BSP 30 ... 33 BSP
PNP
开关晶体管
PNP
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
1.65
4
±0.2
±0.3
6.5
±0.1
3
±0.2
1.3 W
SOT-223
0.04 g
塑料外壳
Kunststoffgehuse
3.5
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1
0.7
2.3
2
3
3.25
尺寸/集体单位为毫米
1 = B 2 ， 4 = C 3 = E
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
7
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BSP 30
BSP 31
BSP 32
BSP 33
80 V
90 V
5V
1.3 W
1
)
1A
2A
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
分钟。
典型值。
–
–
–
–
–
马克斯。
100 nA的
50
:
A
100 nA的
250毫伏
500毫伏
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
B开
ê开放
c打开
- V
CE0
- V
CB0
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
T
j
T
S
60 V
70 V
峰值集电极电流 - Koll. - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温。 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
特性（T
j
= 25
/
C)
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 60 V
I
E
= 0, - V
CB
= 60 V ，T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 5 V
- I
C
= 150毫安， - 我
B
= 15毫安
- I
C
= 500毫安， - 我
B
= 50毫安
- I
EB0
- V
CESAT
- V
CESAT
–
–
–
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspg 。
2
)
- I
CB0
- I
CB0
–
–
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
2
01.11.2003
1
开关晶体管
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
- I
C
= 150毫安， - 我
B
= 15毫安
- I
C
= 500毫安， - 我
B
= 50毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 100
:
A
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 100毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 500毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 100
:
A
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 100毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 500毫安
- V
BESAT
- V
BESAT
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
f
T
C
CB0
C
EB0
t
on
t
关闭
–
–
10
40
30
30
100
50
100兆赫
–
–
–
–
R
THA
R
THS
BSP 30 ... 33 BSP
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
20 pF的
120 pF的
–
–
马克斯。
1V
1.2 V
–
120
–
–
300
–
–
–
–
500纳秒
600纳秒
93 K / W
2
)
12 K / W
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
1
)
BSP 30
BSP 32
BSP 31
BSP 33
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
- V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
- V
EB
= 0.5 V，I
C
= i
c
= 0中，f = 1 MHz的
切换时间 - Schaltzeiten
开启时间
打开-O FF时间
- I
CON
= 100毫安，
- I
BON
= 5毫安，我
B关
= 5毫安
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
热电阻 - Wrmewiderstand
结到环境空气 - Sperrschicht祖umgebender拉夫特
结到焊接点 - Sperrschicht祖Ltpad
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
40 BSP ， BSP 41 ， 42 BSP ， BSP 43
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
01.11.2003
1
2
3
BSP30/31/32/33
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