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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第754页 > BSP170P
BSP 170 P
SIPMOS
小信号三极管
特点
P沟道
增强型
额定雪崩
dv / dt的额定
无铅引脚整理;符合RoHS标准
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
-60
0.3
-1.9
V
A
PG-SOT-223
TYPE
BSP 170 P
包
PG-SOT-223
磁带和卷轴信息
L6327 ： 1000个/卷
记号
BSP170
无铅
是的
填料
非干
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号条件
价值
稳定状态
连续漏电流
I
D
T
A
=25 °C
T
A
=70 °C
漏电流脉冲
雪崩能量，单脉冲
I
D，脉冲
E
AS
T
A
=25 °C
I
D
=1.9 A,
R
GS
=25
-1.9
-1.5
-7.6
70
0.18
I
D
=1.9 A,
V
DS
=48 V,
的di / dt = -200 A / μs的，
T
， MAX
=150 °C
mJ
A
单位
雪崩能量，通过定期的限制
E
AR
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
门源电压
功耗
工作和存储温度
防静电类
焊接温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
的dV / dt
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
JESD22 - A114 （ HBM ）
T
A
=25 °C
-6
±20
1.8
-55 ... 150
1A （ 250V至500V ）
260 °C
55/150/56
KV / μs的
V
W
°C
修订版2.52
第1页
2009-02-16
BSP 170 P
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，
结-soldering点
SMD版本， PCB上的元件：
R
thjs
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
20
K / W
R
thJA
最小的足迹
-
-
110
K / W
6厘米
2
散热面积
1)
-
-
70
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=-250 A
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,
I
D
=-250 A
V
DS
=-60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=-60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
=-20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=-10 V,
I
D
=-1.9 A
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=-1.9 A
-60
-2.1
-
-3
-
-4
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-0.1
-1
A
-
-
-
-10
-10
239
-100
-100
300
nA
m
跨
1.3
2.6
-
S
设备上40毫米* 40毫米* 1.5环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区的漏极连接。 PCB
垂直不吹气。
1)
修订版2.52
第2页
2009-02-16
BSP 170 P
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
V
R
=30 V,
I
F
=|I
S
|,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
T
A
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=-1.9 A,
T
j
=25 °C
-
-
-
-
-
-
-
-0.83
36
41
-1.98
-7.6
-1.1
54
62
V
ns
nC
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=-48 V,
I
D
=-1.9 A,
V
GS
= 0至-10 V
-
-
-
-
-1.4
-4.9
-10
-4.34
-1.9
-7.4
-14
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=-30 V,
V
GS
=-
10 V,
I
D
=-1.9 A,
R
G
=6
V
GS
=0 V,
V
DS
=-25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
328
105
38
14
28
92
60
410
135
48
21
42
138
90
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
修订版2.52
第3页
2009-02-16
BSP 170 P
1功耗
P
合计
= F （T
A
)
2漏极电流
I
D
= F （T
A
); |V
GS
|≥10 V
2.1
1.8
1.8
1.5
1.5
1.2
P
合计
[W]
0.9
-I
D
[A]
1.2
0.9
0.6
0.6
0.3
0.3
0
0
40
80
120
160
0
0
40
80
120
160
T
A
[°C]
T
A
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
A
=25 °C
1)
;
D
=0
参数：
t
p
10
1
10 s
100 s
限于由导通状态
阻力
10毫秒
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJA
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
2
1毫秒
0.5
0.2
10
0
10
100毫秒
1
0.1
Z
thjs
〔 K / W〕
-I
D
[A]
0.05
0.02
DC
10
-1
10
0
0.01
单脉冲
10
-2
0.1
1
10
100
10
-1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
-V
DS
[V]
t
p
[s]
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第4页
2009-02-16
BSP 170 P
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
7
-7 V
-20 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
1000
900
-5.5 V
6
-10 V
-6V
800
700
-4 V
5
-I
D
[A]
4
-5 V
R
DS （ ON）
[m
]
600
-4.5 V
500
-5 V
3
400
300
200
-20 V
-6 V
-5.5 V
-7 V
-10 V
2
-4.5 V
1
-4V
100
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
-V
DS
[V]
-I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
3
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
3.5
3
2.5
2
2
-I
D
[A]
g
fs
[S]
1
125 °C
25 °C
1.5
1
0.5
0
0
1
2
3
4
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
GS
[V]
-I
D
[A]
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第5页
2009-02-16
最终数据
BSP 170 P
SIPMOS
小信号三极管
特征
P沟道
增强型
额定雪崩
dv / dt的额定
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
-60
0.3
-1.9
SOT-223
4
V
A
3
2
1
VPS05163
漏
销2
TYPE
BSP 170 P
包
SOT-223
订购代码
Q67041-S4018
门
pin1
来源
3脚
最大额定值
在
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
I
D
价值
单位
连续漏电流
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
-1.9
-1.5
漏电流脉冲
T
A
=25°C
I
PULS
E
AS
E
AR
-7.6
70
0.18
-6
±20
1.8
-55... +150
55/150/56
KV / μs的
V
W
°C
mJ
雪崩能量，单脉冲
I
D
=-1.9 A ,
V
DD
=-25V,
R
GS
=25
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管D
v
/d
t
I
S
=-1.9A,
V
DS
= -48V ，D
i
/d
t
=-200A/s,
T
JMAX
=150°C
d
v
/d
t
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
门源电压
功耗
T
A
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
第1页
2002-01-16
最终数据
BSP 170 P
热特性
参数
特征
热阻，结 - 焊接点
（引脚4 ）
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
1)
符号
分钟。
R
thjs
R
thJA
-
-
-
值
典型值。
-
马克斯。
20
单位
K / W
-
-
110
70
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0,
I
D
=-250A
符号
分钟。
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS （ ON）
-
-
-60
-2.1
值
典型值。
-
-3
马克斯。
-
-4
单位
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
=-250A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=-60V,
V
GS
=0,
T
j
=25°C
V
DS
=-60V,
V
GS
=0,
T
j
=125°C
A
-0.1
-10
-10
0.24
-1
-100
-100
0.3
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=-20V,
V
DS
=0
漏源导通电阻
V
GS
=-10V,
I
D
=-1.9
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
第2页
2002-01-16
最终数据
BSP 170 P
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
动态特性
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=-30V,
V
GS
=-10V,
I
D
=-1.9A,
R
G
=6
V
DS
≤2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=-1.9
V
GS
=0,
V
DS
=-25V,
f=1MHz
符号
条件
分钟。
1.4
-
-
-
-
-
-
-
值
典型值。
2.8
328
105
38
14
28
92
60
马克斯。
-
410
135
48
21
42
138
90
单位
S
pF
ns
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=-48V,
I
D
=-1.9A,
V
GS
= 0至-10V
V
DD
=-48V,
I
D
=-1.9A
-
-
-
-
-1.4
-3.6
-12.5
-3.85
-2.1
-5.4
-16
-
nC
V
（高原）
V
DD
=-48V,
I
D
=-1.9A
V
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流，
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0,
I
F
=-1.9A
V
R
=-30V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt=-100A/s
V
R
=-30V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
I
S
I
SM
T
A
=25°C
-
-
-
-
-
-
-
-0.85
36
41
-1.9
-7.6
-1.1
54
62
A
V
ns
nC
第3页
2002-01-16
最终数据
BSP 170 P
1功耗
P
合计
=
f
（ TA ）
1.9
BSP 170 P
2漏极电流
I
D
=
f
（ TA ）
参数： | V
GS
|
≥
10V
-2
BSP 170 P
W
1.6
A
-1.6
1.4
-1.4
P
合计
I
D
20
40
60
80
100
120
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
0
°C
160
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
T
A
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
A = 25℃
-10
1
BSP 170 P
t
P = 340.0μs
4瞬态热阻抗
Z
thjs
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
K / W
10
2
BSP 170 P
A
=
V
/
I
D
on
)
DS
1毫秒
10
1
R
DS
(
10
0
10毫秒
-10
0
Z
thjs
I
D
10
-1
D = 0.50
0.20
0.10
10
-3
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
-2
-10
-1
DC
10
-4
-10
-2 -1
-10
-10
0
-10
1
V
-10
2
10
-5 -7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
10
10
10
10
10
10
10
s
10
1
V
DS
第4页
t
p
2002-01-16
最终数据
BSP 170 P
5典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
);
T
j
=25°C
参数：
t
p
= 80 s
-5
BSP 170 P
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
=
f
(I
D
)
参数：
V
GS
1
BSP 170 P
P
合计
= 1.8W
A
GF ê
V
GS [ V]
a
-4.0
d
c
a
b
-4
-3.5
b
c
d
e
-4.5
-5.0
-5.5
-6.0
-6.5
-7.0
0.8
R
DS （ ON）
0.7
0.6
0.5
0.4
c
d
e
f
g
I
D
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
0
a
b
f
g
0.3
0.2
0.1
0
0
V
GS
[V] =
a
b
c
d
e
f
-4.0 -4.5 -5.0 -5.5 -6.0 -6.5
g
-7.0
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5 -3
-3.5 -4
V
-5
-0.4 -0.8 -1.2 -1.6
-2
-2.4 -2.8
A
-3.4
V
DS
I
D
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
参数：
t
p
= 80 s
16
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25°C
参数：
t
P = 80微秒
6
A
S
12
-
I
D
4
10
8
政府飞行服务队
3
2
1
1
2
3
4
5
6
8
V
-
V
GS
0
0
6
4
2
0
0
3
6
9
A
-
I
D
15
第5页
2002-01-16
BSP 170 P
初步数据
SIPMOS
功率晶体管
P沟道
增强型
额定雪崩
dv / dt的额定
销1
G
TYPE
BSP 170 P
V
DS
60 V
I
D
R
DS （ ON）
包
@ V
GS
V
GS
= -10 V SOT- 223
-
最大额定值，
在环境温度为25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
T
A
= 25 °C
雪崩能量，单脉冲
I
D
= -1.9 A,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
雪崩电流，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
J（下最大）
反向二极管的dv / dt
I
S
= -1.9 A,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
，的di / dt = 200 A / μs的，
T
JMAX
= 150 °C
门源电压
功耗
T
A
= 25 °C
工作温度
储存温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
70
-1.9
0.18
6
mJ
A
mJ
KV / μs的
I
Dpulse
符号
I
D
-1.9
-1.5
-7.6
价值
单位
A
销2/4
D
3脚
S
订购代码
Q67041-S4018
-1.9 A 0.3
V
GS
P
合计
T
j
T
英镑
±
20
1.8
-55 ... +150
-55...+150
55/150/56
V
W
°C
半导体集团
1
07 / 1998
BSP 170 P
初步数据
电气特性
参数
at
T
J = 25℃，除非另有说明
热特性
热阻，
结-soldering点（引脚4 ）
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
1)
R
thjs
R
thJA
-
-
待定
-
-
70
符号
分钟。
-
值
典型值。
-
马克斯。
待定
K / W
单位
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V,
I
D
= -0.25毫安
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
= -460 A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= -60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= -60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= -20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
V
GS
= -10 V,
I
D
= -1.9 A
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
-
-
-
-
-0.1
-
-10
0.175
-1
-100
-100
0.3
nA
-2.1
-3
-4
A
V
（ BR ） DSS
60
-
-
V
1设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
半导体集团
2
07 / 1998
BSP 170 P
初步数据
电气特性
参数
at
T
J = 25℃，除非另有说明
动态特性
跨
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
= -1.9 A
输入电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -1.9 A,
R
G
= 6
上升时间
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -1.9 A,
R
G
= 6
打开-O FF延迟时间
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -1.9 A,
R
G
= 6
下降时间
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -1.9 A,
R
G
= 6
t
f
-
65
100
t
D（关闭）
-
125
190
t
r
-
30
45
t
D（上）
-
14
21
ns
C
RSS
-
65
85
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
符号
分钟。
1
-
-
值
典型值。
2.5
335
105
马克斯。
-
420
135
S
pF
单位
半导体集团
3
07 / 1998
BSP 170 P
初步数据
电气特性
参数
at
T
J = 25℃，除非另有说明
动态特性
栅极电荷的门槛
V
DD
= -48 V,
I
D
≥
0,1 A,
V
GS
= 0 - 1伏
栅极电荷为
V
gs
=7V
V
DD
= -24 V,
I
D
= -1.9 A,
V
GS
= 0到7 V
栅极电荷总量
V
DD
= -48 V,
I
D
= -1.9 A,
V
GS
= 0至-10 V
栅极电压平台
V
DD
= -48 V,
I
D
= -1.9 A
V
（高原）
-
3.85
-
V
Q
g(7)
Q
g
-
-
7.8
10
11.7
15
nC
Q
G（ TH ）
符号
分钟。
-
值
典型值。
0.36
马克斯。
0.54
nC
单位
反向二极管
逆二极管连续正向电流
T
A
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
T
A
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= -3.8 A
反向恢复时间
V
R
= -30 V,
I
F
=I
S
，二
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= -30 V,
I
F=
l
S
，二
F
/ DT = 100 A / μs的
t
rr
Q
rr
-
-
60
100
90
150
ns
nC
V
SD
-
-0.85
-1.2
V
I
SM
-
-
-7.6
I
S
-
-
-1.9
A
半导体集团
4
07 / 1998
BSP 170 P
初步数据
功耗
P
合计
=
F（T
A)
BSP 170 P
漏电流
I
D
=
f
(T
A)
参数： VGS≥ -10V
BSP 170 P
1.8
W
2.0
A
1.6
P
合计
1.4
1.2
I
D
1.4
1.2
1.0
1.0
0.8
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
T
A
半导体集团
5
07 / 1998
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推荐型号
B32-1370
BR93L56FJ-W
BLX20
BQ29312
BX0012/1
B37932K0104M62
BS-C331RD
BZX399-C8V2
B59100M1090A070
B82731-M2182-A30
BU406
BU4-06
BS-CA0FRD
BS-CB31RD
BYZ50A22
BZA868AVL
B3770
BR95020-WMN6TP
B49410B2276Q000
B43252B2128M000
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
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    -
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