BC847PN
BC847PN
NPN
PNP
互补的表面贴装通用硅平面晶体管
Komplementre硅平面Transistoren献给死去Oberflchenmontage
NPN
PNP
300毫瓦
SOT-363
0.01 g
版本2006-09-05
2
±0.1
2 x 0.65
6
5
4
0.9
±0.1
1.25
±0.1
2.1
±0.1
功耗
Verlustleistung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
2
3
2.4
尺寸 - 集体[MM ]
6 = C1
5 = B2
4 = E2
1 = E1
2 = B1
3 = C2
最大额定值（T
A
= 25°C)
每个晶体管 - 晶体管亲
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
CBO
V
首席执行官
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
BC847PN
45 V
50 V
6V
300毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
T1 - NPN
T2 - PNP
h
FE
h
FE
V
CESAT
V
CESAT
- V
CESAT
- V
CESAT
200
220
–
–
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
马克斯。
450
475
250毫伏
600毫伏
300毫伏
650毫伏
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung
2
)
T1 - NPN
T2 - PNP
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比≤ 2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis ≤ 2％
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
BC847PN
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
基射极饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
2
)
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
基极发射极电压 - 基射极Spannung
2
)
I
C
= 2毫安， V
CE
= 5 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5 V
- I
C
= 2毫安， - V
CE
= 5 V
- I
C
= 10毫安， - V
CE
= 5 V
V
CB
= 30 V ， （E打开）
- V
CB
= 30 V ， （E打开）
发射基截止电流
V
EB
= 5 V ， （C打开）
- V
EB
= 5 V ， （C打开）
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
=i
e
= 0中，f = 1 MHz的
- V
CB
= 10 V，I
E
=i
e
= 0中，f = 1 MHz的
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
穿针 - Anschlubelegung
T1： E1 = 1， C 1 = 6， B 1 = 2
T 2 ： E 2 = 4， C2 = 3 ，B 2 = 5
1
T1
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
700毫伏
900毫伏
700毫伏
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
< 420 K / W
1
)
6
5
4
T2
马克斯。
–
–
–
950毫伏
700毫伏
720毫伏
750毫伏
820毫伏
15 nA的
15 nA的
100 nA的
100 nA的
–
–
6 pF的
4.5 pF的
T1 - NPN
T2 - PNP
V
BESAT
V
BESAT
- V
BESAT
- V
BESAT
V
BE
V
BE
- V
BE
- V
BE
I
CB0
- I
CB0
I
EB0
- I
EB0
f
T
f
T
C
CBO
C
CBO
R
THA
–
–
–
–
580毫伏
–
600毫伏
–
–
–
–
–
100兆赫
100兆赫
–
–
T1 - NPN
T2 - PNP
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
T1 - NPN
T2 - PNP
T1 - NPN
T2 - PNP
T1 - NPN
T2 - PNP
T1 - NPN
T2 - PNP
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
2
3
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比≤ 2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis ≤ 2％
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
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