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分立半导体

数据表

BFT46

N沟道场效应晶体管的硅

产品speci fi cation

在分离式半导体文件， SC07

1997年12月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道场效应晶体管的硅

描述

对称的n沟道硅

外延平面结型场效应

晶体管在一个超小型塑料

信封。晶体管意

对于低等级的通用

在厚和薄膜放大器

电路。

钉扎

1 =排水

2 =源

3 GATE =

注意：

漏极和源极

互换。

标识代码

BFT46 = M3P

Fig.1简化外形和符号， SOT23封装。

BFT46

手册， halfpage

3

d

s

g

1

顶视图

2

MAM385

快速参考数据

漏源电压

栅极 - 源极电压（漏极开路）

总功率耗散高达至T

AMB

= 40

°C

漏电流

V

DS

= 10 V; V

GS

= 0

转移导纳（共源）

I

D

= 0.2毫安; V

DS

= 10 V ; F = 1千赫

等效噪声电压

V

DS

= 10 V ;我

D

= 200

A;

B = 0,6至100赫兹

V

n

＆ LT ;

0,5

V

y

fs

＆ GT ;

0,5毫秒

I

DSS

＆ GT ;

＆ LT ;

0.2毫安

1,5毫安

±V

DS

V

GSO

P

合计

马克斯。

马克斯。

马克斯。

25 V

25 V

250毫瓦

1997年12月

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道场效应晶体管的硅

评级

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

漏源电压

漏栅极电压（开源）

栅极 - 源极电压（漏极开路）

漏电流

栅电流

总功率耗散高达至T

AMB

= 40

°C

(1)

存储温度范围

结温

热阻

从结点到环境

(1)

记

1.安装在8毫米的陶瓷基板

×

10 mm

×

0,7 mm.

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定编

栅极截止电流

V

GS

= 10 V; V

DS

= 0

漏电流

V

DS

= 10 V; V

GS

= 0

栅源电压

I

D

= 50

A;

V

DS

= 10 V

栅极 - 源极截止电压

I

D

= 0,5娜; V

DS

= 10 V

的y参数在f = 1千赫

V

DS

= 10 V; V

GS

= 0; T

AMB

= 25

°C

转移导纳

输出导纳

V

DS

= 10 V ;我

D

= 200

A;

T

AMB

= 25

°C

转移导纳

输出导纳

输入电容在f = 1兆赫;

V

DS

= 10 V; V

GS

= 0; T

AMB

= 25

°C

反馈电容在f = 1 MHz的;

V

DS

= 10 V; V

GS

= 0; T

AMB

= 25

°C

等效噪声电压

V

DS

= 10 V ;我

D

= 200

A;

T

AMB

= 25

°C

B = 0,6至100赫兹

1997年12月

3

V

n

＆ LT ;

C

rs

＆ LT ;

C

is

＆ LT ;

y

fs

y

os

＆ GT ;

＆ LT ;

y

fs

y

os

＆ GT ;

＆ LT ;

V

（ P） GS

＆ LT ;

V

GS

＆ GT ;

＆ LT ;

I

DSS

＆ GT ;

＆ LT ;

I

GSS

＆ LT ;

R

日J-一

=

±V

DS

V

DGO

V

GSO

I

D

I

G

P

合计

T

英镑

T

j

马克斯。

马克斯。

马克斯。

马克斯。

马克斯。

马克斯。

马克斯。

BFT46

25 V

25 V

25 V

10毫安

5毫安

250毫瓦

150

°C

65

to

+150 °C

430 K / W

0.2 nA的

0.2毫安

1,5毫安

0,1 V

1,0 V

1,2 V

1,0毫秒

10

S

0,5毫秒

5

S

5 pF的

1.5 pF的

0,5

V

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道场效应晶体管的硅

BFT46

手册， halfpage

300

MDA245

P合计

（ mW）的

200

100

0

0

40

80

120

200

160

TAMB （ ° C）

图2功率降额曲线。

1.5

手册，全页宽

ID

（MA ）

1.25

MDA272

1

0.75

VGS = 0 V

最大

0.5

0.1 V

典型值

民

0

1.25

0.2 V

0.3 V

0.4 V

VGS （ V）

1

0.75

0.5

0.25

0

5

10

15

VDS （ V）

20

0.25

图3的典型值。 V

DS

= 10 V ;牛逼

j

= 25

°C.

1997年12月

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道场效应晶体管的硅

BFT46

手册， halfpage

1

MDA273

手册， halfpage

1.25

MDA274

ID

（MA ）

0.75

VGS = 0 V

0.1 V

V

（ P） GS

（Ⅴ）在

ID = 0.5 nA的

1

典型值

0.5

0.2 V

0.3 V

0.25

0.5

0.75

0

0

50

100

TJ （ ° C）

150

0.25

0

0.5

1

1.5

IDSS （MA）在VGS = 0

图4的典型值。 V

DS

= 10 V.

Fig.5

相关性

V

（ P） GS

我

DSS

.

V

DS

= 10 V ;牛逼

j

= 25

°C.

3

|y

fs

|

（女士）

2

典型值

MDA269

5

手册， halfpage

|y

os

|

（女士）

4

MDA270

典型值

3

2

1

1

0

0

0.25

0.5

ID （MA ）

0.75

0

0

0.25

0.5

ID （MA ）

0.75

Fig.6

y

fs

与我

D

. V

DS

= 10 V ; F = 1千赫

T

AMB

= 25

°C.

Fig.7

y

os

与我

D

. V

DS

= 10 V ; F = 1千赫

T

AMB

= 25

°C.

1997年12月

5

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