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SIMOPAC
模块
BSM 181
BSM 181
V
DS
= 100 V
I
D
= 200 A
R
DS （ ON）
= 8.5 m
q
q
q
q
q
q
电源模块
单开关
N沟道
增强型
带有绝缘的金属基底板包
1)
封装外形/电路图： 1
TYPE
BSM 181
BSM 181
最大额定值
参数
漏源电压
订购代码
C67076-A1001-A2
C67076-A1016-A2
符号
值
800
800
±
20
36
144
– 55 … + 150
700
≤
0.18
2500
16
11
F
55/150/56
单位
V
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
PULS
T
j
,
T
英镑
P
合计
R
日JC
V
is
–
–
–
–
漏极 - 栅极电压，
R
GS
= 20 k
栅源电压
连续漏电流，
T
C
= 25 C
脉冲漏极电流，
T
C
= 25 C
工作和存储温度范围
功耗，
T
C
= 25 C
热阻
芯片案
绝缘测试电压
2)
,
t
= 1分钟。
爬电距离，漏 - 源
清关，漏 - 源
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
1)
2)
A
C
W
K / W
V
ac
mm
–
见包装外形和电路图。
漏极和底板之间的绝缘测试电压在ACC称为标准的气候23/50 。同
DIN 50 014 ， IEC 146 ，第492.1 。
半导体集团
57
03.96
BSM 181
BSM 181
电气特性
at
T
j
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0,
I
D
= 0.25毫安
栅极阈值电压
V
DS
=
V
GS
,
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 800 V,
V
GS
= 0
T
j
= 25 C
T
j
= 125 C
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0
漏源导通电阻
V
GS
= 10 V,
I
D
= 23 A
动态特性
正向跨导
V
DS
≥
2
×
I
D
×
R
DS （ ON）最大值。
,
I
D
= 23 A
输入电容
V
GS
= 0,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
V
GS
= 0,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
开启时间
t
on
(t
on
=
t
D（上）
+
t
r
)
V
CC
= 400 V,
V
GS
= 10 V
I
D
= 23 A,
R
GS
= 3.3
打开-O FF时间
t
关闭
(t
关闭
=
t
D（关闭）
+
t
f
)
V
CC
= 400 V,
V
GS
= 10 V
I
D
= 23 A,
R
GS
= 3.3
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
800
–
3.0
–
4.0
V
V
GS （ TH）
2.1
I
DSS
–
–
50
300
10
0.18
250
1000
A
I
GSS
–
100
nA
–
0.24
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
15
–
–
–
–
–
–
–
25
24
1.3
0.5
60
30
370
70
–
32
2.0
0.8
–
–
–
–
S
nF
ns
半导体集团
58
BSM 181
BSM 181
电气特性
（续）
at
T
j
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
反向二极管
连续反向漏电流
T
C
= 25 C
脉冲反向漏电流
T
C
= 25 C
二极管正向导通电压
I
F
= 72 A ,
V
GS
= 0
反向恢复时间
I
F
=
I
S
, d
i
F
/d
t
= 100 A/
s,
V
R
= 100 V
T
j
= 25 C
T
j
= 150 C
反向恢复电荷
I
F
=
I
S
, d
i
F
/d
t
= 100 A/
s,
V
R
= 100 V
T
j
= 25 C
T
j
= 150 C
值
典型值。
马克斯。
单位
I
S
–
–
–
1.1
36
144
A
I
SM
–
V
SD
–
1.4
V
ns
–
–
1200
–
–
–
C
–
–
42
50
–
–
t
rr
Q
rr
半导体集团
59
BSM 181
BSM 181
在特色
T
j
= 25 C,
除非另有规定ED 。
功耗
P
合计
=
f
(
T
C
)
参数：
T
j
= 150 C
典型值。输出特性
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
t
p
= 80
s
脉冲测试
安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：单脉冲，
T
C
= 25 C,
T
j
≤
150 C
典型值。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
)
参数：
t
p
= 80
s
,
V
DS
= 25 V
半导体集团
60
BSM 181
BSM 181
连续漏电流
I
D
=
f
(
T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V,
T
j
= 150 C
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
(T
j
)
=
b
×
V
（ BR ） DSS
(25 C)
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
=
f
(
T
j
)
参数：
I
D
= 36 A;
V
GS
= 10 V ， （扩散）
典型的电容
C
=
f
(
V
DS
)
参数：
V
GS
= 0,
f
= 1兆赫
半导体集团
61
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