【飞利浦半导体产品speci fi cationP沟道增强模式MOS晶体管特点低阈值电压快速开关兼容逻】,IC型号BSH201,BSH201 PDF资料,BSH201经销商,ic,电子元器件-51电子网

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飞利浦半导体

产品speci fi cation

P沟道增强模式

MOS晶体管

特点

低阈值电压

快速开关

兼容逻辑电平

超小型表面贴装

包

BSH201

符号

s

快速参考数据

V

DS

= -60 V

I

D

= -0.3 A

R

DS （ ON）

≤

2.5

(V

GS

= -10 V)

d

g

概述

P沟道增强模式

逻辑电平，场效应功率

晶体管。这种装置具有低

阈值电压和极

快速切换，非常适合

电池供电应用及

高速数字接口。

该BSH201在所提供的

SOT23

超小型

表面

安装包。

钉扎

针

1

2

3

门

来源

漏

描述

SOT23

3

顶视图

1

2

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

V

DS

V

DGR

V

GS

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

, T

j

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

存储&工作温度

条件

R

GS

= 20 k

T

a

= 25 C

T

a

= 100 C

T

a

= 25 C

T

a

= 25 C

T

a

= 100 C

分钟。

-

-

-

-

-

-

-

-

- 55

马克斯。

-60

-60

±

20

-0.3

-0.19

-1.2

0.417

0.17

150

单位

V

V

V

A

A

A

W

W

C

热阻

符号

R

日J-一

参数

热阻结到

环境

条件

FR4板，最小

脚印

典型值。

300

马克斯。

-

单位

K / W

1998年8月

1

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

P沟道增强模式

MOS晶体管

电气特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

R

DS （ ON）

g

fs

I

GSS

I

DSS

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= -10

A

V

DS

= V

GS

; I

D

= -1毫安

T

j

= 150C

V

GS

= -10 V ;我

D

= -160毫安

V

GS

= -4.5 V ;我

D

= -80毫安

V

GS

= -10 V ;我

D

= -160毫安;牛逼

j

= 150C

正向跨导

V

DS

= -48 V ;我

D

= -160毫安

门源漏电流V

GS

=

±20

V; V

DS

= 0 V

零栅压漏

V

DS

= -48 V; V

GS

= 0 V;

当前

T

j

= 150C

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反馈电容

I

D

= -0.5 A; V

DD

= -10 V; V

GS

= -10 V

分钟。

-60

-1

-0.4

-

-

-

0.1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

BSH201

典型值。马克斯。单位

-

-1.9

-

2.1

2.7

3.6

0.35

±10

-50

-1.3

3

0.5

0.4

2

4.5

45

20

70

15

5

-

-

-

2.5

3.75

4.25

-

±100

-100

-10

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

V

V

V

S

nA

nA

A

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

V

DD

= -10 V ;我

D

= -0.5 A;

V

GS

= -10 V ;

G

= 6

阻性负载

V

GS

= 0 V; V

DS

= -48 V ; F = 1 MHz的

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号

I

DR

I

DRM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

T

a

= 25 C

I

F

= -0.38 A; V

GS

= 0 V

I

F

= -0.25 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= 0 V; V

R

= -48 V

分钟。

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

-0.97

38

58

马克斯。

-0.3

-1.2

-1.3

-

-

单位

A

A

V

ns

nC

1998年8月

2

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

P沟道增强模式

MOS晶体管

BSH201

归一化功耗， PD （％）

120

100

100

80

60

40

1

20

10

1000

峰值漏电流脉冲， IDM （ A）

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

单脉冲

P

D

tp

D = TP / T

T

0

0

25

50

75

100

125

150

环境温度，钽（℃）

0.1

1E-06

1E-05

1E-04

1E-03

1E-02

1E-01

1E+00 1E+01

脉冲宽度TP （多个）

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

a

)

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J-一

= F（T） ;参数D = T

p

/T

归一化漏电流， ID （％）

120

100

80

漏极电流ID （ A）

-1

TJ = 25℃

-0.8

-0.6

BSH201

VGS = -10 V

-4.5 V

60

40

20

0

0

25

50

75

100

125

150

0

0

-0.5

-1

-1.5

漏 - 源电压， VDS （V ）

-2

环境温度，钽（℃）

-0.4

-0.2

-2.5 V

-2.3 V

-2.1 V

-1.9 V

-1.7 V

-1.5 V

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

a

） ;条件： V

GS

≤

-10 V

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON）（欧姆）

10

峰值漏电流脉冲， IDM （ A）

RDS （ ON）= VDS / ID

1

BSH201

10

9

TP = 10us的

100美

1毫秒

0.1

特区

10毫秒

100毫秒

0.01

8

7

6

5

4

3

2

1

0.001

1

10

100

漏 - 源电压， VDS （V ）

1000

0

0

-0.1

-0.2

-0.3

-0.4

漏极电流ID （ A） PHP222

-0.5

-4.5 V

VGS = -10 V

-1.5 V

-1.7 V

-1.9 V

-2.1 V

-2.3 V

-2.5 V

TJ = 25℃

如图3所示。安全工作区。牛逼

a

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

1998年8月

3

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

P沟道增强模式

MOS晶体管

BSH201

漏极电流ID （ A）

-1

-0.9

-0.8

-0.7

-0.6

-0.5

-0.4

-0.3

-0.2

-0.1

0

0

-0.5

-1

-1.5 -2 -2.5 -3 -3.5 -4

栅 - 源电压，V GS （V）的

-4.5

VDS > ID X RDS （ ON）

TJ = 25℃

150 C

BSH201

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

阈值电压VGS （到），（ V）

典型

最低

0

-5

-5.5

25

50

75

100

125

150

结温TJ（ C）

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

)

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

跨导， GFS （ S）

0.7

VDS > ID X RDS （ ON）

0.6

0.5

TJ = 25℃

BSH201

1E-01

150 C

1E-02

1E-03

漏极电流ID （ A）

VDS = -5V

TJ = 25℃

BSH201

0.4

0.3

0.2

0.1

0

0

-0.1

-0.2

-0.3

-0.4

-0.5

-0.6

-0.7

-0.8

-0.9

-1

漏极电流ID （ A）

1E-07

-2.5

-2

-1.5

栅 - 源电压，V GS （V）的

-1

1E-04

1E-05

1E-06

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

)

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 C

归一化漏源导通电阻

2

1.9

1.8

1.7

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0

RDS （ ON） @ TJ

RDS （ ON） @ 25℃

VGS = -10 V

-4.5 V

电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）

1000

BSH201

100

西塞

科斯

10

CRSS

25

50

75

100

125

150

结温TJ（ C）

1

-0.1

-1.0

-10.0

漏 - 源电压， VDS （V ）

-100.0

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

R

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

)

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

1998年8月

4

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

P沟道增强模式

MOS晶体管

BSH201

栅 - 源电压，V GS （V）的

-14

-12

-10

-8

-6

-4

-2

0

0

1

2

3

栅极电荷（ NC）

4

VDD = 10 V

RD = 20欧姆

TJ = 25℃

BSH201

3.5

3

2.5

2

源极 - 漏极二极管电流IF （ A）

BSH201

150 C

1.5

1

0.5

0

0

5

0.5

1

1.5

2

漏源电压， VSDS （V ）

TJ = 25℃

图13 。典型导通栅极电荷特性。

V

GS

= F （Q

G

)

图14 。典型的反向二极管电流。

I

F

= F（V

SDS

） ;条件： V

GS

= 0 V ;参数T

j

1998年8月

5

启1.000

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