【飞利浦半导体产品speci fi cationN沟道增强模式MOS晶体管特点非常低阈值电压快速开关兼】,IC型号BSH105,BSH105 PDF资料,BSH105经销商,ic,电子元器件-51电子网

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飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

MOS晶体管

特点

非常低阈值电压

快速开关

兼容逻辑电平

超小型表面贴装

包

BSH105

符号

d

快速参考数据

V

DS

= 20 V

I

D

= 1.05 A

g

R

DS （ ON）

≤

250毫欧（V

GS

= 2.5 V)

V

GS （ TO ）

≥

0.4 V

s

概述

N沟道增强模式，

逻辑电平，场效应功率

晶体管。此装置具有非常低的

阈值电压和极

快速切换，非常适合

电池供电应用及

高速数字接口。

该BSH105在所提供的

SOT23

超小型

表面

安装包。

钉扎

针

1

2

3

门

来源

漏

描述

SOT23

3

顶视图

1

2

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

V

DS

V

DGR

V

GS

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

, T

j

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

存储&工作温度

条件

R

GS

= 20 k

T

a

= 25 C

T

a

= 100 C

T

a

= 25 C

T

a

= 25 C

T

a

= 100 C

分钟。

-

-

-

-

-

-

-

-

- 55

马克斯。

20

20

±

8

1.05

0.67

4.2

0.417

0.17

150

单位

V

V

V

A

A

A

W

W

C

热阻

符号

R

日J-一

参数

热阻结到

环境

条件

FR4板，最小

脚印

典型值。

300

马克斯。

-

单位

K / W

1998年8月

1

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

MOS晶体管

电气特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

R

DS （ ON）

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 10

A

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 150C

V

GS

= 4.5 V ;我

D

= 0.6 A

V

GS

= 2.5 V ;我

D

= 0.6 A

V

GS

= 1.8 V ;我

D

= 0.3 A

V

GS

= 2.5 V ;我

D

= 0.6 A;牛逼

j

= 150C

正向跨导

V

DS

= 16 V ;我

D

= 0.6 A

门源漏电流V

GS

=

±8

V; V

DS

= 0 V

零栅压漏

V

DS

= 16 V; V

GS

= 0 V;

当前

T

j

= 150C

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反馈电容

I

D

= 1 ; V

DD

= 20 V; V

GS

= 4.5 V

分钟。

20

0.4

0.1

-

-

-

-

0.5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

BSH105

典型值。马克斯。单位

-

0.57

-

140

180

240

270

1.6

10

50

1.3

3.9

0.4

1.4

2

4.5

45

20

152

71

33

-

-

-

200

250

300

375

-

100

100

10

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

V

V

V

m

m

m

m

S

nA

nA

A

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

g

fs

I

GSS

I

DSS

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

DD

= 20V;我

D

= 1 A;

V

GS

= 8 V ;

G

= 6

阻性负载

V

GS

= 0 V; V

DS

= 16 V ; F = 1 MHz的

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号

I

DR

I

DRM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

T

a

= 25 C

I

F

= 0.5 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 0.5 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= 0 V; V

R

= 16 V

分钟。

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

0.74

27

19

马克斯。

1.05

4.2

1

-

-

单位

A

A

V

ns

nC

1998年8月

2

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

MOS晶体管

BSH105

归一化功耗， PD （％）

120

100

100

80

60

40

1

20

10

1000

峰值漏电流脉冲， IDM （ A）

BSH105

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

单脉冲

T

P

D

tp

D = TP / T

0

0

25

50

75

100

125

150

环境温度，钽（℃）

0.1

1E-06

1E-05

1E-04

1E-03

1E-02

1E-01

1E+00 1E+01

脉冲宽度TP （多个）

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

a

)

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J-一

= F（T） ;参数D = T

p

/T

归一化漏电流， ID （％）

120

100

80

60

40

20

0

0

25

50

75

100

125

150

环境温度，钽（℃）

5

4.5

4

3.5

3

2.5

2

1.5

1

0.5

0

漏极电流ID （ A）

4.5V

2.5V

TJ = 25℃

BSH105

2.1 V

VGS = 1.9 V

1.7 V

1.5 V

1.3 V

1.1 V

0

0.5

1

1.5

漏 - 源电压， VDS （V ）

2

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

a

） ;条件： V

GS

≥

4.5 V

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON）（欧姆）

100

峰值漏电流脉冲， IDM （ A）

BSH105

0.5

0.45

0.4

10

RDS （ ON）= VDS / ID

TP = 100美元

1

1毫秒

10毫秒

0.1

100毫秒

特区

0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0.01

0.1

1

10

漏 - 源电压， VDS （V ）

100

0

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

漏极电流ID （ A）

3.5

4

TJ = 25℃

2.5 V

1.5 V

1.7 V

1.9 V

2.1 V

BSH105

VGS = 4.5 V

4.5

5

如图3所示。安全工作区。牛逼

a

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

1998年8月

3

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

MOS晶体管

BSH105

漏极电流ID （ A）

3

2.5

2

1.5

1

0.5

0

0

0.5

1

1.5

2

栅 - 源电压，V GS （V）的

2.5

VDS > ID X RDS （ ON）

BSH105

1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

阈值电压VGS （到），（ V）

典型

最低

150 C

TJ = 25℃

0

3

25

50

75

100

125

150

结温TJ（ C）

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

)

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

漏极电流ID （ A）

跨导， GFS （ S）

4

3.5

3

2.5

2

1.5

1

0.5

0

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

1E-07

0

0.2

0.4

0.6

0.8

栅 - 源电压，V GS （V）的

漏极电流ID （ A）

1E-04

1E-05

1E-06

1E-01

1E-02

1E-03

BSH105

1E+00

VDS = 5 V

TJ = 25℃

BSH105

1

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

)

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 C

归一化漏源导通电阻

1.8

1.7

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1

0.9

0.8

0

RDS （ ON） @ TJ

RDS （ ON） @ 25℃

2.5 V

VGS = 4.5 V

1.8 V

电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）

1000

BSH105

西塞

100

科斯

CRSS

25

50

75

100

125

150

10

0.1

1

10

漏 - 源电压， VDS （V ）

100

结温TJ（ C）

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

R

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

)

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

1998年8月

4

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

MOS晶体管

BSH105

栅 - 源电压，V GS （V）的

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

0

2

4

栅极电荷QG （ NC）

6

VDD = 20 V

RD = 20欧姆

TJ = 25℃

BSH105

-5

-4.5

-4

-3.5

-3

-2.5

-2

-1.5

-1

-0.5

0

8

源极 - 漏极二极管电流IF （ A）

BSH105

150 C

TJ = 25℃

0

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

-1.2

漏源电压， VSDS （V ）

图13 。典型导通栅极电荷特性。

V

GS

= F （Q

G

)

图14 。典型的反向二极管电流。

I

F

= F（V

SDS

） ;条件： V

GS

= 0 V ;参数T

j

1998年8月

5

启1.000

产品speci fi cation

N沟道增强模式

MOS晶体管

特点

非常低阈值电压

快速开关

兼容逻辑电平

超小型表面贴装

包

BSH105

符号

d

快速参考数据

V

DS

= 20 V

I

D

= 1.05 A

g

R

DS （ ON）

≤

250毫欧（V

GS

= 2.5 V)

V

GS （ TO ）

≥

0.4 V

s

概述

N沟道增强模式，

逻辑电平，场效应功率

晶体管。此装置具有非常低的

阈值电压和极

快速切换，非常适合

电池供电应用及

高速数字接口。

该BSH105在所提供的

SOT23

超小型

表面

安装包。

钉扎

针

1

2

3

门

来源

漏

描述

SOT23

3

顶视图

1

2

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

V

DS

V

DGR

V

GS

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

, T

j

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

存储&工作温度

条件

R

GS

= 20 k

T

a

= 25 C

T

a

= 100 C

T

a

= 25 C

T

a

= 25 C

T

a

= 100 C

分钟。

-

-

-

-

-

-

-

-

- 55

马克斯。

20

20

±

8

1.05

0.67

4.2

0.417

0.17

150

单位

V

V

V

A

A

A

W

W

C

热阻

符号

R

日J-一

参数

热阻结到

环境

条件

FR4板，最小

脚印

典型值。

300

马克斯。

-

单位

K / W

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 2

产品speci fi cation

N沟道增强模式

MOS晶体管

电气特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

R

DS （ ON）

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 10

A

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 150C

V

GS

= 4.5 V ;我

D

= 0.6 A

V

GS

= 2.5 V ;我

D

= 0.6 A

V

GS

= 1.8 V ;我

D

= 0.3 A

V

GS

= 2.5 V ;我

D

= 0.6 A;牛逼

j

= 150C

正向跨导

V

DS

= 16 V ;我

D

= 0.6 A

门源漏电流V

GS

=

±8

V; V

DS

= 0 V

零栅压漏

V

DS

= 16 V; V

GS

= 0 V;

当前

T

j

= 150C

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反馈电容

I

D

= 1 ; V

DD

= 20 V; V

GS

= 4.5 V

分钟。

20

0.4

0.1

-

-

-

-

0.5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

BSH105

典型值。马克斯。单位

-

0.57

-

140

180

240

270

1.6

10

50

1.3

3.9

0.4

1.4

2

4.5

45

20

152

71

33

-

-

-

200

250

300

375

-

100

100

10

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

V

V

V

m

m

m

m

S

nA

nA

A

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

g

fs

I

GSS

I

DSS

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

DD

= 20V;我

D

= 1 A;

V

GS

= 8 V ;

G

= 6

阻性负载

V

GS

= 0 V; V

DS

= 16 V ; F = 1 MHz的

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号

I

DR

I

DRM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

T

a

= 25 C

I

F

= 0.5 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 0.5 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= 0 V; V

R

= 16 V

分钟。

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

0.74

27

19

马克斯。

1.05

4.2

1

-

-

单位

A

A

V

ns

nC

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sales@twtysemi.com

4008-318-123

2 2

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联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

BSH105

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

BSH105

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市欧立现代科技有限公司

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电话：0755-23999932 / 0755-83222787

联系人：胡先生林小姐朱先生

地址：广东省深圳市福田区上步工业区101栋西座602（公司是一般纳税人企业，可开17%增值税）公司网址：http://www.szolxd.com

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33000

SOT23

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电话：0755-83202411

联系人：杨泽鹏

地址：深圳市福田区汉国中心55楼

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22+

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联系人：何小姐

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NXP/恩智浦

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电话：0755－82812004／82811605

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