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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第423页 > BAS70-04S
BAS70 ... / BAS170W
硅肖特基二极管
通用二极管，高速开关
电路保护
电压钳位
高电平检测和混合

1



BAS170W
BAS70-02L
BAS70-02W
BAS70
BAS70-04
BAS70-04T
BAS70-04W
3
BAS70-04S
BAS70-05
BAS70-05W
3
3
6
5
4
D 3
D 4
D 1
D 2
2
D 1
D 2
D 1
D 2
1
2
1
2
1
2
3
1
2
BAS70-06
BAS70-06W
3
BAS70-07
BAS70-07W
4
3
D 1
D 2
D 1
D 2
1
2
1
2
TYPE
BAS170W
BAS70
BAS70-02L*
BAS70-02W
BAS70-04
BAS70-04S
BAS70-04T
BAS70-04W
BAS70-05
BAS70-05W
BAS70-06
BAS70-06W
BAS70-07
BAS70-07W
包
SOD323
SOT23
TSLP-2-1
SCD80
SOT23
SOT363
SC75
SOT323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT323
SOT143
SOT343
CON组fi guration
单身
单身
单一的，无引线
单身
系列
双系列
系列
系列
共阴极
共阴极
共阳极
共阳极
对平行
对平行
L
S
（ NH）
1.8
1.8
0.4
0.6
1.8
1.6
1.6
1.4
1.8
1.4
1.8
1.4
2
1.8
记号
7
73s
F
73
74s
74s
74s
74s
75s
75s
76s
76s
77s
77s
*初步
1
Feb-03-2003
BAS70 ... / BAS170W
最大额定值
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
价值
单位
二极管的反向电压
正向电流
正向电流浪涌
总功耗
BAS70-02L,
T
S
117 °C
107 °C
48 °C
97 °C
t
70
70
100
V
mA
10ms
mW
250
250
250
250
250
250
250
250
250
T
j
T
op
T
英镑
符号
R
thjs
BAS70-02W,
T
S
BAS70-07W,
T
S
结温
工作温度范围
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
BAS70 ， BAS70-07
BAS70-02L
BAS70-02W
BAS70-04 ， BAS70-06
BAS70-04S / W， BAS70-06W
BAS70-04T
BAS70-05
BAS70-05W
BAS70-07W
BAS170W
1
为
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
2












BAS70-05W,
T
S

BAS70-05,
T
S

BAS70-04T,
T
S
91 °C
90 °C
114 °C
22 °C

BAS70-04S / W / -06W ， BAS170W ，
T
S

BAS70-04 ， BAS70-06 ，
T
S

BAS70 ， BAS70-07 ，
T
S



72 °C
150
-55 ... 125
-55 ... 150
°C
价值
单位
K / W
310
130
170
410
210
235
510
240
145
190
Feb-03-2003
BAS70 ... / BAS170W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
DC特性
典型值。
马克斯。
单位
击穿电压
I
（ BR ）
= 10 A
V
（ BR ）
I
R
V
F
70
-
-
-
-
0.1
V
A
mV
反向电流
V
R
= 50 V
正向电压
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 15毫安
I
F
= 10毫安
300
600
750
V
F
375
705
880
-
410
750
1000
20
AC特性
二极管电容
V
R
= 0 ,
f
= 1兆赫
I
F
= 10毫安，
f
= 10千赫
I
F
= 25毫安
正向电阻
载流子寿命
C
T
r
f
-
-
-
1.5
34
-
2
-
100
pF
rr

1
V
F
是最低和最高之间的差
V
F
在一个多重二极管组件。
3
Feb-03-2003


正向电压匹配
1)
-
ps

BAS70 ... / BAS170W
二极管电容
C
T
=
f
= 1MHz的
BAS 70W / 170W BAS
f
= 10千赫
EHB00044
2.0
C
T
pF
10
3
r
f
BAS 70W / 170W BAS
1.5
10
2
1.0
10
1
0.5
0.0
0
20
40
60
V
V
R
80
10
0
0.1
1
T
A
=参数
BAS 70W / 170W BAS
T
A
=参数
EHB00043
10
2
10
2
BAS 70W / 170W BAS
Ι
R
A
10
1
T
A
= 150 C
Ι
F
mA
10
1
10
0
85 C
10
0
10
-1
10
-2
25 C
10
-1
10
-3
0
20
40
60
V
V
R
80
10
-2
0.0
0.5
4


反向电流
I
R
=
(
V
R
)
正向电流
I
F
=
(V
F
)
T
A
= -40 C
25 C
85 C
150 C

(V
R
)
正向电阻
r
f
=
(I
F
)

EHB00045
10
100毫安
Ι
F
EHB00042
1.0
V
V
F
1.5
Feb-03-2003
BAS70 ... / BAS170W
正向电流
I
F
=
BAS70 ， BAS70-07
80
mA
BAS70-02L
80
mA
60
60
I
F
40
I
F
50
50
40
30
30
20
20
10
10
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
0
0
15
30
45
60
T
S
BAS70-02W
80
mA
BAS70-04 ， BAS70-06
80
mA
60
60
I
F
40
I
F
50
50
40
30
30
20
20
10
10
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
0
0
15
30
45
60
T
S
5


正向电流
I
F
=
(T
S
)
正向电流
I
F
=

(T
S
)
正向电流
I
F
=
(T
S
)

75
90 105 120
°C
150
T
S
(T
S
)
75
90 105 120
°C
150
T
S
Feb-03-2003
BAS 70-04S
硅肖特基二极管阵列
通用二极管，高速开关
电路保护
电压钳位
高电平检测和混合
4
5
6
2
1
3
VPS05604
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理注意事项！
TYPE
BAS 70-04S
订购代码标识
74s
Q62702-A3468
引脚配置
1/4=A1
2/5=C2
包
3/6 = C1 / A2 SOT- 363
最大额定值
参数
二极管的反向电压
正向电流
正向浪涌电流（ t< 100μS ）
总功耗，
T
S
≤
97°C
结温
工作温度范围
储存温度
热阻
结 - 环境
1)
符号
价值
70
70
100
250
150
-55...+150
-55...+150
单位
V
mA
mW
°C
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
T
j
T
op
T
英镑
R
thJA
R
thjs
≤
445
≤
210
K / W
结 - 焊接点
1 ）包装安装在环氧印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 0.5平方厘米铜
半导体集团
半导体集团
1
1
Sep-07-1998
1998-11-01
BAS 70-04S
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
DC特性
击穿电压
典型值。
-
马克斯。
-
单位
V
（ BR ）
I
R
70
V
A
I
（ BR ）
= 10 A
反向电流
V
R
= 50 V
V
R
= 70 V
正向电压
-
-
-
-
375
705
880
0.1
10
mV
410
750
1000
V
F
300
600
750
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 15毫安
AC特性
二极管电容
C
T
τ
-
-
-
1.6
-
30
2
100
-
pF
ps
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
载流子寿命
I
F
= 25毫安
正向电阻
r
f
I
F
= 10毫安，
f
= 10千赫
半导体集团
半导体集团
2
2
Sep-07-1998
1998-11-01
BAS 70-04S
正向电流
I
F
=
f
(V
F
)
反向电流
I
R
=
f
(V
R
)
T
A
=参数
10
2
BAS 70W / 170W BAS
EHB00042
T
A
=参数
10
2
BAS 70W / 170W BAS
EHB00043
Ι
F
mA
1
Ι
R
A
10
1
T
A
= 150 C
10
10
0
85 C
10
0
10
-1
T
A
= -40 C
25 C
85 C
150 C
10
-1
10
-2
25 C
10
-2
0.0
0.5
1.0
V
1.5
10
-3
0
20
40
60
V
80
V
F
V
R
二极管电容
C
T
=
f
(V
R
)
f
= 1MHz的
BAS 70W / 170W BAS
EHB00044
微分正向电阻
r
f
=
f
(I
F
)
f
= 10千赫
2.0
10
3
BAS 70W / 170W BAS
EHB00045
C
T
pF
r
f
1.5
10
2
1.0
10
1
0.5
0.0
0
20
40
60
V
80
10
0
0.1
1
10
100毫安
V
R
Ι
F
3
3
半导体集团
半导体集团
Sep-07-1998
1998-11-01
BAS 70-04S
正向电流
I
F
=
f
(T
A
*;T
S
)
*包装安装在环氧
100
mA
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
T
S
I
F
T
A
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
A
,T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
F（T
p
)
允许的脉冲负载
I
FMAX
/
I
FDC
=
F（T
p
)
10
3
10
2
K / W
I
FMAX
/
I
FDC
-
R
thjs
10
2
10
1
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
-5
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0 -6
10
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
半导体集团
半导体集团
4
4
Sep-07-1998
1998-11-01
BAS70.../BAS170W
硅肖特基二极管
通用二极管，高速开关
电路保护
电压钳位
高电平检测和混合
BAS70-04S ：对于方位盘看
下面的包信息
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
BAS170W
BAS70-02L
BAS70-02W
BAS70
BAS70-04
BAS70-04W
!
BAS70-04S
BAS70-05
BAS70-05W
!
!
$
#
， "
＆ QUOT ;

, !
, 
,
, 
,
, 
,



!

BAS70-06
BAS70-06W
!
BAS70-07
BAS70-07W
＆ QUOT ;
!
, 
,
, 
,


1
含有铅，
包可能是可根据特殊要求
1
2007-09-19
BAS70.../BAS170W
TYPE
BAS170W
BAS70
BAS70-02L
BAS70-02W
BAS70-04
BAS70-04S
BAS70-04W
BAS70-05
BAS70-05W
BAS70-06
BAS70-06W
BAS70-07
BAS70-07W
包
SOD323
SOT23
TSLP-2-1
SCD80
SOT23
SOT363
SOT323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT323
SOT143
SOT343
CON组fi guration
单身
单身
单一的，无引线
单身
系列
双系列
系列
共阴极
共阴极
共阳极
共阳极
对平行
对平行
L
S
（ NH）
1.8
1.8
0.4
0.6
1.8
1.6
1.4
1.8
1.4
1.8
1.4
2
1.8
记号
白色7
73s
F
73
74s
74s
74s
75s
75s
76s
76s
77s
77s
最大额定值
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
二极管的反向电压
正向电流
非重复性峰值浪涌正向电流
t
≤
10ms
总功耗
BAS70 ， BAS70-07 ，
T
S
≤
72 °C
BAS70-02L,
T
S
≤
117 °C
BAS70-02W,
T
S
≤
107 °C
BAS70-04 ， BAS70-06 ，
T
S
≤
48 °C
BAS70-04S / W / -06W ， BAS170W ，
T
S
≤
97 °C
BAS70-05,
T
S
≤
22 °C
BAS70-05W,
T
S
≤
90 °C
BAS70-07W,
T
S
≤
114 °C
结温
工作温度范围
储存温度
T
j
T
op
T
英镑
P
合计
250
250
250
250
250
250
250
250
150
-55 ... 125
-55 ... 150
°C
mW
符号
V
R
I
F
I
FSM
价值
70
70
100
单位
V
mA
2
2007-09-19
BAS70.../BAS170W
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
BAS70 ， BAS70-07
BAS70-02L,
BAS70-02W
BAS70-04 ， BAS70-06
BAS70-04S / W， BAS70-06W
BAS70-05
BAS70-05W
BAS70-07W
BAS170W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
DC特性
击穿电压
I
（ BR ）
= 10 A
V
（ BR ）
I
R
V
F
符号
R
thjs
价值
≤
310
≤
130
≤
170
≤
410
≤
210
≤
510
≤
240
≤
145
≤
190
单位
K / W
符号
分钟。
70
-
值
典型值。
-
-
马克斯。
-
0.1
单位
V
A
mV
反向电流
V
R
= 50 V
正向电压
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 15毫安
300
600
720
V
F
-
375
705
880
-
410
750
1000
20
正向电压匹配
2)
I
F
= 10毫安
1
为
2
V
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
F
是最低和最高之间的差
V
F
在一个多重二极管组件。
3
2007-09-19
BAS70.../BAS170W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
AC特性
二极管电容
V
R
= 0 ,
f
= 1兆赫
正向电阻
I
F
= 10毫安，
f
= 10千赫
载流子寿命
I
F
= 25毫安
τ
rr
-
-
100
ps
r
f
-
34
-
C
T
-
1.5
2
pF
典型值。
马克斯。
单位
4
2007-09-19
BAS70.../BAS170W
二极管电容
C
T
=
(V
R
)
f
= 1MHz的
BAS 70W / 170W BAS
EHB00044
正向电阻
r
f
=
(I
F
)
f
= 10千赫
10
4
2.0
C
T
pF
欧姆
1.5
10
3
1.0
r
f
10
2
0.5
0.0
0
20
40
60
V
V
R
80
10
1 -2
10
10
-1
10
0
10
1
mA
10
2
I
F
反向电流
I
R
=
(V
R
)
T
A
=参数
BAS 70W / 170W BAS
EHB00043
正向电流
I
F
=
(V
F
)
T
A
=参数
10
2
BAS 70W / 170W BAS
EHB00042
10
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Ι
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A
= 150 C
Ι
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10
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A
= -40 C
25 C
85 C
150 C
10
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60
V
V
R
80
10
-2
0.0
0.5
1.0
V
V
F
1.5
5
2007-09-19
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