【bq24721 ， bq24721Cwww.ti.comSLUS683C - 2005年11月 - 】,IC型号BQ24721CRHBR,BQ24721CRHBR PDF资料,BQ24721CRHBR经销商,ic,电子元器件-51电子网

bq24721 ， bq24721C

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SLUS683C - 2005年11月 - 修订2006年12月

先进的多化工品和多节同步开关模式

充电器和系统电源选择器

特点

高效NMOS- NMOS同步

降压转换器，用户可选择300千赫

或500 kHz的频率

bq24721C提供较软的导通时，强

打开-O FF

SBS样

(1)

SMBus接口进行控制

交通状况随着主机

可编程电池电压，充电

目前，和AC适配器通过SBS型电流

SMBus接口

0.4 ％充电电压调节准确度

3％的充电电流调节精度

3 ％适配器电流调节精度

动态电源管理（ DPM ）

2 ％精度的集成充电和AC

适配器20 ×电流放大器输出

3节和第4节锂离子电池电压调节

9 V, 12 V–14.4 V, 16 V–19.2 V

电池组的电压工作范围

0 V–19.2 V

AC适配器工作范围8 V- 28 V

99.5％的最大占空比

内部软启动

综合5 ％ 5 -V LDO当AC适配器

应用的

6 - V驱动电源电压的增加

效率

反向电池以放电适配器

保护

电池/适配器系统电源选择器

功能

充适配器过流保护

电池热敏电阻检测， TS ，比较器

可提供32引脚5×5毫米QFN封装

SBS的界面是不是100％符合SBS 。 SBS样

接口SMBus1.1投诉，但不支持数据包

误差校正（ PEC）。控制和状态寄存器分别为

改变以简化和增强笔记本充电器控制。

一个8位的地址（ 12H处）被使用。看

表1

一

与SBS类似VS SBS规格对比。

应用

便携笔记本电脑

便携式DVD播放器

Webpads ， PC片

描述

该bq24721是一款高效率同步

电池充电器具有高集成度

便携式应用。该装置实现了高

性能模拟前端，它连接到所述

系统电源管理微控制器通过

一个简化的SBS般SMBus接口。

动态电源管理（ DPM ）功能

修改依赖于系统中的充电电流

负载条件下，避免AC适配器过载。

高精度电流检测放大器实现

的任一所述充电电流的精确测量

或AC适配器电流，允许终止

nonsmart包和监控整个系统的

力。

适配器隔离二极管可以被旁路或

完全置换为一个外部MOSFET使用

控制由bq24721提供信号，从而

降低整体功耗。

集成的功能，如充电器软启动，充电

过流保护和温度IC

监测提供保护的第二层，在

除了包装和系统保护功能。

5x5的QFN封装（顶视图）

报警

bq24721,

bq24721C

(1)

LODRV

HIDRV

REGN

CHGEN

ACDRV

ACN

ACP

ACDET

绕行

EAO

EAI

保护地

PVCC

BTST

BATDRV

SYS

SYNP

西恩

SRP

SRN

BAT

IOUT

AGND

VCC

FBO

VREF5

SCL

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

使用PowerPad是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

ISYNSET

SDA

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

订购信息

产品型号

包

32针

的5x5mm QFN

32针

的5x5mm QFN

热敏电阻

SENSE

电池短路

（ VERY LOW BATTERY

电压）操作

充电电流的变化来

C/8

充电电流的变化来

C/8

订购数量

（磁带和卷轴）

bq24721RHBR

bq24721RHBT

bq24721CRHBR

bq24721CRHBT

QUANTITY

3000

250

3000

250

bq24721

bq24721C

封装热性能数据

包

(1)

RHB

(2)

(1)

(2)

36°C/W

≤

40°C

额定功率

2.36 W

降额因子

上述牛逼

= 25°C

0.028 W / ℃，

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

该数据是基于使用JEDEC高K板和裸露的芯片焊盘连接到电路板上的铜垫。这是

经由矩阵连接到接地平面通过一个2×3 。

设备信息

终端功能

终奌站

号

名字

CHGEN

描述

充电使能逻辑电平低输入。在CHGEN引脚的逻辑HI禁用充电器。在逻辑LO

CHGEN引脚使充电器。当SMBus接口控制寄存器= 0位， CHGEN也LO 。

AC适配器连接到系统的开关驱动器输出。直接连接到ACFET PMOS功率的栅极

FET 。连接FET源极与输入电流检测电阻的PVCC节点和负侧。

所述FET的漏极连接到该系统的负载侧。建议将10 kΩ电阻从大门到

旁路FET的源极。如果需要，从门可选电容器源ACFET是

用于帮助减缓ON和OFF时间。内部栅极驱动器是不对称的允许

快速关断和慢关断除了内部断裂前先逻辑相对于所述

BATDRV 。

适配器电流检测电阻器，负输入。一个可选的0.1 μF陶瓷电容放在这

引脚和AGND的共模滤波。一个可选的0.1 μF陶瓷电容放在ACN到

ACP提供差模滤波。

适配器电流检测电阻，积极投入。将本上的输入电流读出的适配器侧

电阻器。建议放置一个0.1μF的陶瓷电容ACP至AGND提供

共模滤波。

AC适配器检测感应电压输入。从连接适配器输入电压分压器电阻（前

旁路FET ）来ACDET ，并从ACDET另一电阻到AGND ，为了程序适配器

检测1.2 V ACDET阈值的阈值应大于最大电池调节

电压，并比最小适配器电压低。

栅极驱动适配器输入旁路开关，以防止反向放电，从电池到

输入。该引脚直接连接到输入旁路PMOS功率场效应管的栅极。的源

FET被连接到适配器的输入电压节点。建议将10 kΩ电阻从

门到旁路FET的源极。 FET的漏极连接到的正节点

输入电流检测电阻。可选的电容器可以放置从栅极到源极，以

缓慢下降的切换时间。调节导通和关断时间通常不需要为这

FET 。

误差放大器的输出进行补偿。连接从EAO反馈补偿元件

到EAI 。典型的电容器与一个串联的电阻器和电容器并联连接。见赔偿

计算程序。这个节点在内部相比于PWM锯齿振荡器。

ACDRV

ACN

ACP

ACDET

绕行

EAO

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设备信息（续）

终端功能（续）

终奌站

号

名字

EAI

描述

误差放大器的输入补偿，还连接从EAI反馈补偿元件

为EAO 。连接输入补偿元件从FBO到EAI 。见赔偿

计算程序。

反馈输出赔偿。连接输入补偿元件从FBO到EAI 。

通常，并联一个电阻与一个串联的电阻和电容器。看到补偿计算

程序。

模拟地。接地连接于低电流敏感的模拟信号和数字信号。只有连接到

通过连接到IC下方的使用PowerPad 保护地节点。

5V的稳定电压输出，用于内部偏压和用于编程的TS中的参考

热敏电阻检测网络。用于指示适配器的当前状态。它是通过检测交流启用。

连接一个1 μF陶瓷电容Vref5相引脚和AGND尽可能靠近IC越好。

IC模拟正电源。连接到适配器的输入，或二极管，或通过把一个二极管从适配器输入

和从电池组到VCC的二极管。把一个1 μF陶瓷电容， VCC到AGND ，尽量靠近

在IC越好。

SMBus数据输入。连接到从主机控制器SMBus数据线。一个10 kΩ的上拉电阻的

需要主机控制器的电源轨。

SMBus时钟输入。连接到从主机控制器的SMBus时钟线。一个10 kΩ的上拉电阻

需要主机控制器电源轨。

热敏电阻检测输入端。使用来自Vref5相电压分压器， TS和AGND 。将来自电阻

VREF至TS ，并从TS电阻到AGND编程冷热电池组热敏电阻

温度。充电时禁用热/冷窗外。该TS引脚也用于检测

如果一个电池连接。

节目电流阈值同步非同步调节过渡。将一个电阻

从ISYNSET到AGND编程充电暗流门槛，迫使非同步

在低输出电流转换器的操作，并防止负电感器电流。阈值应

set from ½ inductor current ripple to full value of inductor current ripple.

电池充电器或适配器电流放大器输出。电流检测放大器的输出电压20倍

电流检测电阻器的差分电压。该输出可以通过SMBus的充电控制被选择

（ SRP - SRN ）。将IOUT从一个0.1 μF的电容到AGND用于过滤输出纹波。（可选）添加

输出滤波器进一步滤波后的RC滤波器。

电池电压远端采样。直接从电池正极接Kelvin检测跟踪

终端BAT引脚精确地检测电池组电压。从放置一个0.1 μF电容

BAT到AGND靠近IC滤除高频噪声。

充电电流检测电阻器，负输入。连接到充电电流检测电阻负

终奌站。或者，从SRN添加一个0.1μF的陶瓷电容靠近IC供到AGND

共模滤波器。

充电电流检测电阻，积极投入。连接到充电电流检测电阻正

终奌站。建议放置一个0.1μF的陶瓷电容SRP附近的IC，适用于以AGND

共模滤波器。或者，放置一个0.1μF的陶瓷电容SRP附近的IC，适用于以SRN

差模滤波器。

充电过流和欠充电消极意义上的输入。连接到充电电流

检测电阻负端。如果感测相同的感测电阻器作为干线网络，用户可以连接

直接到SRN引脚，不需要任何进一步的滤波电容。感测不同的检测电阻，

添加一个0.1μF的陶瓷电容西恩附近的IC到AGND的共模滤波器。

充电过流和欠充电消极意义上的输入。连接到充电电流

检测电阻正极。如果感测相同的感测电阻器的SRP ，用户可以连接

直接将SRP的销，并且没有进一步的滤波电容器是必要的。感测不同的检测电阻，

从SYNP添加一个0.1μF的陶瓷电容靠近IC的共模滤波器AGND ，并放置一个

0.1 μF陶瓷电容SYNP附近的IC ，以西恩的差模滤波。

系统负载，电压检测。直接连接到系统负载节点和BAT的PMOS的漏

功率场效应管。

FBO

AGND

VREF5

VCC

SDA

SCL

ISYNSET

IOUT

BAT

SRN

SRP

西恩

SYNP

SYS

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设备信息（续）

终端功能（续）

终奌站

号

名字

描述

电池系统开关驱动器输出。栅极驱动的电池系统负载BAT PMOS功率

场效应管从电池隔离系统，以防止电流从所述系统向电池，而

允许来自电池的低阻抗路径，系统同时排出电池组向系统

负载。该引脚直接连接到输入BAT PMOS功率场效应管的栅极。连接的源

在FET的系统负载电压节点。 FET的漏极连接到所述电池组正

节点。建议将10 kΩ电阻从大门到BAT FET的源极。可选

电容器被置于从栅极到源极缓慢下降的切换时间。内部栅极

驱动器是不对称的，允许在另外的快速关断和慢关断到内部

先开后合逻辑做出相对的ACDRV 。

报警指示充电状态变化，漏极开路输出。报警被拉低（ LO ）时

SMBus的状态寄存器（ 0x13）均禁用有变化。报警输出清零（ HI ） SMBus的时候

状态（ 0x13）均禁用寄存器被读取，或者有复位。这是用来通知主机和启动中断

与主机而不必连续轮询充电器。一个10 kΩ的上拉电阻到主机

需要控制电源轨。

电源地。接地连接于所述高电流功率转换器的节点。只有连接到

AGND节点通过连接到IC下方的使用PowerPad 。

PWM低侧驱动器输出。直接连接至低侧NMOS功率FET的一个栅

较短的线路。

低侧驱动器的栅极电压调节器和源的高边驱动器的自举电压。添加一个1 μF

陶瓷电容REGN引脚与PGND引脚靠近IC 。放置一个小信号肖特基二极管

从REGN到BTST自举电压。

高侧驱动器的负电源。直接连接到高边NMOS FET的源极与

较短的线路。这个节点是高侧FET ，低边FET之间的公共连接，

输出电感。从BTST连接一个0.1 μF自举陶瓷电容PH值。

PWM高侧驱动器输出。直接连接到高侧NMOS功率FET的一个栅

较短的线路。

高边驱动器电源正极，连接自举电容的POS端。连接一个0.1 μF自举

电容从BTST引脚到PH节点。此外，与阳极连接的自举二极管

连接到REGN销和连接到所述BTST销阴极。一个可选的4.7 Ω - 15 Ω

串联电阻置于BTST销和自举二极管/电容交界处之间

减慢的接通高侧FET的时间用于减少振铃，由于高的dv / dt的相位

节点。

IC电源正电源。直接连接到高侧NMOS功率FET的漏极。

建议将至少有10 μF陶瓷电容器直接从高边NMOS的漏极

功率FET ，以保护地线。多达40个

可以根据需要，以防止谐振滤波电感。另外，一个

0.1μF的去耦陶瓷电容建议。

BATDRV

报警

保护地

LODRV

REGN

HIDRV

BTST

PVCC

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绝对最大额定值

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

(1) (2)

参数

针

ACN ， ACP ， PVCC ， ACDRV ，西恩， SYNP ， SRP ， SRN ，

BATDRV ， BAT ， BYPASS ， SYS ， VCC

电源电压范围

LODRV ， REGN ， FBO ， EAI ， EAO ， ISYNSET ， CHGEN ， TS ，

Vref5相， ACDET ， IOUT ，报警， SCL ， SDA

BTST ， HIDRV （相对于AGND和PGND ）

最大差分电压

最大电压差

工作环境温度范围（T

)

最高结温（T

J- MAX

)

存储温度范围（T

英镑

)

(1)

(2)

AGND ， PGND

ACP- ACN ， SRP- SRN和SYNP ，西恩

值/单位

0.3 V至30 V

-1 V至30 V

-0.3 V至7 V

-1 V至36 V

0.3 V至0.3 V

0.6 V

-40 ° C至85°C

150°C

-65_C到150_C

强调超越那些在列

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值

只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作

推荐工作

条件

是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

所有的电压都是相对于AGND ，除非另有说明。电流是积极进入，负出指定的终端。请教

该数据手册的热限制和包装的考虑，包装部。

推荐工作条件

参数

针

ACN ， ACP ， PVCC ， ACDRV ， SRP ， SRN ，

BATDRV ， BAT ， BYPASS ， SYS ， VCC ，西恩，

SYNP

电源电压范围

LODRV ， REGN ， Vref5相

FBO ， EAI ， EAO ， ISYNSET ， CHGEN ， TS ，

ACDET ， SCL ， SDA ，报警

IOUT ， ACDET

BTST ， HIDRV

最大差分电压

最大电压差

结温范围（T

)

存储温度范围（T

英镑

)

AGND ， PGND

ACP- ACN ，西恩 - SYNP ， SRP- SRN

-55

民

–0.5

喃

最大

6.5

5.5

0.5

125

150

单位

°C

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