超低功耗CMOS SRAM
512K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616LV8016
n
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 5.5V
极低的功耗：
V
CC
= 3.0V
工作电流： 31毫安为55ns （最大）
2毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 0.8uA （典型值），在25
O
C
V
CC
= 5.0V
工作电流： 76毫安为55ns （最大）
10mA（最）在1MHz
待机电流： 3.5uA （典型值），在25
O
C
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
=2.7~5.5V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展与CE2 ， CE1和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作，没有时钟，没有刷新
数据保持电源电压低至1.5V
n
描述
该BS616LV8016是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为524,288和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
0.8uA的电流在3.0V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
3.0V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS616LV8016具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV8016是DICE的形式和48球BGA可用
封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616LV8016DC
BS616LV8016FC
BS616LV8016FI
操作
温度
广告
+0
O
C至+70
O
C
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
25uA
4.0uA
9mA
39mA
75mA
1.5mA
19mA
30mA
骰子
BGA-48-0912
50uA
8.0uA
10mA
40mA
76mA
2mA
20mA
31mA
BGA-48-0912
n
销刀豆网络gurations
n
框图
1
A
LB
2
OE
3
A0
4
A1
5
A2
6
CE2
B
DQ8
UB
A3
A4
CE1
DQ0
C
DQ9
DQ10
A5
A6
DQ1
DQ2
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 8192
8192
D
VSS
DQ11
A17
A7
DQ3
VCC
E
VCC
DQ12
VSS
A16
DQ4
VSS
F
DQ14
DQ13
A14
A15
DQ5
DQ6
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
.
.
16
数据
输入
卜FF器
数据
产量
卜FF器
16
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
512
列解码器
9
地址输入缓冲器
16
G
DQ15
NC
A12
A13
WE
DQ7
H
A18
A8
A9
A10
A11
NC
CE2
CE1
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
控制
A14 A15 A16 A17 A18 A0 A1 A2 A3
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS616LV8016
1
修订版2.3
五月。
2006
BS616LV8016
n
引脚说明
名字
A0 - A18地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
功能
这19个地址输入选择在RAM中的524,288 ×16位之一
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
数据读形式或写入设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高阻抗
当设备被取消选择状态。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
OE输出使能输入
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
16双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
n
真值表
模式
芯片取消选择
（断电）
CE1
H
X
X
L
CE2
X
L
X
H
H
WE
X
X
X
H
H
OE
X
X
X
H
H
LB
X
X
H
L
X
L
UB
X
X
H
X
L
L
L
H
L
L
H
DQ0 DQ7 DQ8 DQ15 V
CC
当前
高Z
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
X
D
IN
高Z
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
L
读
L
H
H
L
H
L
L
写
L
H
L
X
H
L
注： H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
R0201-BS616LV8016
2
修订版2.3
五月。
2006
BS616LV8016
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
n
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
7.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
RANG
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+ 70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
V
CC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
C
C
O
W
mA
n
电容
(1)
(T
A
= 25°C ， F = 1.0MHz的）
O
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒。
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
n
DC电气特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(6)
参数
电源
O
O
测试条件
分钟。
2.4
-0.5
(2)
典型值。
(1)
--
马克斯。
5.5
单位
V
输入低电压
--
0.8
V
CC
+0.3
(3)
V
输入高电压
V
IN
= 0V至V
CC
,
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
或OE = V
IH
输出低电压
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
2.2
--
V
输入漏电流
--
--
1
uA
输出漏电流
--
--
1
uA
--
--
0.4
V
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流
–
TTL
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安， F =
F
MAX(4)
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
2.4
--
--
31
76
V
--
--
mA
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安， F = 1MHz的
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
--
--
2
10
mA
--
--
0.8
3.5
1.0
2.0
mA
待机电流
–
CMOS
--
8.0
50
uA
1.典型的特点是在T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
5. I
CC （ MAX 。 ）
为30mA / 75毫安在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70
O
C.
6. I
CCSB1(MAX.)
为4.0uA / 25uA在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70
O
C.
R0201-BS616LV8016
3
修订版2.3
五月。
2006
超低功耗CMOS SRAM
512K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616LV8016
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 5.5V
极低的功耗：
工作电流： 31毫安为55ns （最大）
V
CC
= 3.0V
2毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流： 4 / 8uA （最大）在八十五分之七十
工作电流： 76毫安为55ns （最大）
V
CC
= 5.0V
10mA（最）在1MHz
O
待机电流： 25 / 50uA的（最大）在八十五分之七十
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
=2.7~5.5V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展与CE2 ， CE1和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作，没有时钟，没有刷新
数据保持电源电压低至1.5V
描述
该BS616LV8016是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为524,288和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，最大的CMOS待机
当前8 / 50uA的在Vcc = 3 / 5V在85℃和最大访问时间
55/70ns.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS616LV8016具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV8016是DICE的形式和48球BGA可用
封装。
O
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616LV8016DC
BS616LV8016FC
BS616LV8016FI
操作
温度
广告
O
O
0 ℃ + 70℃
产业
O
O
-40°C至+ 85°C
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
25uA
4.0uA
9mA
39mA
75mA
1.5mA
19mA
30mA
骰子
BGA-48-0912
BGA-48-0912
50uA
8.0uA
10mA
40mA
76mA
2mA
20mA
31mA
销刀豆网络gurations
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
DQ8
DQ9
VSS
VCC
DQ14
DQ15
A18
2
OE
UB
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
VSS
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE1
DQ1
DQ3
DQ4
DQ5
WE
A11
6
CE2
DQ0
DQ2
VCC
VSS
DQ6
DQ7
NC
框图
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 8192
8192
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
CE2
CE1
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
.
.
.
.
.
.
16
16
数据
输入
卜FF器
数据
产量
卜FF器
16
512
列解码器
9
地址输入缓冲器
控制
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
A14 A15 A16 A17 A18 A0 A1 A2 A3
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS616LV8016
1
调整
2.4
十月
2008
BS616LV8016
引脚说明
名字
A0 - A18地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
功能
这19个地址输入选择在RAM中的524,288 ×16位之一
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
数据读形式或写入设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高阻抗
当设备被取消选择状态。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
16双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
芯片取消选择
（断电）
CE1
H
X
X
CE2
X
L
X
H
H
WE
X
X
X
H
H
OE
X
X
X
H
H
LB
X
X
H
L
X
L
UB
X
X
H
X
L
L
L
H
L
L
H
DQ0 DQ7 DQ8 DQ15 V
CC
当前
高Z
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
X
D
IN
高Z
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
L
L
读
L
H
H
L
H
L
L
写
L
H
L
X
H
L
注： H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
R0201-BS616LV8016
2
调整
2.4
十月
2008
BS616LV8016
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
RANG
广告
产业
环境
温度
0℃至+ 70℃
-40 ℃至+ 85℃
O
O
O
O
V
CC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
7.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
C
C
O
W
mA
电容
(1)
(T
A
= 25
O
C，F = 1.0MHz的）
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2. -2.0V的情况下， AC脉冲宽度小于30纳秒。
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
DC电气特性（T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(6)
参数
电源
输入低电压
测试条件
分钟。
2.4
-0.5
(2)
典型值。
(1)
--
--
马克斯。
5.5
0.8
(3)
单位
V
V
输入高电压
V
IN
= 0V至V
CC
,
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
或OE = V
IH
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安中，f = F
最大
(4)
2.2
--
V
CC
+0.3
1
V
输入漏电流
--
--
uA
输出漏电流
--
--
1
uA
输出低电压
--
--
0.4
V
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流 - TTL
2.4
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
--
--
31
76
2
10
1.0
2.0
8.0
50
V
--
--
mA
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安， F = 1MHz的
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
--
--
mA
--
--
0.8
3.5
mA
待机电流 - CMOS
O
--
uA
1.典型的特点是在T
A
= 25℃ ，而不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
O
5. I
CC （ MAX 。 ）
为30mA / 75毫安在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70 C.
O
6. I
CCSB1(MAX.)
为4.0uA / 25uA在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70 C.
R0201-BS616LV8016
3
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2.4
十月
2008
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