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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第757页 > BDY27
BDY27
尺寸以毫米（英寸） 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 100V
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 6A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规范。
TO3 （ TO204AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
100
6
单位
V
A
-
Hz
@ 4/2 (V
CE
/ I
C
)
15
10M
180
85
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
COMSET
半导体
BDY26 ， 183 T2
BDY27 ， 184 T2
BDY28 ， 185 T2
NPN硅晶体管， DIFFUSED
台面
LF大信号功率放大
大电流快速开关
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
J
T
S
集电极 - 发射极电压
评级
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
价值
180
200
250
300
400
500
10
6
3
单位
V
V
V
A
A
瓦
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
功耗
结温
储存温度
@ T
C
= 25°
87.5
-65到+200
°C
第1页
4
COMSET
半导体
BDY26 ， 183 T2
BDY27 ， 184 T2
BDY28 ， 185 T2
热特性
符号
R
THJ -C
评级
热阻，结到外壳
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
价值
2
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
集电极 - 发射极
击穿电压（ * ）
集电极 - 发射极截止
当前
测试条件（S ）
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28A ， 185T2A
BDY28B ， 185T2B
BDY28C ， 185T2C
BDY26
BDY27
BDY28
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
最小典型单位的Mx
180
200
250
250
220
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
V
CEO （ BR ）
I
C
= 50 mA时，我
B
=0
V
I
首席执行官
V
CE
=180 V
V
CE
=200 V
V
CE
=250 V
mA
I
EBO
发射基截止电流
V
EB
=10 V
V
CE
=250 V
V
BE
=0 V
1.0
mA
-
-
-
-
-
-
1.0
mA
I
CES
集电极 - 发射极截止
当前
V
CE
=300 V
V
BE
=0 V
V
CE
=400 V
V
BE
=0 V
第2页
4
COMSET
半导体
BDY26 ， 183 T2
BDY27 ， 184 T2
BDY28 ， 185 T2
集电极 - 发射极饱和
电压（*）
I
C
= 2.0 A，I
B
=0.25 A
V
CE （ SAT ）
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
A
B
C
A
B
C
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
A
B
C
-
-
-
300
400
500
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.6
-
-
-
1.2
-
-
-
45
90
180
-
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿
电压（*）
I
C
-3毫安
V
V
BE （ SAT ）
基射极电压（ * ）
I
C
= 2.0 A，I
B
=0.25 A
-
-
-
55
65
90
20
45
82
-
V
V
CE
= 4 V，I
C
=1 A
h
21E
静态正向电流
传输比（ * ）
V
CE
= 4 V，I
C
=2 A
15
30
75
10
-
f
T
跃迁频率
V
CE
= 15 V，I
C
=0.5 A,
F = 10MHz的
兆赫
t
d
+ t
r
开启时间
I
C
=5 A,
I
B
=1 A
I
C
=5 A,
I
B1
=1 A,
I
B2
=-1 A
-
-
1
2
3.5
6
s
t
s
+ t
f
打开-O FF时间
-
-
s
（ * ）脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
第3页
4
COMSET
半导体
BDY26 ， 183 T2
BDY27 ， 184 T2
BDY28 ， 185 T2
机械数据
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
mm
25,45
38,8
30,09
17,11
9,78
11,09
8,33
1,62
19,43
1
4,08
BASE
辐射源
集热器
第4页
4
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BDY27
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 200V （最小）。
-collector极 - 发射极
饱和电压 -
: V
CE（ SAT
） = 0.6V （最大值） @我
C
= 2A
高
开关速度
应用
·设计
对于低频信号鲍威放大器应用。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
基极电流
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
400
单位
V
200
10
6
V
V
A
3
87.5
200
-65~200
A
W
℃
℃
P
C
T
J
T
英镑
集电极耗散功率@ T
C
=25℃
结温
储存温度
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
2.0
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
1
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
条件
I
C
= 50毫安;我
B
= 0
I
C
= 3毫安;我
E
= 0
I
C
= 2A ;我
B
= 0.25A
B
BDY27
民
200
400
典型值。
最大
单位
V
V
0.6
1.2
1.0
1.0
1.0
100
V
V
mA
mA
mA
I
C
= 2A ;我
B
= 0.25A
B
V
CE
= 300V; V
BE
= 0
V
CE
= 200V ;我
B
= 0
V
EB
= 10V ;我
C
= 0
电流增益带宽积
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
w
C
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 2A ; V
CE
= 4V
15
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 15V ; F = 10MHz时
10
I
C
= 5A ;我
B
= 1A
B
兆赫
0.5
2.0
μs
μs
I
C
= 5A ;我
B1
= 1A ;我
B2
= -0.5A
h
FE
分类
A
15-45
B
30-90
75-100
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BDY27
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 200V （最小）。
-collector极 - 发射极
饱和电压 -
: V
CE（ SAT
） = 0.6V （最大值） @我
C
= 2A
高
开关速度
应用
·设计
对于低频信号鲍威放大器应用。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
基极电流
集电极耗散功率@ T
C
=25℃
结温
储存温度
价值
400
200
10
6
3
87.5
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
2.0
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
1
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
电流增益带宽积
条件
I
C
= 50毫安;我
B
= 0
I
C
= 3毫安;我
E
= 0
I
C
= 2A ;我
B
= 0.25A
B
BDY27
民
200
400
典型值。
最大
单位
V
V
0.6
1.2
1.0
1.0
1.0
15
10
100
V
V
mA
mA
mA
I
C
= 2A ;我
B
= 0.25A
B
V
CE
= 300V; V
BE
= 0
V
CE
= 200V ;我
B
= 0
V
EB
= 10V ;我
C
= 0
I
C
= 2A ; V
CE
= 4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 15V ; F = 10MHz时
兆赫
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
I
C
= 5A ;我
B
= 1A
B
0.5
2.0
μs
μs
I
C
= 5A ;我
B1
= 1A ;我
B2
= -0.5A
h
FE
分类
A
15-45
B
30-90
C
75-100
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
BDY26 ， 183 T2
BDY27 ， 184 T2
BDY28 ， 185 T2
NPN硅晶体管， DIFFUSED MESA
LF大信号功率放大
大电流快速开关
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
评级
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
价值
180
200
250
300
400
500
10
6
单位
V
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
V
V
A
A
瓦
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
3
功耗
结温
储存温度
@ T
C
= 25°
87.5
200
-65到+200
°C
半导体COMSET
1/4
BDY26 ， 183 T2
BDY27 ， 184 T2
BDY28 ， 185 T2
热特性
符号
R
THJ -C
评级
热阻，结到外壳
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
价值
2
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
集电极 - 发射极
击穿电压（ * ）
测试条件（S ）
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28A ， 185T2A
BDY28B ， 185T2B
BDY28C ， 185T2C
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26
BDY27
BDY28
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
最小典型单位的Mx
180
200
250
250
220
300
400
500
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
CEO （ BR ）
I
C
= 50 mA时，我
B
=0
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿
电压（*）
集电极 - 发射极截止
当前
I
C
-3毫安
V
CE
=180 V
V
CE
=200 V
V
CE
=250 V
V
I
首席执行官
-
-
-
-
mA
I
EBO
发射基截止电流
V
EB
=10 V
1.0
mA
V
CE
=250 V
V
BE
=0 V
-
-
I
CES
集电极 - 发射极截止
当前
V
CE
=300 V
V
BE
=0 V
V
CE
=400 V
V
BE
=0 V
BDY27 ， 184T2
-
-
1.0
mA
BDY28 ， 185T2
-
-
半导体COMSET
2/4
BDY26 ， 183 T2
BDY27 ， 184 T2
BDY28 ， 185 T2
符号
V
CE （ SAT ）
评级
集电极 - 发射极饱和
电压（*）
测试条件（S ）
I
C
= 2.0 A，I
B
=0.25 A
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
BE （ SAT ）
基射极电压（ * ）
I
C
= 2.0 A，I
B
=0.25 A
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
A
B
C
A
B
C
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
-
-
-
-
-
-
55
65
90
20
45
82
-
0.6
V
1.2
-
-
-
45
90
100
-
V
V
CE
= 4 V，I
C
=1 A
h
21E
静态正向电流
传输比（ * ）
V
CE
= 4 V，I
C
=2 A
15
30
75
10
-
f
T
跃迁频率
V
CE
= 15 V，I
C
=0.5 A,
F = 10MHz的
兆赫
t
d
+ t
r
开启时间
I
C
=5 A,
I
B
=1 A
I
C
=5 A,
I
B1
=1 A,
I
B2
=-0.5 A
-
0.3
0.5
s
t
s
+ t
f
打开-O FF时间
-
1.5
2.0
s
（ * ）脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
半导体COMSET
3/4
BDY26 ， 183 T2
BDY27 ， 184 T2
BDY28 ， 185 T2
机械数据案例TO- 3
尺寸
mm
A
25,45
B
38,8
C
30,09
D
17,11
E
9,78
G
11,09
H
8,33
L
1,62
M
19,43
N
1
P
4,08
英寸
1
1,52
1,18
0,67
0,39
0,45
0,34
0,06
0,79
0,04
0,16
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
BASE
集热器
辐射源
半导体COMSET
4/4
BDY27
尺寸以毫米（英寸） 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 100V
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 6A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规范。
TO3 （ TO204AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
100
6
单位
V
A
-
Hz
@ 4/2 (V
CE
/ I
C
)
15
10M
180
85
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
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产生
31-Jul-02
BDY26 ， 183 T2
BDY27 ， 184 T2
BDY28 ， 185 T2
NPN硅晶体管， DIFFUSED MESA
LF大信号功率放大
大电流快速开关
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
评级
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
价值
180
200
250
300
400
500
10
6
单位
V
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
V
V
A
A
瓦
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
3
功耗
结温
储存温度
@ T
C
= 25°
87.5
200
-65到+200
°C
半导体COMSET
1/4
BDY26 ， 183 T2
BDY27 ， 184 T2
BDY28 ， 185 T2
热特性
符号
R
THJ -C
评级
热阻，结到外壳
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
价值
2
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
集电极 - 发射极
击穿电压（ * ）
测试条件（S ）
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28A ， 185T2A
BDY28B ， 185T2B
BDY28C ， 185T2C
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26
BDY27
BDY28
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
最小典型单位的Mx
180
200
250
250
220
300
400
500
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
CEO （ BR ）
I
C
= 50 mA时，我
B
=0
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿
电压（*）
集电极 - 发射极截止
当前
I
C
-3毫安
V
CE
=180 V
V
CE
=200 V
V
CE
=250 V
V
I
首席执行官
-
-
-
-
mA
I
EBO
发射基截止电流
V
EB
=10 V
1.0
mA
V
CE
=250 V
V
BE
=0 V
-
-
I
CES
集电极 - 发射极截止
当前
V
CE
=300 V
V
BE
=0 V
V
CE
=400 V
V
BE
=0 V
BDY27 ， 184T2
-
-
1.0
mA
BDY28 ， 185T2
-
-
半导体COMSET
2/4
BDY26 ， 183 T2
BDY27 ， 184 T2
BDY28 ， 185 T2
符号
V
CE （ SAT ）
评级
集电极 - 发射极饱和
电压（*）
测试条件（S ）
I
C
= 2.0 A，I
B
=0.25 A
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
BE （ SAT ）
基射极电压（ * ）
I
C
= 2.0 A，I
B
=0.25 A
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
A
B
C
A
B
C
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
BDY26 ， 183T2
BDY27 ， 184T2
BDY28 ， 185T2
-
-
-
-
-
-
55
65
90
20
45
82
-
0.6
V
1.2
-
-
-
45
90
100
-
V
V
CE
= 4 V，I
C
=1 A
h
21E
静态正向电流
传输比（ * ）
V
CE
= 4 V，I
C
=2 A
15
30
75
10
-
f
T
跃迁频率
V
CE
= 15 V，I
C
=0.5 A,
F = 10MHz的
兆赫
t
d
+ t
r
开启时间
I
C
=5 A,
I
B
=1 A
I
C
=5 A,
I
B1
=1 A,
I
B2
=-0.5 A
-
0.3
0.5
s
t
s
+ t
f
打开-O FF时间
-
1.5
2.0
s
（ * ）脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
半导体COMSET
3/4
BDY26 ， 183 T2
BDY27 ， 184 T2
BDY28 ， 185 T2
机械数据案例TO- 3
尺寸
mm
A
25,45
B
38,8
C
30,09
D
17,11
E
9,78
G
11,09
H
8,33
L
1,62
M
19,43
N
1
P
4,08
英寸
1
1,52
1,18
0,67
0,39
0,45
0,34
0,06
0,79
0,04
0,16
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
BASE
集热器
辐射源
半导体COMSET
4/4
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