 3引线
SOT89
D
B
A
b
p3
E
H
E
L
p
1
2
b
p2
w
M
b
p1
e
1
e
3
c
0
2
规模
4 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
1.6
1.4
bp1
0.48
0.35
bp2
0.53
0.40
bp3
1.8
1.4
c
0.44
0.23
D
4.6
4.4
E
2.6
2.4
e
3.0
e1
1.5
HE
4.25
3.75
Lp
1.2
0.8
w
0.13
概要
VERSION
SOT89
参考文献:
IEC
JEDEC
TO-243
JEITA
SC-62
欧洲
投影
发行日期
04-08-03
06-03-16
2004年12月13日
5
SOT89 PNP硅平面
中功率晶体管
第4期? 1996年6月
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
7
BSR40
BR1
BSR30
C
E
C
B
SOT89
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-70
-60
-5
-2
-1
1
-65到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
静态正向电流
传输比
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
开启时间
打开-O FF时间
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
10
40
30
分钟。
-70
-60
-5
-100
-50
-0.25
-0.5
-1.0
-1.2
120
20
120
100
500
650
pF
pF
兆赫
ns
ns
马克斯。
单位
V
V
V
nA
A
V
V
V
V
条件。
I
C
=-100A
I
C
=-10mA
I
E
=-10A
V
CB
=-60V
V
CB
= -60V ,T
AMB
=125°C
I
C
= -150mA ,我
B
=-15mA
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
I
C
= -150mA ,我
B
=-15mA
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
I
C
= -100μA ,V
CE
=-5V
I
C
= -100mA ,V
CE
=-5V
I
C
= -500mA ,V
CE
=-5V
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
V
EB
= -0.5V , F = 1MHz的
I
C
= -50mA ,V
CE
=-10V
F = 35MHz时
V
CC
= -20V ,我
C
=-100mA
I
B1
=-I
B2
=-5mA
C
c
C
e
f
T
T
on
T
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
对于典型特征图看FMMT551数据表。
3 - 65
分立半导体
数据表
书, halfpage
M3D109
BSR30 ; BSR31 ; BSR33
PNP中功率晶体管
产品speci fi cation
取代1997年的数据4月1日
1999年4月26日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
特点
大电流(最大1 A)
低电压(最大80 V) 。
应用
电话和一般工业应用
厚和薄膜电路。
手册, halfpage
BSR30 ; BSR31 ; BSR33
钉扎
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
描述
描述
在SOT89塑料PNP中功率晶体管
封装。 NPN补充: BSR40 ; BSR41和BSR43 。
3
2
1
记号
类型编号
BSR30
BSR31
BSR33
标识代码
BR1
BR2
BR4
1
底部视图
2
3
MAM297
Fig.1简化外形( SOT89 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BSR30 ; BSR31
BSR33
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BSR30 ; BSR31
BSR33
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
1.装置安装在一个印刷电路板,单面铜,镀锡,集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件,请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
60
80
5
1
2
200
1.35
+150
150
+150
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
°C
条件
发射极开路
70
90
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年4月26日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
BSR30 ; BSR31 ; BSR33
条件
注1
价值
93
13
单位
K / W
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板,单面铜,镀锡,集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件,请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BSR30
BSR31 ; BSR33
直流电流增益
BSR30
BSR31 ; BSR33
直流电流增益
BSR30
BSR31 ; BSR33
V
CESAT
V
BESAT
f
T
1.脉冲测试:吨
p
= 300
s; δ
< 0.01 。
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
跃迁频率
I
C
=
150
毫安;我
B
=
15
毫安;注1
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
毫安;注1
I
C
=
150
毫安;我
B
=
15
毫安;注1
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
毫安;注1
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
10
V;
F = 100 MHz的
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
5
V ;注1
30
50
100
0.25
0.5
1
1.2
V
V
V
V
兆赫
I
C
=
100
毫安; V
CE
=
5
V ;注1
40
100
120
300
条件
I
E
= 0; V
CB
=
60
V
I
E
= 0; V
CB
=
60
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
I
C
=
100 A;
V
CE
=
5
V ;注1
10
30
分钟。
马克斯。
100
50
100
单位
nA
A
nA
1999年4月26日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
包装外形
BSR30 ; BSR31 ; BSR33
塑料表面贴装封装;收集垫为良好的传热; 3引线
SOT89
D
B
A
b3
E
HE
L
1
2
b2
3
c
w
M
b1
e
1
e
0
2
规模
4 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
1.6
1.4
b1
0.48
0.35
b2
0.53
0.40
b3
1.8
1.4
c
0.44
0.37
D
4.6
4.4
E
2.6
2.4
e
3.0
e1
1.5
HE
4.25
3.75
L
分钟。
0.8
w
0.13
概要
VERSION
SOT89
参考文献:
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年4月26日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
BSR30 ; BSR31 ; BSR33
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。强调以上一个或
更多的限制,可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出,它是咨询,并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备,设备或系统中使用,其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险,并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1999年4月26日
5
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
BSR30,BSR31,BSR33
SOT-89
+0.1
4.50
-0.1
+0.1
1.50
-0.1
单位:mm
特点
大电流(最大1 A)
低电压(最大80 V) 。
+0.1
0.48
-0.1
1.80
+0.1
-0.1
+0.1
2.50
-0.1
+0.1
0.53
-0.1
+0.1
4.00
-0.1
+0.1
0.80
-0.1
+0.1
0.44
-0.1
+0.1
2.60
-0.1
+0.1
3.00
-0.1
+0.1
0.40
-0.1
1.基地
2.收集
3. Emiitter
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
BSR30,BSR31
BSR33
集电极 - 发射极电压
BSR30,BSR31
BSR33
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
R
AMB
R
号(j -a)的
R
日( J- S)
V
首席执行官
符号
V
CBO
等级
-70
-90
-60
-80
-5
-1
-2
-200
1.35
-65到+150
150
-65到+150
93
13
K / W
K / W
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
W
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
BSR30,BSR31,BSR33
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
BSR30
BSR31 ; BSR33
直流电流增益*
BSR30
BSR31,BSR33
直流电流增益*
BSR30
BSR31,BSR33
集电极 - 发射极饱和电压*
V
CESAT
I
C
= -150毫安;我
B
= -15毫安
I
C
= -500毫安;我
B
= -50毫安
基射极饱和电压*
跃迁频率
*脉冲测试: TP = 300 ;
0.01.
V
BESAT
f
T
I
C
= -150毫安;我
B
= -15毫安
I
C
= -500毫安;我
B
= -50毫安
I
C
= -50毫安; V
CE
= -10 V ; F = 100 MHz的
100
h
FE
I
C
= -500毫安; V
CE
= -5 V;
h
FE
I
C
= -100毫安; V
CE
= -5 V
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
I
E
= 0; V
CB
= -60 V
I
E
= 0; V
CB
= -60 V ;牛逼
j
= 150
I
C
= 0; V
EB
= -5 V
I
C
= -100毫安; V
CE
= -5 V;
10
30
40
100
30
50
-0.25
-0.5
-1
-1.2
V
V
V
V
兆赫
120
300
典型值
最大
-100
-50
-100
单位
nA
ìA
nA
h
FE
分类
TYPE
记号
BSR30
BR1
BSR31
BR2
BSR33
BR4
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2 2
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