BU406/406H/408
NPN
外延硅晶体管
高压开关IN USE
水平偏转输出级
TO-220
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
C
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - EmitterVoltage
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流派克
基极电流（DC）的
集电极耗散（ TC = 25
°C
)
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
TSTG
等级
400
200
6
7
10
4
60
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
电气特性（Ta = 25℃）
C
Characterristic
集电极截止电流（V
BE
=0)
符号
I
CES
测试条件
V
CE
= 400V , V
EB
=
0
V
CE
= 250V , V
EB
=
0
V
CE
= 250V , V
EB
=
0
Tc=150
V
EB
= 6V ,
I
C
=
0
I
C
=5A,
I
B
=0.5A
I
C
=5A,
I
B
=0.8A
I
B
=1.2A
I
C
=6A,
I
C
=5A,
I
B
=0.5A
I
C
=5A,
I
B
=0.8A
I
C
=6A,
I
B
=1.2A
V
CE
= 10V ,
I
C
=500mA
I
C
=5A,
I
B
=0.5A
I
C
=5A,
I
B
=0.8A
I
C
=6A,
I
B
=1.2A
民
典型值
最大
5
100
1
1
1
1
1
1.2
1.2
1.5
单位
mA
A
mA
mA
V
V
V
V
V
V
发射极截止电流（I
C
=0)
集电极发射极饱和电压： BU406
： BU406H
： BU408
基地 - 发射极饱和电压
： BU406
： BU406H
： BU408
电流增益带宽产品
打开-O FF时间
： BU406
： BU406H
： BU408
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
关闭
10
0.75
0.4
0.4
兆赫
S
S
S
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
主页：
http://www.wingshing.com
联系电话： （ 852 ） 2341 9276传真： （ 852 ） 2797 8153
电子信箱： wsccltd@hkstar.com
BU406
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
SGS - THOMSON微电子产品不授权不明确的生命支持设备或系统中的关键组件
SGS - THOMSON Microelectonics的书面批准。
1997 SGS - THOMSON微电子 - 印刷意大利 - 版权所有
公司SGS - THOMSON微电子集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
...
4/4
BU406 ， BU407
NPN硅功率晶体管
1978年8月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
I
C
=
30毫安
I
B
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
C
= 0
I
C
=
4A
（见注2和3）
（见注2和3）
（见注2和3）
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
（见注4 ）
6
60
12
20
1
1.2
V
V
兆赫
pF
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
BU406
BU407
BU406
BU407
BU406
BU407
测试条件
民
140
5
5
0.1
0.1
1
1
1
mA
mA
典型值
最大
单位
V
V
CE
= 400 V
V
CE
= 330 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
V
CE
= 250 V
V
CE
= 200 V
V
CE
= 250 V
V
CE
= 200 V
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
t
C
ob
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
电流增益
带宽积
输出电容
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
V
CB
=
6V
10 V
10 V
0.5 A
0.5 A
5V
20 V
I
C
= 0.5 A
I
C
=
I
C
=
5A
5A
I
C
= 0.5 A
I
E
= 0
注： 2。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
3.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
4.要获得F
t
在[H
FE
]反应进行外推以-6dB的速率每倍频程从步骤f = 1 MHz到的频率，并[h
FE
] = 1.
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
2.08
70
单位
° C / W
° C / W
电感性负载的开关特性，在25 ℃的情况下（除非另有说明）
参数
t
s
t
（关闭）
测试条件
I
C
= 5 A
I
B（完）
= 0.5A
民
（参见图1和图2）
典型值
2.7
最大
750
单位
s
ns
贮存时间
关闭时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
NPN功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
这些设备是高电压，高速晶体管，用于水平偏转
电视和CRT的输出阶段。
基本特征（ 1 ）
开关特性
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
热特性
最大额定值
REV 2
正向二极管电压（ IEC = 5 ADC ）， “D”只
基射极饱和电压（ IC = 5 ADC ， IB = 0.5 ADC ）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 5 ADC ， IB = 0.5 ADC ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 6伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE =额定VCEV ， VBE = 0 ）
（ VCE =额定VCEO + 50伏直流电， VBE = 0 ）
（ VCE =额定VCEO + 50伏直流电， VBE = 0 ， TC = 150
_
C)
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 100 MADC ， IB = 0 ）
无铅焊接温度的目的：
1/8 ？从案例5秒
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
工作和存储
结温范围
器件总功耗， TC = 25
_
C
减免上述TC = 25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
峰值重复
峰值（ 10毫秒）
发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
高电压： VCEV = 330或400 V
开关速度快： TF = 750毫微秒（最大）
低饱和电压： VCE （SAT） = 1 V （最大值） @ 5 A
封装在紧凑的JEDEC TO- 220AB
特征
等级
v
300
s,
占空比
v
1%.
特征
符号
TJ ， TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
VCEV
PD
IC
IB
TL
符号
R
θJC
R
θJA
BU406
400
400
200
BU406 ， BU407
- 65 150
60
0.48
7
10
15
4
6
BU406
BU407
2.08
最大
275
70
BU407
330
330
150
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
符号
IEBO
冰
VEC
瓦
W/
_
C
_
C / W
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
VDC
_
C
_
C
民
200
150
—
—
—
—
—
—
—
7安培
NPN硅
功率晶体管
60瓦
150和200伏
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
BU406
BU407
CASE 221A -06
TO–220AB
订购此文件
通过BU406 / D
最大
1.2
5
0.1
1
—
—
2
1
1
（续）
MADC
MADC
伏
单位
VDC
VDC
VDC
1
BU406 BU407
开关特性
动态特性
电气特性 - 续
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
感性负载交叉时间
（ VCC = 40 VDC ， IC = 5 ADC ，
IB1 = IB2 = 0.5 ADC中，L = 150
H)
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1兆赫）
电流增益 - 带宽积
（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 20兆赫）
2
100
10
0.1
的hFE ， DC电流增益
70
TJ = 100℃
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
30
50
25°C
2
3
0.2 0.3 0.5
0.7 1
IC ，集电极电流（ AMPS ）
VCE = 5 V
图1.直流电流增益
特征
5
7
10
0.1
10
1
2
符号
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
COB
fT
3
tc
5 7 10
50 70 100
20 30
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
TC = 25°C
焊线LIMIT
热限制
第二击穿极限
民
10
—
—
典型值
80
—
—
dc
0.75
最大
BU407
BU406
—
—
兆赫
单位
pF
s
图2.最大额定正向
偏置安全工作区
200
BU406 BU407
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键（ 602 ） 244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，
6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315
香港：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*BU406/D*
BU406/D
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
NPN功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
这些设备是高电压，高速晶体管，用于水平偏转
电视和CRT的输出阶段。
基本特征（ 1 ）
开关特性
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
热特性
最大额定值
REV 2
正向二极管电压（ IEC = 5 ADC ）， “D”只
基射极饱和电压（ IC = 5 ADC ， IB = 0.5 ADC ）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 5 ADC ， IB = 0.5 ADC ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 6伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE =额定VCEV ， VBE = 0 ）
（ VCE =额定VCEO + 50伏直流电， VBE = 0 ）
（ VCE =额定VCEO + 50伏直流电， VBE = 0 ， TC = 150
_
C)
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 100 MADC ， IB = 0 ）
无铅焊接温度的目的：
1/8 ？从案例5秒
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
工作和存储
结温范围
器件总功耗， TC = 25
_
C
减免上述TC = 25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
峰值重复
峰值（ 10毫秒）
发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
高电压： VCEV = 330或400 V
开关速度快： TF = 750毫微秒（最大）
低饱和电压： VCE （SAT） = 1 V （最大值） @ 5 A
封装在紧凑的JEDEC TO- 220AB
特征
等级
v
300
s,
占空比
v
1%.
特征
符号
TJ ， TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
VCEV
PD
IC
IB
TL
符号
R
θJC
R
θJA
BU406
400
400
200
BU406 ， BU407
- 65 150
60
0.48
7
10
15
4
6
BU406
BU407
2.08
最大
275
70
BU407
330
330
150
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
符号
IEBO
冰
VEC
瓦
W/
_
C
_
C / W
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
VDC
_
C
_
C
民
200
150
—
—
—
—
—
—
—
7安培
NPN硅
功率晶体管
60瓦
150和200伏
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
BU406
BU407
CASE 221A -06
TO–220AB
订购此文件
通过BU406 / D
最大
1.2
5
0.1
1
—
—
2
1
1
（续）
MADC
MADC
伏
单位
VDC
VDC
VDC
1
BU406 BU407
开关特性
动态特性
电气特性 - 续
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
感性负载交叉时间
（ VCC = 40 VDC ， IC = 5 ADC ，
IB1 = IB2 = 0.5 ADC中，L = 150
H)
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1兆赫）
电流增益 - 带宽积
（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 20兆赫）
2
100
10
0.1
的hFE ， DC电流增益
70
TJ = 100℃
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
30
50
25°C
2
3
0.2 0.3 0.5
0.7 1
IC ，集电极电流（ AMPS ）
VCE = 5 V
图1.直流电流增益
特征
5
7
10
0.1
10
1
2
符号
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
COB
fT
3
tc
5 7 10
50 70 100
20 30
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
TC = 25°C
焊线LIMIT
热限制
第二击穿极限
民
10
—
—
典型值
80
—
—
dc
0.75
最大
BU407
BU406
—
—
兆赫
单位
pF
s
图2.最大额定正向
偏置安全工作区
200
BU406 BU407
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键（ 602 ） 244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，
6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315
香港：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*BU406/D*
BU406/D
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2000仙童半导体国际
英文内容
145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国
联系电话： （ 631 ） 435-1110 传真： （ 631 ） 435-1824
QQ：2880707522 复制
