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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第868页 > BSM100GD120DN2
SIGC156T120R2C
IGBT芯片在NPT技术
产品特点：
1200V NPT技术为200μm芯片
低关断损耗
尾短电流
正温度系数
简单的并联
集成门极电阻
该芯片被用于：
电源模块
BSM100GD120DN2
应用范围：
驱动器
C
G
E
芯片型号
V
CE
I
Cn
模具尺寸
12.59 X 12.59毫米
2
包
锯成薄片上
订购代码
Q67041-
A4661-A003
SIGC156T120R2C 1200V 100A
力学参数：
栅格尺寸
发射极焊盘尺寸
门焊盘尺寸
总面积/主动
厚度
晶圆尺寸
平位置
每片晶圆的芯片Max.possible
钝化前端
发射金属
收藏家金属化
DIE BOND
引线键合
拒绝墨点尺寸
推荐的存储环境
12.59 X 12.59
8 x ( 3.98 x 2.38 )
1.46 x 0.8
158.5 / 132.6
200
150
90
82个
Photoimide
3200纳米的铝硅1 ％
1400纳米镍银 - 系统
适用于环氧树脂和软钎焊接模具
导电胶水或焊料
人， <500μm
0.65毫米;最大1.2毫米
储存于原装容器中，在干燥的氮气，
< 6个月在23 ℃的环境温度下
m
mm
2
mm
GRD
英飞凌科技AI PS DD HV3 ，L 7181 -M ，第2版， 2003年3月9日编辑
SIGC156T120R2C
最大额定值：
参数
集电极 - 发射极电压，
T
j=25
°C
DC集电极电流限制T
JMAX
集电极电流脉冲，T
p
限制T
JMAX
门极电压
工作结温和存储温度
1)
符号
V
CE
I
C
I
Cpuls
V
GE
T
j
, T
S T摹
价值
1200
1)
单位
V
A
A
V
°C
300
±20
-55 ... +150
根据装配的热性能
静态特性（芯片测试） ，
T
j=25
°C,
除非另有规定：
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
集成门极电阻
符号
V
（ BR ） CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
R
GINT
条件
分钟。
V
GE
= 0V时，我
C
=5mA
V
GE
= 15V ，我
C
=100A
I
C
= 4毫安，V
GE
=V
CE
V
CE
=1200V , V
GE
=0V
V
CE
=0V , V
GE
=20V
5
1200
2.0
4.5
2.5
5.5
3.0
6.5
600
600
A
nA
V
价值
典型值。
马克斯。
单位
电气特性
（在部分测试） ：
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
C
我S S小
C
S S小
C
S S小
条件
V
权证
= 2 5 V ,
V
GE
= 0 V ,
f
=1MHz
价值
分钟。
-
-
-
典型值。
6.5
1
0.5
马克斯。
-
-
-
单位
nF
开关特性
（在组件测试） ，感性负载
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
1)
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
条件
1)
T
j
= 1 2 5
°
C
V
C C
=600V,
I
C
=100A,
V
摹ê
=+15/ - 1 5 V ,
R
G
= 6 . 8
价值
分钟。
-
-
-
-
典型值。
160
80
400
70
马克斯。
320
160
520
100
单位
ns
值也由寄生L-和C-在测量和包装的影响。
英飞凌科技AI PS DD HV3 ，L 7181 -M ，第2版， 2003年3月9日编辑
SIGC156T120R2C
CHIP图：
英飞凌科技AI PS DD HV3 ，L 7181 -M ，第2版， 2003年3月9日编辑
SIGC156T120R2C
进一步电气特性：
该芯片数据手册指
器件的数据手册
BSM100GD120DN2
ECONOPACK3
描述：
AQL的目视检查0,65根据故障目录
根据MIL -STD 883静电放电敏感设备
测试 - 诺门菲拉赫/ Prüffeld
出版
英飞凌科技股份公司，
Bereich KOMMUNIKATION
圣 - 马丁大街53 ，
D- 81541慕尼黑
英飞凌科技股份公司2002年
版权所有。
请注意！
此处的信息是考虑到某些描述部件，不得被视为保证
的特点。
交货条件和权利，以技术变革保留。
在此，我们不承担任何及所有担保，包括但不限于非侵权的保证，
关于电路，说明和图表规定外。
在网络连接霓虹灯技术是经过批准的CECC制造商。
信息
有关技术，交货条款及条件和价格的进一步信息，请联系离您最近的
英飞凌科技厅在德国或我们的英飞凌代表世界各地（见
地址列表） 。
警告
由于技术要求组件可能含有危险物质。有关类型的信息
有问题请联系距离您最近的英飞凌科技办公室。
英飞凌组件只能用于生命支持设备或系统的明确
英飞凌科技的书面批准，如果有这样的组件故障可以合理预期
造成生命支持设备或系统故障，或影响该设备的安全性或有效性或
系统。生命支持设备或系统的目的是要植入在人体内，或者以支持
和/或维护以及维持和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该
用户或其他人的健康可能受到威胁。
英飞凌科技AI PS DD HV3 ，L 7181 -M ，第2版， 2003年3月9日编辑
BSM 100 GD 120 DN2
IGBT功率模块
初步数据
焊电源模块
3相全桥
包括快速续流二极管
与绝缘金属基板封装
TYPE
BSM 100 GD 120 DN2
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压
符号
值
1200
1200
单位
V
V
CE
I
C
包
ECONOPACK 3
订购代码
C67070-A2517-A67
1200V 150A
V
CE
V
CGR
V
GE
I
C
R
GE
= 20 k
栅极 - 发射极电压
DC集电极电流
± 20
A
150
100
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
集电极电流脉冲，
t
p
= 1毫秒
I
Cpuls
300
200
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
每个IGBT功率耗散
P
合计
680
W
+ 150
-55 ... + 150
≤
0.182
≤
0.36
2500
16
11
F
55 / 150 / 56
-
VAC
mm
K / W
°C
T
C
= 25 °C
芯片的温度
储存温度
热电阻，片式案例
二极管的热电阻，片式案例
绝缘测试电压，
t
= 1分。
爬电距离
净空
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJCD
V
is
-
-
-
-
半导体集团
1
Jul-17-1996
BSM 100 GD 120 DN2
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
栅极阈值电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
GE （日）
4.5
5.5
2.5
3.1
1.5
6
-
6.5
3
3.7
V
V
GE
=
V
CE，
I
C
= 4毫安
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
-
-
V
GE
= 15 V,
I
C
= 100 A,
T
j
= 25 °C
V
GE
= 15 V,
I
C
= 100 A,
T
j
= 125 °C
零栅极电压集电极电流
I
CES
-
-
2
-
mA
V
CE
= 1200 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
CE
= 1200 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 发射极漏电流
I
GES
-
400
nA
V
GE
= 20 V,
V
CE
= 0 V
AC特性
跨
g
fs
54
-
6.5
1
0.5
-
S
nF
-
-
-
-
V
CE
= 20 V,
I
C
= 100 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
半导体集团
2
Jul-17-1996
BSM 100 GD 120 DN2
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
开关特性，感性负载时
T
j
= 125 °C
导通延迟时间
值
典型值。
马克斯。
单位
t
D（上）
-
160
320
ns
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 100 A
R
坤
= 6.8
上升时间
t
r
-
80
160
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 100 A
R
坤
= 6.8
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
400
520
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 100 A
R
高夫
= 6.8
下降时间
t
f
-
70
100
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 100 A
R
高夫
= 6.8
续流二极管
二极管的正向电压
V
F
-
-
2.3
1.8
2.8
-
V
I
F
= 100 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
I
F
= 100 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
反向恢复时间
t
rr
-
0.3
-
s
I
F
= 100 A,
V
R
= -600 V,
V
GE
= 0 V
di
F
/ DT = -800 A / μs的，
T
j
= 125 °C
反向恢复电荷
Q
rr
C
I
F
= 100 A,
V
R
= -600 V,
V
GE
= 0 V
di
F
/ DT = -800 A / μs的
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
-
-
4
11
-
-
半导体集团
3
Jul-17-1996
BSM 100 GD 120 DN2
功耗
P
合计
=
(T
C
)
参数：
T
j
≤
150 °C
700
W
600
安全工作区
I
C
=
(V
CE
)
参数：
D
= 0,
T
C
= 25°C ,
T
j
≤
150 °C
10
3
tp
= 15.0s
A
P
合计
550
500
450
400
350
300
250
200
150
I
C
10
2
100 s
10
1
1毫秒
10毫秒
10
0
DC
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
10
-1
0
10
10
1
10
2
10
3
V
T
C
V
CE
集电极电流
I
C
=
(T
C
)
参数：
V
GE
≥
15 V ,
T
j
≤
150 °C
150
A
130
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
0
IGBT
K / W
I
C
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
Z
thJC
10
-1
10
-2
D = 0.50
0.20
0.10
10
-3
单脉冲
0.05
0.02
0.01
20
40
60
80
100
120
°C
160
10
-4
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
T
C
t
p
半导体集团
4
Jul-17-1996
BSM 100 GD 120 DN2
典型值。输出特性
典型值。输出特性
I
C
= F（V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 25 °C
200
A
I
C
= F（V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 125 °C
200
A
17V
15V
13V
11V
9V
7V
I
C
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
I
C
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
17V
15V
13V
11V
9V
7V
1
2
3
V
5
1
2
3
V
5
V
CE
V
CE
典型值。传输特性
I
C
= F（V
GE
)
参数：
t
p
= 80 s,
V
CE
= 20 V
200
A
I
C
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
V
14
V
GE
半导体集团
5
Jul-17-1996
SIGC156T120R2C
IGBT芯片在NPT技术
产品特点：
1200V NPT技术为200μm芯片
低关断损耗
尾短电流
正温度系数
简单的并联
集成门极电阻
该芯片被用于：
电源模块
BSM100GD120DN2
应用范围：
驱动器
C
G
E
芯片型号
V
CE
I
Cn
模具尺寸
12.59 X 12.59毫米
2
包
锯成薄片上
订购代码
Q67041-
A4661-A003
SIGC156T120R2C 1200V 100A
力学参数：
栅格尺寸
发射极焊盘尺寸
门焊盘尺寸
总面积/主动
厚度
晶圆尺寸
平位置
每片晶圆的芯片Max.possible
钝化前端
发射金属
收藏家金属化
DIE BOND
引线键合
拒绝墨点尺寸
推荐的存储环境
12.59 X 12.59
8 x ( 3.98 x 2.38 )
1.46 x 0.8
158.5 / 132.6
200
150
90
82个
Photoimide
3200纳米的铝硅1 ％
1400纳米镍银 - 系统
适用于环氧树脂和软钎焊接模具
导电胶水或焊料
人， <500μm
0.65毫米;最大1.2毫米
储存于原装容器中，在干燥的氮气，
< 6个月在23 ℃的环境温度下
m
mm
2
mm
GRD
英飞凌科技AI PS DD HV3 ，L 7181 -M ，第2版， 2003年3月9日编辑
SIGC156T120R2C
最大额定值：
参数
集电极 - 发射极电压，
T
j=25
°C
DC集电极电流限制T
JMAX
集电极电流脉冲，T
p
限制T
JMAX
门极电压
工作结温和存储温度
1)
符号
V
CE
I
C
I
Cpuls
V
GE
T
j
, T
S T摹
价值
1200
1)
单位
V
A
A
V
°C
300
±20
-55 ... +150
根据装配的热性能
静态特性（芯片测试） ，
T
j=25
°C,
除非另有规定：
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
集成门极电阻
符号
V
（ BR ） CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
R
GINT
条件
分钟。
V
GE
= 0V时，我
C
=5mA
V
GE
= 15V ，我
C
=100A
I
C
= 4毫安，V
GE
=V
CE
V
CE
=1200V , V
GE
=0V
V
CE
=0V , V
GE
=20V
5
1200
2.0
4.5
2.5
5.5
3.0
6.5
600
600
A
nA
V
价值
典型值。
马克斯。
单位
电气特性
（在部分测试） ：
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
C
我S S小
C
S S小
C
S S小
条件
V
权证
= 2 5 V ,
V
GE
= 0 V ,
f
=1MHz
价值
分钟。
-
-
-
典型值。
6.5
1
0.5
马克斯。
-
-
-
单位
nF
开关特性
（在组件测试） ，感性负载
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
1)
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
条件
1)
T
j
= 1 2 5
°
C
V
C C
=600V,
I
C
=100A,
V
摹ê
=+15/ - 1 5 V ,
R
G
= 6 . 8
价值
分钟。
-
-
-
-
典型值。
160
80
400
70
马克斯。
320
160
520
100
单位
ns
值也由寄生L-和C-在测量和包装的影响。
英飞凌科技AI PS DD HV3 ，L 7181 -M ，第2版， 2003年3月9日编辑
SIGC156T120R2C
CHIP图：
英飞凌科技AI PS DD HV3 ，L 7181 -M ，第2版， 2003年3月9日编辑
SIGC156T120R2C
进一步电气特性：
该芯片数据手册指
器件的数据手册
BSM100GD120DN2
ECONOPACK3
描述：
AQL的目视检查0,65根据故障目录
根据MIL -STD 883静电放电敏感设备
测试 - 诺门菲拉赫/ Prüffeld
出版
英飞凌科技股份公司，
Bereich KOMMUNIKATION
圣 - 马丁大街53 ，
D- 81541慕尼黑
英飞凌科技股份公司2002年
版权所有。
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的特点。
交货条件和权利，以技术变革保留。
在此，我们不承担任何及所有担保，包括但不限于非侵权的保证，
关于电路，说明和图表规定外。
在网络连接霓虹灯技术是经过批准的CECC制造商。
信息
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造成生命支持设备或系统故障，或影响该设备的安全性或有效性或
系统。生命支持设备或系统的目的是要植入在人体内，或者以支持
和/或维护以及维持和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该
用户或其他人的健康可能受到威胁。
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B66414-W1008-D1
BFQ22S
BC847PN_1
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