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BAM120
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI BAM120
被设计成
工作在调制的收藏家
VHF
功率放大器的应用高达150
兆赫
.
包装样式0.500 4L FLG
产品特点：
η
C
= 65 ％ （典型值） 。 @ 120 W / 150 MHz的
P
G
= 9.0分贝（典型值） 。 @ 120 W / 150 MHz的
Omnigold
金属化系统
最大额定值
I
C
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
12 A
60 V
4.0 V
140瓦特@ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
1.2 ° C / W
1 =集热2 =基地
3 & 4 =辐射源
订货编号： ASI10430
特征
符号
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
h
FE
C
OB
P
G
η
C
V
CC
= 27 V
I
C
= 20毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 5.0毫安
V
CE
= 25 V
V
CE
= 27 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
最小典型最大
60
32
4.0
单位
V
V
V
I
C
= 3.5 A
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 120 W
F = 150 MHz的
15
240
9.0
65
100
---
pF
dB
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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BAM120
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI BAM120
被设计成
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VHF
功率放大器的应用高达150
兆赫
.
包装样式0.500 4L FLG
产品特点：
η
C
= 65 ％ （典型值） 。 @ 120 W / 150 MHz的
P
G
= 9.0分贝（典型值） 。 @ 120 W / 150 MHz的
Omnigold
金属化系统
最大额定值
I
C
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
12 A
60 V
4.0 V
140瓦特@ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
1.2 ° C / W
1 =集热2 =基地
3 & 4 =辐射源
订货编号： ASI10430
特征
符号
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
h
FE
C
OB
P
G
η
C
V
CC
= 27 V
I
C
= 20毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 5.0毫安
V
CE
= 25 V
V
CE
= 27 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
最小典型最大
60
32
4.0
单位
V
V
V
I
C
= 3.5 A
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 120 W
F = 150 MHz的
15
240
9.0
65
100
---
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B44030A0375B000
B43511A0687M007
BSL316C
BZX84B3V3W
B5058
BU43XXF
供货商
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厂家
批号
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封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BAM120
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    终端采购配单精选

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联系人：林小姐 胡先生 张先生
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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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