添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第213页 > BSR19A
SMD型
NPN型高压晶体管
BSR19,BSR19A
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
单位：mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
低电流（最大300 mA）的
高电压（最大160 Ⅴ） 。
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
BSR19
BSR19A
集电极 - 发射极电压
BSR19
BSR19A
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗*
储存温度
结温
工作环境温度
从结点到环境的热阻*
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
R
AMB
R
日J-一
V
首席执行官
符号
V
CBO
等级
160
180
140
160
6
300
600
100
100
250
-65到+150
150
-65到+150
500
K / W
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
*晶体管安装在一FR4印刷电路板。
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
SMD型
BSR19,BSR19A
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
BSR19
符号
I
CBO
Testconditons
I
E
= 0; V
CB
= 100 V
I
E
= 0; V
CB
= 100V ;牛逼
AMB
= 100
收藏家Cuto FF电流
BSR19A
I
CBO
I
EBO
BSR19
BSR19A
直流电流增益*
BSR19
BSR19A
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
BSR19
BSR19A
集电极电容
跃迁频率
C
c
f
T
I
E
= IE = 0 ; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
100
V
CESAT
V
CESAT
I
C
= 10毫安;我
B
= 1毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 5毫安
h
FE
I
C
= 50毫安; V
CE
= 5 V
h
FE
I
E
= 0; V
CB
= 120 V
I
E
= 0; V
CB
= 120 V ;牛逼
AMB
= 100
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
I
C
= 0; V
EB
= 4 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
60
80
20
30
民
晶体管
典型值
最大
100
100
50
50
50
250
250
单位
nA
ìA
nA
ìA
nA
150
250
200
6
300
mV
mV
mV
pF
兆赫
h
FE
分类
TYPE
记号
BSR19
U35
BSR19A
U36
2
www.kexin.com.cn
分立半导体
数据表
BSR19 ; BSR19A
NPN型高压晶体管
产品数据表
取代2004年的数据01月13日
2004年3月15日
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型高压晶体管
特点
低电流（最大300 mA）的
高电压（最大160 Ⅴ） 。
应用
通用开关和放大
特别适用于语音应用。
描述
在SOT23塑料包装NPN高压晶体管。
PNP补充： BSR20和BSR20A 。
记号
类型编号
BSR19
BSR19A
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚。
* = W ：中国制造。
订购信息
TYPE
数
BSR19
BSR19A
包
名字
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
标识代码
(1)
56 *或U35
57 *或U36
顶视图
手册， halfpage
BSR19 ; BSR19A
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
3
1
2
1
2
MAM255
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
VERSION
SOT23
SOT23
2004年3月15日
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型高压晶体管
快速参考数据
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BSR19
BSR19A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BSR19
BSR19A
I
CM
P
合计
h
FE
峰值集电极电流
总功耗
直流电流增益
BSR19
BSR19A
f
T
跃迁频率
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
T
AMB
≤
25
°C
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
60
80
100
开基
发射极开路
条件
BSR19 ; BSR19A
分钟。
马克斯。
160
180
140
160
600
250
300
V
V
V
V
单位
mA
mW
兆赫
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
BSR19
BSR19A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BSR19
BSR19A
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
集电极开路
开基
65
65
140
160
6
300
600
100
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
160
180
V
V
分钟。
马克斯。
单位
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
条件
价值
500
单位
K / W
从结点到环境的热阻注1
2004年3月15日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型高压晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
BSR19
I
CBO
集电极截止电流
BSR19A
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
BSR19
BSR19A
直流电流增益
BSR19
BSR19A
直流电流增益
BSR19
BSR19A
V
CESAT
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 10毫安;我
B
= 1毫安
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 50毫安;我
B
= 5毫安
BSR19
BSR19A
C
c
f
T
集电极电容
跃迁频率
I
E
= 0 ; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
I
C
= 50毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
I
E
= 0 ; V
CB
= 120 V
I
E
= 0 ; V
CB
= 120 V ;牛逼
AMB
= 100
°C
I
C
= 0 ; V
EB
= 4 V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 5 V
参数
集电极截止电流
I
E
= 0 ; V
CB
= 100 V
I
E
= 0 ; V
CB
= 100V ;牛逼
AMB
= 100
°C
条件
BSR19 ; BSR19A
分钟。
60
80
60
80
20
30
100
马克斯。
100
100
50
50
50
250
250
150
250
200
6
300
单位
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
pF
兆赫
2004年3月15日
4
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型高压晶体管
BSR19 ; BSR19A
手册，全页宽
160
MGD814
的hFE
120
VCE = 5 V
80
40
0
10
1
1
10
10
2
IC毫安
10
3
图2直流电流增益;典型值。
2004年3月15日
5
分立半导体
数据表
OK ， halfpage
M3D088
BSR19 ; BSR19A
NPN型高压晶体管
产品speci fi cation
取代1994年9月数据
在分离式半导体文件， SC04
1997年04月21
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
特点
低电流（最大300 mA）的
高电压（最大160 Ⅴ） 。
应用
通用开关和放大
特别适用于语音应用。
手册， halfpage
BSR19 ; BSR19A
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
3
1
2
描述
在SOT23塑料包装NPN高压晶体管。
PNP补充： BSR20和BSR20A 。
记号
类型编号
BSR19
BSR19A
标识代码
U35
U36
顶视图
1
2
MAM255
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
快速参考数据
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BSR19
BSR19A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BSR19
BSR19A
I
CM
P
合计
h
FE
峰值集电极电流
总功耗
直流电流增益
BSR19
BSR19A
f
T
跃迁频率
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
T
AMB
≤
25
°C
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
60
80
100
300
兆赫
开基
140
160
600
250
V
V
mA
mW
发射极开路
160
180
V
V
条件
分钟。
马克斯。
单位
1997年04月21
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BSR19
BSR19A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BSR19
BSR19A
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
集电极开路
开基
65
65
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
BSR19 ; BSR19A
分钟。
马克斯。
160
180
140
160
6
300
600
100
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
条件
价值
500
单位
K / W
从结点到环境的热阻注1
1997年04月21
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
BSR19
I
CBO
集电极截止电流
BSR19A
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
BSR19
BSR19A
h
FE
直流电流增益
BSR19
BSR19A
h
FE
直流电流增益
BSR19
BSR19A
V
CESAT
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 10毫安;我
B
= 1毫安
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 50毫安;我
B
= 5毫安
BSR19
BSR19A
C
c
f
T
集电极电容
跃迁频率
I
E
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
I
C
= 50毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
I
E
= 0; V
CB
= 120 V
I
E
= 0; V
CB
= 120 V ;牛逼
AMB
= 100
°C
I
C
= 0; V
EB
= 4 V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 5 V
参数
集电极截止电流
I
E
= 0; V
CB
= 100 V
I
E
= 0; V
CB
= 100V ;牛逼
AMB
= 100
°C
条件
BSR19 ; BSR19A
分钟。
60
80
60
80
20
30
100
马克斯。
100
100
50
50
50
250
250
150
250
200
6
300
单位
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
pF
兆赫
1997年04月21
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
BSR19 ; BSR19A
手册，全页宽
160
MGD814
的hFE
120
VCE = 5 V
80
40
0
10
1
1
10
10
2
IC毫安
10
3
图2直流电流增益;典型值。
1997年04月21
5
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
BSR19,BSR19A
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
低电流（最大300 mA）的
高电压（最大160 Ⅴ） 。
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
BSR19
BSR19A
集电极 - 发射极电压
BSR19
BSR19A
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗*
储存温度
结温
工作环境温度
从结点到环境的热阻*
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
R
AMB
R
日J-一
V
首席执行官
符号
V
CBO
等级
160
180
140
160
6
300
600
100
100
250
-65到+150
150
-65到+150
500
K / W
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
*晶体管安装在一FR4印刷电路板。
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
BSR19,BSR19A
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
BSR19
符号
I
CBO
Testconditons
I
E
= 0; V
CB
= 100 V
I
E
= 0; V
CB
= 100V ;牛逼
AMB
= 100
收藏家Cuto FF电流
BSR19A
I
CBO
I
EBO
BSR19
BSR19A
直流电流增益*
BSR19
BSR19A
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
BSR19
BSR19A
集电极电容
跃迁频率
C
c
f
T
I
E
= IE = 0 ; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
100
V
CESAT
V
CESAT
I
C
= 10毫安;我
B
= 1毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 5毫安
h
FE
I
C
= 50毫安; V
CE
= 5 V
h
FE
I
E
= 0; V
CB
= 120 V
I
E
= 0; V
CB
= 120 V ;牛逼
AMB
= 100
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
I
C
= 0; V
EB
= 4 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
60
80
20
30
150
250
200
6
300
mV
mV
mV
pF
兆赫
民
典型值
最大
100
100
50
50
50
250
250
单位
nA
ìA
nA
ìA
nA
h
FE
分类
TYPE
记号
BSR19
U35
BSR19A
U36
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
查看更多BSR19APDF信息
推荐型号
B41866C8107M000
B43305A5477M062
BFC237019334
BA6257
B82498F3390J
BX8115T
BL-B21V1X
B57321V2681J060
BZM55C43-TR3
B41896C3337M001
BC807DS
BL1117-25ZY
B43601C2827M080
BU4821G
BU4329G
BYG23M-E3/TR
BMB1210A900ETLF
B37871R9100M041
BR93L66-W
BT300M-800R
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BSR19A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
BSR19A
NXP
1926+
28562
SOT-23
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
BSR19A
NXP/恩智浦
1926+
28562
SOT-23
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
BSR19A
NEXPERIA
1926+
28562
SOT-23
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市俊晖半导体有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：421123133 复制

电话：13410941925
联系人：李先生【原装正品,可开发票】
地址：深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
BSR19A
NXP
24+
8374
SOT-23
原装正品现货，可开增值税专用发票
深圳信泰电子器材有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
BSR19A
NXP
24+
15000
SOT-23
100%原装正品，只做原装正品
深圳思诺康科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1046649961 复制 点击这里给我发消息 QQ：865326994 复制 点击这里给我发消息 QQ：920682673 复制
电话：0755-83286481李先生/0755-83272821朱小姐
联系人：李先生
地址：深圳市龙岗区坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
BSR19A
NXP
709
2549
原装
优势库存，实单来谈
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ：1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ：1366534167 复制

电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
BSR19A
1922+
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市鑫远鹏科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885742022 复制
电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
BSR19A
NXP/恩智浦
2017+
12350
SOT23
全新原装15818663367
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BSR19A
NXP/恩智浦
2443+
23000
SOT-23
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BSR19A
NXP/恩智浦
24+
8640
SOT-23
全新原装现货，原厂代理。
查询更多BSR19A供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！