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HITFET
II.Generation BSP 76
智能低压侧电源开关
特点
·
逻辑电平输入
·
输入保护( ESD )
·
带有热关断
自动重启
·
过载保护
·
短路保护
·
过压保护
·
电流限制
·
模拟驾驶可能
2
1
VPS05163
产品概述
漏源电压
导通状态电阻
额定负载电流
钳位能源
V
DS
R
DS ( ON)
I
D( NOM )
E
AS
42
200
1.4
150
V
mW
A
mJ
4
3
应用
·
各类阻性,感性和容性负载开关
或线性应用
·
12 V DC应用μC兼容的电源开关
·
替代机电继电器和分立电路
概述
N沟道垂直功率FET在智能SIPMOS
技术。通过嵌入式充分保护
保护功能。
V
bb
M
HITFET
当前
局限性
In
销1
Overvoltage-
保护
引脚2和4( TAB )
栅极驱动
单位
OVER-
温度
保护
ESD
超载
保护
短路
保护
3脚
来源
完整的产品系列和其他信息http://www.infineon.com/hitfet
第1页
2004-03-05
BSP 76
最大额定值AT&T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
漏源电压
电源电压为充分短路保护
连续输入电压
1)
连续输入电流
2)
-0.2V
V
IN
10V
V
IN
< -0.2V或
V
IN
> 10V
工作温度
储存温度
功耗
5)
T
C
= 85 °C
松开单脉冲电感能量
2)
负载突降保护
V
LoadDump2)3)
=
V
A
+
V
S
V
IN
= 0和10 V吨
d
= 400毫秒,
R
I
= 2
W,
R
L
= 9
W,
V
A
= 13.5 V
静电放电
电压
2)
(人体模型)
V
ESD
根据
JEDEC规范
EIA / JESD22 - A114 -B ,第4节
JEDEC湿度
category,J-STD-20-B
IEC气候类型; DIN
EN 60068-1
热阻
结 - 环境:
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
4)
结焊接点:
1对于输入电压超过这些限制我不得不受到限制。
IN
2not产品出厂测试,设计规定
3
V
Loaddump是没有设置连接到发电机根据ISO 7637-1和DIN 40839的DUT
4设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米( 1层, 70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB安装不垂直吹出的空气。
5not产品出厂测试,由R计算
thJA和RDS(ON)
第2页
符号
V
DS
V
BB ( SC )
V
IN
I
IN
价值
42
42
-0.2
2)
... +10
单位
V
mA
自我限制
|
I
IN
|
2
T
j
T
英镑
P
合计
E
AS
V
LD
-40 ...+150
-55 ... +150
3.8
150
50
°C
W
mJ
V
2
kV
MSL1
40/150/56
R
thJA
125
72
R
thjs
17
K / W
K / W
2004-03-05
BSP 76
电气特性
参数
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
特征
漏源电压钳
T
j
= - 40 ...+ 150,
I
D
= 10毫安
断态漏电流
T
j
= -40...+85 °C,
V
bb
= 32 V,
V
IN
= 0 V
T
j
= 150 °C
输入阈值电压
I
D
= 0.3毫安,
T
j
= 25 °C
I
D
= 0.3毫安,
T
j
= 150 °C
在状态输入电流
导通状态电阻
V
IN
= 5 V,
I
D
= 1.4 A,
T
j
= 25 °C
V
IN
= 5 V,
I
D
= 1.4 A,
T
j
= 150 °C
导通状态电阻
V
IN
= 10 V,
I
D
= 1.4 A,
T
j
= 25 °C
V
IN
= 10 V,
I
D
= 1.4 A,
T
j
= 150 °C
额定负载电流
5)
V
DS
= 0.5 V,
T
j
< 150℃,
V
IN
= 10 V,
T
A
= 85 °C
电流限制(如果活跃
V
DS
>2.5 V)
1)
V
IN
= 10 V,
V
DS
= 12 V,
t
m
= 200 s
I
D( LIM )
5
7.5
10
I
D( NOM )
R
DS ( ON)
-
-
1.4
150
280
1.8
200
400
-
A
I
IN(上)
R
DS ( ON)
-
-
190
350
240
480
V
IN(日)
1.3
0.8
-
1.7
-
10
2.2
-
30
A
mW
I
DSS
-
-
1.5
4
8
10
V
A
V
DS ( AZ )
42
-
55
V
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1设备接通到现有的短路(见图确定我
D( LIM ) ) 。如果该设备是在具体条件
和发生短路时,这些值可能会被超过的最大值。 50微秒。
5not产品出厂测试,由R计算
thJA和RDS(ON)
第3页
2004-03-05
BSP 76
电气特性
参数
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
动态特性
开启时间
V
IN
到90%
I
D
:
t
on
t
关闭
-dV
DS
/ DT
on
dV
DS
/ DT
关闭
-
-
-
-
45
60
0.4
0.6
100
100
1.5
1.5
V / μs的
s
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 0至10伏,
V
bb
= 12 V
打开-O FF时间
V
IN
至10%
I
D
:
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 10到0V,
V
bb
= 12 V
上压摆率
70至50%
V
bb
:
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 0至10伏,
V
bb
= 12 V
压摆率关闭
50 %至70%
V
bb
:
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 10到0V,
V
bb
= 12 V
保护功能
1)
热过载跳闸温度
热滞
2)
输入电流保护模式
T
j
= 150 °C
松开单脉冲电感能量
2)
I
D
= 1.4 A,
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12 V
E
AS
150
-
-
mJ
T
jt
DT
jt
I
IN(普罗特)
150
-
-
175
10
40
-
-
300
°C
K
A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
逆二极管
逆二极管正向电压
I
F
= 7 A,
t
m
= 250 s,
V
IN
= 0 V,
t
P
= 300 s
V
SD
-
1
1.5
V
1Integrated保护功能,旨在防止在故障情况下破坏IC
在数据手册中描述。故障条件被认为是"outside"正常工作范围。
保护功能不被设计为连续的重复操作。
2not产品出厂测试,设计规定
第4页
2004-03-05
BSP 76
框图
条款
感性和过压
输出钳位
RL
V
1
IN
HITFET
S
3
D
2
ID
VDS
VBB
Z
D
S
HITFET
VIN
输入电路( ESD保护)
短路行为
栅极驱动器
输入
V
IN
来源/
I
IN
I
D
S
T
j
第5页
2004-03-05
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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电话:0755-83202411
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地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
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电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
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INFINEON/英飞凌
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20801
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6楼
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