BSL316C
的OptiMOS 2 +的OptiMOS -P 2小信号晶体管
产品概述
特点
·
互补的P + N沟道
·
增强型
·
逻辑电平( 4.5V额定)
·
额定雪崩
·
符合AEC Q101标准
·
100 %无铅;符合RoHS标准
PG-TSOP6
6
5
P
V
DS
R
DS ( ON) ,最大
V
GS
=±10 V
V
GS
=±4.5 V
I
D
-30
150
270
-1.5
N
30
160
280
1.4
A
V
m
4
1
2
3
TYPE
BSL316C
包
PG-TSOP-6
磁带和卷轴信息
L6327 : 3000个/卷
1)
记号
SPJ
无铅
是的
填料
非干
最大额定值,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号条件
P
价值
N
1.4
1.1
5.6
3.7
±20
单位
连续漏电流
I
D
T
A
=25 °C
T
A
=70 °C
-1.5
-1.2
-6.0
11
A
漏电流脉冲
雪崩能量,单脉冲
门源电压
功耗
1)
工作和存储温度
防静电类
焊接温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
I
D,脉冲
E
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
A
=25 °C
P:
I
D
=-1.5 A,
N:
I
D
=1.4 A,
R
GS
=25
mJ
V
W
°C
T
A
=25 °C
0.5
-55 ... 150
JESD22-A114-HBM
T
SOLDER
0 ( <250V )
260
55/150/56
°C
注:只有一两个晶体管活跃
2.1版
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2009-02-10
BSL316C
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻,结 -
环境
1)
P
N
R
thJA
2)
值
典型值。
马克斯。
单位
最小的足迹
-
-
250
K / W
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
静态特性
漏源击穿voltag P
V
( BR ) DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=-250 A
N
栅极阈值电压
P
V
GS ( TH)
N
零栅极电压漏极电流P
I
DSS
N
P
N
栅极 - 源极漏电流
P
N
漏极 - 源极导通状态
阻力
I
GSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 A
V
DS
=V
GS
,
I
D
=-11 A
V
DS
=V
GS
,
I
D
=3.7 A
V
DS
=-30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=-30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
V
GS
=±20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=-4.5 V,
I
D
=-1.1 A
V
GS
=4.5 V,
I
D
=-1.1 A
V
GS
=-10 V,
I
D
=-1.5 A
V
GS
=10 V,
I
D
=1.4 A
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=-1.18 A
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=1.1 A
-
30
-2
1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-1.5
1.6
-
-
-
-
-
177
191
113
119
2.7
-30
-
-1
2
-1
1
-100
100
±100
270
280
150
160
-
S
nA
m
A
V
P
R
DS ( ON)
N
P
N
跨
P
g
fs
N
-
2.3
-
在40毫米进行
2
FR4 PCB 。的痕迹1mm宽, 70微米厚,长20mm ;它们存在于两
在PCB的两侧
2)
2.1版
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