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BSL315P
的OptiMOS -P 2小信号三极管
特点
双P沟道
增强型
逻辑电平（ 4.5V额定）
额定雪崩
符合AEC Q101标准
100 ％无铅化;符合RoHS标准
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
V
GS
=10 V
V
GS
=4.5 V
I
D
-30
150
270
-1.5
A
V
m
PG-TSOP-6
6
5
4
1
2
3
TYPE
BSL315P
包
磁带和卷轴信息
记号
SPF
1)
无铅
是的
填料
非干
PG - TSOP - 6 L6327 ： 3000个/卷
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
A
=25 °C
T
A
=70 °C
价值
-1.5
-1.18
-6
11
单位
A
漏电流脉冲
雪崩能量，单脉冲
I
D，脉冲
E
AS
T
A
=25 °C
I
D
=-1.5 A,
R
GS
=25
I
D
=-1.5 A,
V
DS
=-16V,
的di / dt = -200A / μs的，
T
， MAX
=150 °C
mJ
反向二极管的dv / dt
的dV / dt
6
KV / μs的
门源电压
功耗
1)
工作和存储温度
防静电类
焊接温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
JESD22- A114 -HBM
T
A
=25 °C
±20
0.5
-55 ... 150
0 （ <250V ）
260 °C
55/150/56
V
W
°C
V
°C
°C
备注：两个晶体管的操作的一个
REV 2.2
第1页
2010-03-29
BSL315P
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，
结 - 环境
R
thJA
最小的足迹
2)
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
250
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0V,
I
D
=-250A
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=-11A
V
DS
=-30V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=-30V,
V
GS
=0V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=-20V,
V
DS
=0V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=-1.1 A
V
GS
=10 V,
I
D
=-1.5 A
跨
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=-1.18 A
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极漏电流
-30
-2.0
-
-
-1.5
-
-
-1.0
-1
V
A
-
-
-
-
-
-
-
173
109
2.7
-100
-100
270
150
-
S
nA
m
在40毫米进行
2
FR4 PCB 。的痕迹1mm宽， 70微米厚，长20mm ;它们存在于两侧
的印刷电路板。
2)
REV 2.2
第2页
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BSL315P
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
A
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=-1.5 A,
T
j
=25 °C
V
R
=10 V,
I
F
=-1.5 A,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-0.86
8.2
2.1
0.5
-6
-1.1
-
-
V
ns
nC
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=15 V,
I
D
=1.5 A,
V
GS
= 0至5伏
-
-
-
-
-0.6
-1.2
-2.3
-2.9
-
-
-
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=-15V,
V
GS
=-10 V,
I
D
=-1.5 A,
R
G
=6
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
212
69
56
5.0
6.5
14.3
7.5
282
91
84
-
-
-
-
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
REV 2.2
第3页
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BSL315P
1功耗
P
合计
= F （T
A
)
2漏极电流
I
D
= F （T
A
);
V
GS
≥10
V
2
0.5
1.5
0.375
P
合计
[W]
I
D
[A]
0
40
80
120
1
0.25
0.125
0.5
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
A
[°C]
T
A
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
A
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
1
1 s
10 s
10毫秒
1毫秒
100 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJA
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
3
0.5
10
0
DC
10
2
0.2
0.1
Z
thJA
〔 K / W〕
0.05
I
D
[A]
10
-1
10
1
0.02
0.01
单脉冲
10
-2
10
0
10
-3
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
DS
[V]
t
p
[s]
REV 2.2
第4页
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BSL315P
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
4
4V
10 V
4.5 V
3.5 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
500
450
400
3.3 V
2.8 V
3V
3.3 V
3.5 V
3
350
R
DS （ ON）
[m]
300
250
200
150
100
50
10 V
4V
4.5 V
I
D
[A]
2
3V
2.8 V
1
0
0
1
2
3
0
0
1
2
3
4
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
4
8
3
6
25 °C
2
g
fs
[S]
150 °C
I
D
[A]
4
1
2
0
0
1
2
3
4
0
0
2
4
6
8
V
GS
[V]
I
D
[A]
REV 2.2
第5页
2010-03-29
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